Cтраница 1
Центры рассеяния - объекты, с которыми могут взаимодействовать ( соударяться) свободные носители заряда, - могут иметь самую различную природу. Ими могут быть примесные атомы ( как ионизованные, так и нейтральные), тепловые колебания атомов решетки ( акустические и оптические), структурные дефекты ( дислокации, вакансии) и другие. [1]
За центр рассеяния принят фокус параболоида. От используемой авторами системы линейных случайных величин, характеризующих положение точки в фокальной плоскости, нетрудно перейти к соответствующим угловым отклонениям оси пучка, а затем и к угловым отклонениям нормали к поверхности зеркала в точке отражения. [2]
Когда центры рассеяния света становятся очень большими, как, например, в пленках полиэтилена, рассеянный свет концентрируется в интервале углов от 8 и меньше 187 J. Рассеяние света в этой области вызвано наличием оптических неоднородностей размером от 1000 до 5000 А. Могут, конечно, присутствовать и образования больших размеров, но для их определения необходимо измерять рассеяние света при очень малых углах. Для измерений при таких углах разработаны специальные конструкции приборов. Интенсивность света в этом случае велика, однако требуется особенно тщательно обеспечить защиту от попадания в приемное устройство падающего пучка света, так как он находится в непосредственной близости от измеряемого луча рассеянного света. [3]
Вблизи центра рассеяния как логарифмически нормальные распределения без порога ( двухпараметрические) и с порогом чувствительности по циклам, так и другие трехпараметрические распределения, а также распределения с большим числом параметров, в равной степени достаточно хорошо соответствуют экспериментальным данным. При малых вероятностях разрушения логарифмически нормальное распределение без порога чувствительности по циклам приводит к погрешности, возрастающей с уменьшением вероятности разрушения. [4]
Распределение центров рассеяния электронов проводимости в жидком металле однородно, что подтверждается данными дифракции рентгеновских лучей и нейтронов. [5]
В полупроводниках центрами рассеяния служат нейтральные и ионизированные атомы примеси, вакансии, дислокации и другие дефекты кристаллической решетки. Процессы рассеяния на различных центрах имеют разную физическую природу. [6]
Систематическая ошибка сдвигает центр рассеяния результатов относительно его истинного значения. [7]
Центром группирования или центром рассеяния случайной величины называется ее среднее значение, около которого в основном располагаются все ее остальные значения. [8]
При наличии систематических ошибок центр рассеяния результатов алализа сдвигается относительно истинного значения искомой концентрации и может также нарушаться нормальный закон распределения случайных ошибок. [9]
Путь электрона от одного центра рассеяния до другого или до такого искажения, в котором электрон теряет свою кинетическую энергию, отдавая ее решетке кристалла, называется длиной свободного пробега электрона или дырки. Как эффективная масса, так и длина свободного пробега в одном и том же кристалле различны для электрона и дырки. Существует немало полупроводников, в которых имеются одновременно электроны и дырки с различными массами. В германии, например, имеются быстрые и медленные дырки с эффективными массами т 0.04 т0 и т 0.4 mQ соответственно. [10]
В сильно легированных полупроводниках наиболее вероятными центрами рассеяния являются ионы примеси. [11]
Молекулы чистой жидкости действуют как центры рассеяния, которые не являются независимыми; таким образом, суммарная интенсивность рассеянного света не совпадает с произведением величины рассеяния каждой молекулой на число молекул. Взаимодействие между лучами рассеянного света от молекул, расположенных в различных местах квазирешетчатой структуры жидкости, вызывает значительное уменьшение в величине наблюдаемого рассеяния. [12]
Атом можно рассматривать как систему центров рассеяния, непрерывно распределенных в пространстве. [13]
Коэффициент относительной асимметрии характеризует смещение центра рассеяния относительно середины поля допуска, являющееся следствием влияния систематических и случайных погрешностей. [14]
Пределы интегрирования определяются ближайшим к центру рассеяния и бесконечно удаленным положениями частицы. [15]