Центр - захват
Cтраница 1
 |
Энергетические уровни и энергетические зоны. а изолированный атом. 6 кристаллическое твердое тело. [1] |
Центр захвата может быть рассмотрен как такой дефектный центр, который может задерживать дырки или электроны на время много большее по сравнению со временем нахождения дырок и электронов в центре рекомбинации. Дырочные центры захвата, появляющиеся в германии п-типа в результате процесса формовки, использованы в точеч-ноконтактяых триодах. Центр захвата обладает свойством захватывать дырку и оставлять ее у себя на заметное время, в последующем либо освобождая ее, либо допуская ее рекомбинацию с электроном. В этом случае носители одного вида могут держаться в некоторой области заметное время и таким образом существенно влиять на плотность заряда в этой области. [2]
Центры захвата могут быть центрами прилипания и центрами рекомбинации. Различие между ними определяется соотношением вероятностей термического выброса носителя заряда в свободное состояние и рекомбинации на центре с носителем противоположного знака. С точки зрения статистики, уровнями рекомбинации являются уровни, расположенные между квазиуровнями Ферми, положение которых зависит от концентраций электронов и дырок в соответствующих зонах. С увеличением скорости генерации неравновесных носителей квазиуровни смещаются к краям зоны. В результате этого примесные уровни, игравшие при слабом возбуждении роль уровней прилипания, становятся центрами рекомбинации. [3]
Центрами захвата в температурной области 750 - 950 К, вероятно, являются вакансии по кислороду. [5]
Свойства центров захвата изучал ряд авторов ( см. § 2), в частности Браттэн и Бардин [54], которые показали, что для объяснения результатов исследования германия необходимо предположить наличие ловушек и для электронов и для дырок и что электронные центры захвата не могут находиться очень далеко от дна зоны проводимости, а дырочные центры - от верхнего края валентной зоны. [6]
Распределение центров захвата в полупроводнике часто оказывается гораздо более сложным, чем рассмотренное здесь. Так, возможен случай одновременного существования ловушек нескольких сортов, причем каждому из них может соответствовать не один какой-либо уровень, а целый спектр таких уровней. Тем не менее рассмотренная выше простейшая ситуация выявляет некоторые важные моменты, связанные с измерением времени жизни, и находит практическое применение в одном или двух важных случаях. Уровни прилипания могут располагаться также и на поверхности полупроводника. В этом случае необходим особый анализ, поскольку с ними связано появление объемного заряда, играющего важную роль в процессах захвата носителей тока. [7]
Существование центров захвата неосновных носителей тока ( отличных от обычных центров рекомбинации) впервые было обнаружено при измерениях подвижности дрейфа по времени пролета. Инжектируемые носители тока испытывают одновременно диффузию и дрейф в электрическом поле, рекомбинируя вместе с тем с основными носителями тока. Второй точечный контакт, расположенный на одной линии с первым, используется для измерения зависимости концентрации неосновных носителей тока от времени и от расстояния до инжектирующего контакта. Сигнал, получаемый на коллекторе, показан схематически на фиг. [8]
Рекомбинация через центры захвата осуществляется в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону через локальное состояние, энергетический уровень которого лежит внутри запрещенной зоны. [9]
В ZnS-фосфорах центры захвата глубиной 0 25 эв обусловлены вакансиями серы или междоузельным цинком. Это доказывается резким усилением соответствующего пика на кривой термовысвечивания ( рис. 38) при прогреве кристаллов ZnS в парах цинка. Кроме того, послесвечение сульфидных люминофоров существенно возрастает при быстром их охлаждении после термической обработки. [10]
 |
Влияние типа матриц на свойства захваченных атомов водорода [ 23. [11] |
Наличие нескольких центров захвата обусловлено, вероятно, большой начальной энергией атомов водорода в матрице, так как данный эффект наблюдался только в том случае, если атомы вводились в матрицу посредством фотолиза, а не осаждались из газовой среды. Из этих результатов наибольший интерес представляет обнаружение дополнительной структуры, когда матрицей служит ксенон. Она была отнесена к сверхтонкому взаимодействию с ядрами шести ( для октаэдрической дырки) окружающих атомов ксенона. [12]
Область возможных положений центра захвата называется рабочим пространством ( объемом) манипулятора или промышленного робота. [13]
Обычно при исследовании центров захвата ( ловушек) ис-пользуют те же теоретические соотношения, которые выведены метода ТСТ. Однако следует иметь в виду, что в методе существенным является то обстоятельство, что разрядка С образца происходит под действием электрического поля объем - ного заряда и что, кроме того, определенный вклад ( особенно, в случае полярных полимеров) может вносить дипольная поляризация образца. Кроме того, необходимо учитывать явления, связанные с неоднородностью образца по удельной электрической проводимости. [14]
Если возбужденный уровень центра захвата близок к зоне проводимости, а температура опыта не слишком низка, то энергия активации, требуемая для перевода центра в возбужденное состояние, может оказаться достаточной и для его ионизации. Ионизовать центры окраски щелочно-галоидных кристаллов только путем нагревания не удается из-за большой глубины центров, требующей температуры, значительно превышающей температуру разрыхления решетки ( см. гл. [15]
Страницы: 1 2 3 4