Центр - люминесценция
Cтраница 3
Причина всех люминесцентных явлений состоит в том, что центры люминесценции - атомы, молекулы или ионы вещества, являющегося источником люминесцентного свечения - переводятся в возбужденные состояния (VI.2.5.30) за счет энергии, доставляемой посторонним источником, вызывающим явление люминесценции. Переход возбужденных центров люминесценции в нормальные или менее возбужденные состояния ( VI.2.4.3) сопровождается испусканием света, который является люминесцентным свечением самого вещества. [31]
Причина всех люминесцентных явлений состоит в том, что центры люминесценции - атомы, молекулы или ионы вещества, являющегося источником люминесцентного свечения, - переводятся в возбужденные состояния (VI.2.5.30) за счет энергии, доставляемой посторонним источником, вызывающим явление люминесценции. [32]
Пайпер и Вильяме [66] предполагают, что ударная ионизация центров люминесценции происходит около барьера обеднения вблизи отрицательного электрода, где возникает необходимая для этого большая величина напряженности поля. Электроны, участвующие в процессе ударной ионизации, освобождаются полем с уровней захвата. Однако эта теория рассматривает явления, относящиеся к монокристаллам. [33]
В таких случаях ясно, что возбуждение происходит в центрах люминесценции. [34]
Изобразим график зависимости потенциальной энергии основного и возбужденною электронных состояний центров люминесценции от некоторой обобщенной коордипа гы ( чаще всего межатомного расстояния); на рис, 17.4 такая зависимость приведена для основного состояния. Кривая потенциальной энергии позволяет качественно оценить изменение потенциальной энергии в зависимости от межатомного расстояния. При некоторой равновесной величине длины химической связи ГУ кривая потенциальной энергии проходит через ми нпмум. [35]
Атомы серебра, возбужденные У Ф - светом, являются центрами люминесценции в видимой части спектра. Благодаря этому становится возможным определять дозы, начиная с 10 рад. Кристаллы щелочных галогенидов, содержащие гидриды соответствующих металлов и галогенопроизводные углеводородов, применяются в химич. Для определения пространственного распределения поглощенной энергии излучения предлагались гели агар-агара и желатины, содержащие различные красители, а для определения больших доз ( до 108 рад) - пленки из пластмассы. [36]
Помимо поглощения кванта света основным веществом возможно также его поглощение непосредственно неионизованным центром люминесценции. При этом на уровне 4 также получается положительная дырка, отличающаяся от вышеописанной ( переход 4 - - 1) тем, что она локализована и не имеет возможности перемещаться по кристаллу. Наряду с описанным процессом центр люминесценции может поглотить квант энергии больший, чем ftv ( переход 4 - - 2) и ионизоваться. Кинетика протекания дальнейших процессов в этом случае аналогична кинетике при поглощении в основном веществе. [37]
Люминесцентное излучение вызывается сравнительно небольшими группами атомов или молекул, которые образуют центры люминесценции. Под влиянием внешних воздействий атомы, образующие центры люминесценции, переходят в возбужденное состояние. [38]
Изучение указанных характеристик люминесценции, которые зависят как от внутреннего энергетического состояния центров люминесценции, так и от окружающей эти центры среды, а иногда и от условий возбуждения, дает исследователю богатейший материал для суждения о физико-химической природе вещества и для практических целей анализа вещества. [39]
Возможны также случаи, когда энергия, поглощенная основной решеткой, передается центру люминесценции, возбуждая в нем электрон. Доказать наличие этого процесса при оптическом возбуждении трудно, хотя вполне возможно, что экситоны и электроны, образующиеся при поглощении в основных полосах ( полосах решетки), передают свою энергию центру люминесценции, который при этом возбуждается. Так как экситоны постепенно теряют свою энергию тепловым путем, а электроны стремятся рекомбинировать с положительными дырками, то квантовый выход люминесценции в этих случаях вторичного возбуждения экситонами или электронами гораздо меньше, чем при прямом возбуждении самих центров. Во всех случаях, когда квантбвый выход для оптического возбуждения близок к единице, у фосфора наблюдаются новые полосы поглощения, расположенные в области больших длин волн, чем основные полосы поглощения решетки. [40]
 |
Схема зонного строения кристаллофосфора ( заполненная зона / и ближайшая зона проводимости / /. [41] |
Помимо поглощения кванта света в основном веществе возможно также его поглощение непосредственно неионизованным центром люминесценции. При этом на уровне 4 также получается положительная дырка, отличающаяся от вышеописанной ( переход 4 - 1) тем, что она локализована и не имеет возможности перемещаться по кристаллу. Если энергия поглощенного кванта hv равна Е - Е, то полного отрыва электрона от люминесцентного центра наблюдаться не будет, а лишь произойдет его возбуждение. Наряду с описанным процессом, центр люминесценции может поглотить квант энергии больший, чем hv ( переход 4 - 2), и ионизоваться. [42]
 |
Конструкция твердотельного лазера. [43] |
Твердотельные лазеры в качестве активной среды содержат кристаллический или аморфный диэлектрик, имеющий центры люминесценции. Эти кристаллы обладают высокой прочностью и теплопроводностью, однородностью оптико-физических параметров. Для создания когерентного излучения используется оптическая накачка. [44]
Это правило, однако, соблюдается только для однородных люминофоров с одним видом излучающих центров люминесценции. Спектр экрана, состоящего из механической смеси нескольких люминофоров, для которых кпд люминесценции различным образом меняется в зависимости от возбуждения, будет также зависеть от способа возбуждения, например будет меняться при изменении скорости первичных электронов. Из теории катодолюминесценции следует, что она возникает и исчезает не мгновенно. [45]
Страницы: 1 2 3 4