Кристаллический центр
Cтраница 2
Развитие микроскопических ядер в видимые кристаллы начинается с того момента, когда возникли кристаллические центры - ядра, причем это развитие требует постоянного притока твердого вещества к поверхности граней кристалла. [16]
Развитие микроскопических ядер в видимые кристаллы начинается с того момента, когда возникли кристаллические центры - ядра, причем это развитие требует постоянного притока твердого вещества к поверхности граней кристалла. [17]
Для проверки концепции, утверждающей, что расслоение в стекле является источником образования кристаллических центров в системе MgO - A12O3 - SiO2 - ТЮ2, Олберг и сотрудники [170] обрабатывали стекло состава: 56S1O2; 20А12Оз; 17MgO и 7ТЮ2 при 900 С в течение коротких периодов времени. [18]
Перлитное превращение, подобно большинству фазовых превращений, происходит как путем самопроизвольного образования кристаллических центров, так и вокруг посторонних центров - мельчайших частичек окислов, нитридов и карбидов, расположенных преимущественно на границах зерен аустенита, на которых образуется цементит ( карбид) и диффузионного роста вокруг них. Поэтому перлитное превращение требует достаточно высокой температуры для диффузии атомов углерода и железа в кристаллической решетке. [19]
Образование кристаллов происходит в две стадии: в начальной ( первой) стадии возникают кристаллические центры, во второй идет рост кристаллов. [20]
Структура легкоплавких глухих циркониевых глазурей, независимо от температуры обжига, характеризуется неравномерным распределением кристаллических центров на поверхности. Наряду с участками, состоящими преимущественно из одной стекловатой фазы, при незначительном содержании не соприкасающихся между собой кристалликов, встречаются, наоборот, скопления кристаллов, сцементированных небольшим количеством стекла. [21]
 |
Значения безразмерного времени At по заданному пересыщению. [22] |
В связи с ростом образовавшихся кристаллов пересыщение раствора уменьшается, и вероятность образования вновь возникающих кристаллических центров быстро падает до нуля. Таким образом, скорость выпадения вещества в твердую фазу начинается от нуля, возрастает до некоторого максимального значения и затем вследствие дальнейшего падения пересыщения снова уменьшается до нуля. [23]
Первичная рекристаллизация является типичным кристаллизационным процессом, при котором в деформированной структуре происходит непрерывное зарождение кристаллических центров ( зародышей) и рост зерен вокруг них. Ориентация новых зерен произвольна и получается независимой от ориентации окружающей деформированной среды. [24]
Первичной рекристаллизацией или рекристаллизацией обработки называется нагрев деформированного металла до температур, вызывающих непрерывное зарождение новых кристаллических центров и рост зерен вокруг них, происходящий за счет деформированного окружения. Деформированная структура целиком заменяется но - выми зернами, вследствие чего наступает резкое изменение механических свойств металла; твердость и прочность падают, а пластич -, ность возрастает. [25]
Скорость перехода аморфного кремнезема в кристаллический сильно зависит от присутствия материалов, которые могут служить в качестве кристаллических центров, а также от материалов, которые делают более подвижными Si-О - Si связи. Например, Мили-кен, Милл С и Облэд [75] заметили, что гель с 2 % А12О3, который нагревали до 1160, дал гораздо более отчетливые формы кристо-балита, чем силикагель, не содержавший глинозема. С другой стороны, при более высоком содержании глинозема формы кристоба-лита становятся менее устойчивыми. Наиболее замечательно то, что небольшое количество глинозема резко стабилизирует упрочнение кристобалита в кремнеземе после нагревания геля до высокой температуры. [26]
Эта система обозначений свободна от недостатков системы Вагнера и Шоттки [20], в которой электрический заряд каждого кристаллического центра не учитывается в явном виде, что исключает возможность непосредственной проверки как условия электронейтральности гетерогенной реакции, так и условия стехиометрии идеальной кристаллической решетки. [27]
 |
Схематическое изображение действия магнитного поля. [28] |
В этом случае результирующая упорядоченность в ориентации кристаллов зависит от величины напряженности внешнего МП, величины магнитной анизотропии кристаллических центров, их размера и температуры кристаллизационной системы. [29]
Как уже отмечалось, рост кристаллов зависит от того, как быстро осуществляется перемещение кристаллизуемого продукта из раствора непосредственно к граням кристаллических центров. Поэтому для ускорения кристализации необходимо либо искусственно уменьшить пути к центрам кристаллизации, либо создать интенсивные токи жид-кости путем перемешивания. [30]
Страницы: 1 2 3 4