Центр - рекомбинация
Cтраница 3
Адсорбированные частицы могут служить как центрами рекомбинации, так и центрами захвата носителей тока. [31]
Допустим, что на поверхности имеются центры рекомбинации обоих типов, причем они одни и те же как в электронных, так и в дырочных образцах. Абсолютная величина заряда центров, однако, не очень существенна, так как мы имеем дело с разностью между заполненными и незаполненными состояниями. [32]
Си и Ni, которые создают глубоколежащие центры рекомбинации: их энергетические уровни располагаются вблизи середины запрещенной зоны. [33]
Медленный ход процесса нейтрализации парами нитробензола центров рекомбинации приводит к заключению о том, что для осуществления этого процесса необходима диффузия молекул нитробензола сквозь пленку окисла. В то же время, экспериментально полученный степенной закон изменения максимальной скорости поверхностной рекомбинации во времени не может быть выведен при учете одной только диффузии. Это, по-видимому, свидетельствует о том, что процесс нейтрализации лимитируется не только диффузией, но еще и процессом закрепления диполя около рекомбинационного центра. [34]
Отсюда следовало, что определяющим элементом центров рекомбинации и захвата являются дефекты связи германий - кислород и что адсорбция молекул воды вблизи центров приводит к их нейтрализации в качестве центров рекомбинации. Справедливость последнего утверждения была показана прямыми опытами, в которых изменения в состоянии поверхности, внесенные прогревами в вакууме или действием озонированного кислорода, полностью нейтрализовались при приведении образца в контакт с влажной атмосферой. [35]
 |
Кривые нарастания и спада фототока в случае квадратичной рекомбинации при импульсном освещении образца. [36] |
При квадратичной рекомбинации непрерывно меняется число центров рекомбинации и величина времени жизни. [37]
Эти ловушки не следует смешивать с обычными центрами рекомбинации, на которых рекомбинация или реэмиссия происходит за время, меньшее времени жизни свободного носителя. [38]
 |
Солнечная электростанция - спутник Земли 102. [39] |
У пластин поликристаллического кремния имеется слишком много центров рекомбинации, что также обусловливает чересчур низкий КПД. Батареи на основе сульфидов меди и кадмия обладают очень низким КПД, они должны иметь очень малую толщину, поскольку эти вещества не пропускают солнечный свет. [40]
Кроме того, поверхностные уровни могут быть центрами рекомбинации и влиять на полное время жизни неравновесных носителей заряда. [41]
Кроме того, поверхностные уровни могут быть центрами рекомбинации и влиять на полное время жизни неравновесных носителей заряда. В то же время для полупроводниковых кристаллов со значительно меньшей концентрацией пространственный заряд проникает достаточно глубоко в объем кристалла. Например, в германии с концентрацией поверхностных уровней - 10U см-2 и концентрацией носителей заряда в области собственной проводимости 1013 см-3 толщина слоя поверхностного заряда составляет - КГ1 - 10-а см. Следовательно, поверхностный заряд в полупроводнике распределяется между поверхностными уровнями и приповерхностным слоем, вследствие чего и изменяется электропроводность полупроводника. [42]
Кроме того, поверхностные уровни могут быть центрами рекомбинации и влиять на полное время жизни неравновесных носителей заряда. [43]
Центры захвата могут быть центрами прилипания и центрами рекомбинации. Различие между ними определяется соотношением вероятностей термического выброса носителя заряда в свободное состояние и рекомбинации на центре с носителем противоположного знака. С точки зрения статистики, уровнями рекомбинации являются уровни, расположенные между квазиуровнями Ферми, положение которых зависит от концентраций электронов и дырок в соответствующих зонах. С увеличением скорости генерации неравновесных носителей квазиуровни смещаются к краям зоны. В результате этого примесные уровни, игравшие при слабом возбуждении роль уровней прилипания, становятся центрами рекомбинации. [44]
Механизм поверхностной рекомбинации сходен с предыдущим, однако центры рекомбинации в этом случае находятся на поверхности полупроводника. [45]
Страницы: 1 2 3 4