Кристаллический центр

Cтраница 3

Первичной рекристаллизацией, или рекристаллизацией обработки, называется процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температур, вызывающих непрерывное зарождение новых кристаллических центров и рост зерен вокруг них, протекающих за счет деформированных кристаллов. Деформированная структура целиком заменяется новыми зернами, вследствие чего наступает резкое изменение механических свойств металла; твердость и прочность падают, а пластичность возрастает. [31]

Шнековый кристаллизатор. [32]

Но как отмечалось выше, рост кристаллов зависит от того, как быстро происходит перемещение кристаллизуемого продукта из раствора непосредственно к граням кристаллических центров. Поэтому для ускорения кристаллизации необходимо либо искусственно уменьшить пути к центрам кристаллизации, либо создать путем перемешивания интенсивные токи жидкости. [33]

Выше мы видели, что рост кристаллов зависит от того, как быстро осуществляется перемещение кристаллизуемого продукта из раствора непосредственно к граням кристаллических центров, поэтому для ускорения кристаллизации необходимо либо искусственно уменьшить пути к центрам кристаллизации, либо создать интенсивные токи жидкости путем перемешивания. [34]

Но, как отмечалось выше, рост кристаллов зависит от того, как быстро происходит перемещение кристаллизуемого продукта из раствора непосредственно к граням кристаллических центров. Поэтому для ускорения кристаллизации необходимо либо искусственно уменьшить длину пути к центрам кристаллизации, либо создать путем перемешивания интенсивные токи жидкости. [35]

Процесс роста кристаллов также происходит вследствие уменьшения свободной энергии: он состоит в образовании атомных слоев, но на уже имеющихся отдельных гранях кристаллических центров. [36]

Внешнее магнитное поле оказывает влияние не только на процесс возникновения центров кристаллизации, но и на формирование кристаллообразований. Ориентация кристаллов в МП начинается с момента возникновения кристаллических центров и сохраняется в процессе роста кристаллов вплоть до образования поликристаллических. Таким образом, ориентирующее действие МП проявляется в системе на совершенно различных уровнях дисперсности - атомном, молекулярном и макроскопическом. [37]

Наглядно процесс роста кристалла из парообразного состояния может быть представлен моделью ( фиг. Время от времени один из атомов попадает на грань кристаллического центра, прикрепившись к ней в одной точке. [38]

Исследуя рассеивающие свет неоднородности в стекле состава: 56SiO2; 20A12O3; ISMgO и 9ТЮ2) Маурер [157, 158] пришел к выводу, что каталитическое действие ТЮ2 заключается в образовании изотропных областей - эмульсий, одна из которых весьма неустойчива и легко кристаллизуется. Образование эмульсионных центров кристаллизации требует меньшей энергии активации по сравнению с образованием кристаллических центров в отсутствие расслоения. Таким образом, образование эмульсий с помощью ТЮ2 представляет собой путь, по которому следует система при ее кристаллизации. Подобная кинетика кристаллизации характерна только для многокомпонентных стекол. [39]

Изменение структуры осадка серебра в зависимости от состава электролита и плотности тока исследовалось неоднократно, однако лишь некоторые авторы пытались связать структуру осадка с природой растворителя. Таким примером может служить работа [452], где величины наиболее вероятного числа образующихся на катоде кристаллических центров серебра ( nz) поставлены в связь с диэлектрической проницаемостью растворителя. [40]

Продолжительность существования образовавшихся центров кристаллизации различна. Если обработка воды магнитным полем производится непосредственно перед тепловым агрегатом, то, поступив в него, кристаллические центры будут расти за счет выделяющихся на них накипеобразователей и, достигнув определенного размера, будут выпадать, образуя тонкодисперсный шлам. На смену им поступят со свежей водой новые порции и, таким образом, процесс снятия пересыщения будет непрерывно продолжаться. [41]

Необходимым условием зарождения кристалла и его роста из расплава является переохлаждение расплава. Однако степень переохлаждения, необходимая для роста кристалла, отличается от степени переохлаждения, нужной для зарождения кристаллического центра. [42]

Эти частицы могут служить центрами зарождения кристаллов, уменьшая степень необходимого пересыщения. Исходя из экспериментальных данных Таммана и других исследователей, можно было бы развить приблизительно такие теоретические представления о механизме зарождения кристаллических центров. [43]

В присутствии водяного пара кристаллизация метасиликата протекает быстрее, чем в сухой смеси, но даже и в этом случае форстерит образуется первым. Энергия активации образования ортосиликатов во всех системах, включающих щелочноземельные силикаты, меньше энергии активации образования метаси-ликатов, а скорость образования кристаллических центров и их рост вследствие относительной простоты структуры ортосиликатов больше скорости образования кристаллических центров метасиликатов, которые в своей структуре имеют длинные цепочки ( см. А. [44]

Авторы [167] считают, что процесс расслаивания на две фазы начинается с образования аморфных зародышей метастабильных стеклообразных фаз, в которых затем образуются кристаллические центры. Метастабильная ликвация рассматривается ими как самостоятельное явление, характерное для стекла как переохлажденной жидкости, а не как предкристаллизационное явление. [45]

Страницы: 1 2 3 4