Центр - захват
Cтраница 3
 |
Обслуживаемая и рабочая зоны погрузочного мани. [31] |
Длина кисти LK, расстояние между центром захвата и осью локтевого шарнира определяется конструкцией захвата и размерами груза, поэтому его можно считать известным. [32]
Вывод о том, что соактиваторы образуют центры захвата, может быть проверен путем исследования люминофоров методом кривых термовысвечивания. [33]
 |
К определению коэффициента сервиса манипулятора. [34] |
Рабочим объемом V называется область возможных положений центра захвата, допускаемая связями манипулятора. [35]
Стеблер и Филипс [4.73], обсуждая влияние центров захвата на чувствительность голографической записи в LiNbO3 - Fe, считают, что простая реакция Fe2 - e - Fe3 достаточно хорошо объясняет многие экспериментальные факты. [36]
Метод заключается в измерении зависимости коэффициента поглощения центров захвата определенного типа от температуры кристалла при равномерном нагреве. Обычно кривая термического обесцвечивания обладает в некоторой узкой области температур резким спадом, который обусловлен уменьшением концентрации центров захвата п вследствие их термической диссоциации. [37]
Существование таких состояний возбуждения кристаллофосфора связано с центрами захвата, образующимися в местах нарушения периодичности решетки. Освобождение электронов и дырок этих центров происходит при сообщении им достаточной энергии, тепловой или энергии квантов высвечивающего света. Центры захвата характеризуются набором электронных или дырочных уровней захвата, различающихся по глубине. Явление термолюминесценции наглядно доказывает существование в кристалло-фосфорах уровней захвата различных глубин и позволяет определить эти глубины по зависимости яркости свечения от температуры - кривой термического высвечивания. Именно поэтому изучение кривых термического высвечивания является одним из основных методов исследования центров захката в кристаллофос - форах. Получают кривые термовысвечивания следующим образом. [38]
Авторы вместе с тем считают, что центрами захвата электронов являются ионы серебра, находящиеся в местах высокой концентрации дислокаций. С этими работами тесно связано исследование поверхностной проводимости в галоидном серебре ( статья 8), где показано, что электролитическое, так же как и фотолитическое, выделение серебра протекает по внешним и внутренним поверхностям кристаллов бромистого серебра. [39]
 |
S. Кривые поглощения КС. - Sn и KBr - Sn. [40] |
Авторы полагают, что центры окраски представляют собой центры захвата электронов, включающие два ионаТ1, расположенные в соседних катионных узлах. [41]
При наличии центров быстрой и медленной рекомбинации и центров захвата нескольких типов кинетика затухания фотопроводимости столь же сложна, как и кинетика затухания люминесценции. Однако, используя уже упоминавшийся в гл. I прием - импульсное возбуждение большой интенсивности, - картину удается сильно упростить. [42]
Остальные два фактора связаны с переносом энергии к центрам захвата на поверхности ( см. также [79]) и, наконец, с оптическим экранированием, которое может мешать дальнейшему протеканию реакции. При желтении сантонина под действием УФ-излучения [66 ] кислород не принимает участия в реакции. Несмотря на это, реакция протекает на поверхности кристалла, приводя к образованию смеси двух соединений желтого цвета, каждое из которых имеет молекулярный вес вдвое больший, чем молекулярный вес сантонина. [43]
Последнее часто объяснялось прямым взаимодействием адсорбированных молекул с центрами быстрого захвата, приводящим к изменению параметров центров. [44]
В подавляющем большинстве случаев решающую роль играет рекомбинация через центры захвата. Это значит, что освобожденный светом ( или теплом) электрон сначала захватывается примесным центром, а затем уже сваливается в заполненную зону. В принятой терминологии это явление описывается следующим образом. Сначала примесным центром захватывается электрон, а затем - дырка. Разумеется, эти процессы могут происходить и в обратном порядке. [45]
Страницы: 1 2 3 4