Центр - рекомбинация
Cтраница 2
 |
Зависимость времени жизни от.| Зависимость времени жизни от. [16] |
При постоянной концентрации центров рекомбинации т убывает с ростом равновесной концентрации носителей. На рис. 13 показана зависимость т от концентрации электронов я0 или дырок рй в германии. [17]
Наличие в полупроводнике центров рекомбинации позволяет резко уменьшить время жизни носителей зарядов, что необходимо для создания быстродействующих полупроводниковых приборов. [18]
Согласно принятым моделям центров рекомбинации неравновесных носителей заряда и уравнению ( 10), рост положительной фэп может быть обусловлен либо уменьшением концентрации вакантных узлов в кислородной подрешетке окисла, либо увеличением концентрации вакансий в металлической подрешетке. Очевидно, что уменьшение Концентрации анионных вакансий, как и увеличение концентрации катионных, свидетельствует о том, что в области потенциалов, отвечающей росту положительной фэп, при анодном формировании окисла в зону реакции кислород поступает в большем, а серебро в меньшем количестве. Иными словами, имеет место преимущественная диффузия ионов кислорода. Поскольку диффузия ионов кислорода по междоузлиям маловероятна по стерическим соображениям, можно предположить, что кислород в Ag2O диффундирует по имеющимся анионным вакансиям. Аналогичным образом можно показать, что, поскольку падение положительной фэп после максимума связано либо с уменьшением концентрации катионных вакансий, либо с увеличением концентрации анионных, анодное окисление серебра до Ag2O на этом участке носит преимущественно катионный характер. [19]
 |
Зависимость от энергии фотона мнимой части показателя преломления f ( V и вероятности излучения Rvc ( для Ge при Т 300 К, умноженной на Ai / k & T / h ( по историческим причинам. [20] |
Подобные дефекты называются центрами излунательной рекомбинации, а в обратном случае они называются нерадиационными ловушками. Хотя выражения (7.5) и (7.7) были получены для переходов между зоной проводимости и валентной зоной, их можно, в принципе, применять для переходов между любыми двумя состояниями в системе, находящейся в условиях теплового равновесия. Излучение тела, находящегося при тепловом равновесии при комнатной температуре, очень мало, поэтому большинство экспериментов проводится при неравновесных условиях. Создание таких условий и измерение результирующего спонтанного излучения составляют сущность экспериментов при изучении люминесценции. [21]
Эти дефекты рассматриваются как центры рекомбинации и связываются с различными энергетическими уровнями внутри запрещенной зоны. [22]
Во многих случаях число центров рекомбинации, обычно не превышающее в Ge и Si 1012 см-3, мало по сравнению с концентрацией избыточных носителей. [23]
Основные состояния часто называют центрами рекомбинации. [24]
Так как для перехода в центр рекомбинации требуется меньшее количество энергии, то присутствие центров рекомбинации является катализатором для генерации и рекомбинации пар электрон - дырка. В кристалле с центрами рекомбинации при данной температуре под действием тепловой энергии генерируется большее число пар электрон - дырка в секунду, чем в кристалле без центров рекомбинаций. Однако в течение того же самого интервала времени в кристалле с центрами рекомбинаций рекомбинирует большее количество электронов и дырок, чем в кристалле без центров рекомбинации. Таким образом, присутствие центров рекомбинации не влияет на концентрацию носителей в кристалле, но сокращает среднее время жизни носителей. [25]
В заключение отметим, что центры рекомбинации характеризуются примерно одинаковыми сечениями захвата для электронов и дырок, а соответствующий им энергетический уровень находится в средней части запрещенной зоны. В отличие от сказанного, уровни прилипания обладают либо различными сечениями захвата, либо соответствующий им энергетический уровень находится вблизи одной из зон. [26]
В нем Nt - плотность центров рекомбинации; Ср - сечения захвата дырок; Мл - концентрация донорной примеси в кристалле; Е - энергетический уровень середины запрещенной зоны; щ - собственная концентрация; Ф - со при ф 0 и Ф кро - Ф1 при ф80, фо1п ( Ср / Сп), где Сп - сечение захвата электронов. [27]
Ферми совпадает с уровнем энергии центров рекомбинации. [28]
Наиболее перспективным является способ создания центров рекомбинации путем облучения - у-лучами. [29]
Распределение электронов и дырок но центрам рекомбинации однородно. Поэтому часть уровней Nt оказывается между квазиуровнями Ферми и принимает участие в рекомбинации. [30]
Страницы: 1 2 3 4