Центр - рассеяние
Cтраница 2
Таким образом, искажения оказываются центрами рассеяния электронов. Наиболее резкие нарушения правильности решетки вызывают и резкое рассеяние, после которого любое направление скорости электрона становится равновероятным, независимо от направления его движения до встречи с искажением. Более слабые неоднородности создают вероятность отклонения на меньшие утлы, но после нескольких таких столкновений всякое преимущество первоначального направления исчезает. [16]
Плоская волна легкой частицы падает на центр рассеяния А, представляющий собой метку тяжелой частицы. Рассеянная волна с волновым вектором kf падает на прибор Р и там измеряется. [17]
Обычно термин центр распределения ( или даже центр рассеяния) употребляют в тех случаях, когда хотят подчеркнуть, что математическое ожидание применяется в качестве характеристики положения случайной величины. [18]
 |
Пример выполнения последовательного анализа. [19] |
Проверим теперь нулевую гипотезу, согласно которой центры рассеяния показаний каждого из приборов совпадают I ( T. Если нулевая гипотеза верна, то расхождение между D ( z1t) и D ( ZJ) несущественно; если же обнаружится существенное расхождение между дисперсиями, то с большой вероятностью можно считать, что систематические погрешности приборов различны. [20]
Явление рассеяния света сильно усложняется с увеличением центров рассеяния. В этом случае фотоны, рассеянные на одних частицах, встречают на своем пути другие частицы и взаимодействуют с ними, вызывая так называемое многократное рассеяние. [21]
Однако результаты контроля не фиксируют величины смещения центра рассеяния размеров. Кроме того, при разработке карты не учитывается, что контроль на узких границах позволяет снизить объем выборки, необходимый для достижения такого же риска изготовителя, как и на широких границах. [22]
Поскольку в аморфных сплавах ионы, являющиеся центрами рассеяния электронов проводимости, расположены крайне неупорядоченно, перенос электронов, обусловливающий в первую очередь электросопротивление и столкновения электронов с ионами, существенно отличается от переноса электронов в кристаллах. В настоящее, время для объяснения температурных зависимостей электросопротивления аморфных сплавов широко используется теория Зай-мана, хорошо работающая применительно к жидким металлам. В разделе 6.4 будет сделана попытка систематизировать экспериментальные результаты по определению электросопротивления аморфных сплавов с позиций оригинальной и модифицированной теории Займана. [23]
При концентрациях выше предела растворимости атомы свинца создают центры рассеяния, и подвижность носителей падает. Прирост концентрации носителей также резко уменьшается, поэтому и наблюдается падение электропроводности после концентрации 0 5 % ( вес. [24]
В реальных рассеивающих материалах каждый элемент объема содержит центры рассеяния, размеры которых различаются на несколько порядков ( поры, включения второй фазы и пр. [25]
 |
Температурная зависи - [ IMAGE ] Влияние на рас-мость показателей преломления сеяние света отношения дисперсной фазы и матрицы. размера частиц ТЮ2 к. [26] |
В общем случае рассеяние света зависит от размера центров рассеяния. [27]
Кристаллические материалы отличаются от стекол только иной природой центров рассеяния и иными значениями л, самый же механизм выравнивания температуры в аморфных и кристаллических телах одинаков. Длина свободного пробега фононов i получает в кристаллах значения порядка 10 - 20 периодов решетки, приближаясь по порядку величины к длине свободного пробега электронов. [28]
 |
Схема дефектов кристаллической решетки.| Схема образования дислокаций. [29] |
Кроме того, дефекты решетки могут играть роль центров рассеяния электронов и дырок и сильно снижать величину подвижности носителей заряда. [30]
Страницы: 1 2 3 4