Локальный центр
Cтраница 4
Итак, при реализации метода КРЭЯ для рассмотрения электронной структуры кристаллов с локальными центрами необходимо следующее. [46]
В предложенных моделях стадией обрыва цепи является рекомбинация электрон дырочных пар на локальных центрах, концентрация которых в ходе инициирования не изменяется. Это связано с очень коротким временем развития процесса взрыва ( менее 1 мкс), в течении которого протекание ионных стадий роста центров рекомбинации не будет сказываться. Если полагать, что реакция рекомбинации электрон-дырочных пар является реакцией обрыва цепи и природа ЦР в фото и взрывном разложении одинакова, то в ATM появляется уникальная возможность путем предварительного освещения образца обратимо изменять концентрацию ингибитора реакции и направленно регулировать чувствительность ATM к внешним воздействиям различной природы. [47]
Предполагается, что успешное управление системой требует введения в контур управления некоторого количества локальных центров. Последнее предположение является следствием сложности системы. [48]
Необходимо связать потребителей с источником ресурсов некоторой сетью, определить число и расположение локальных центров управления, управляющих распределением ресурсов. [49]
Если излучение полупроводника возникает в результате непосредственной рекомбинации электрона с дыркой или рекомбинации через локальный центр, то излучение называют рекомбинационным. Вещества, обнаруживающие ре-комбинационную люминесценцию, называют кристаплофорами или просто фосфорами. Практически все типичные фосфоры являются полупроводниками. [50]
 |
Схема демаркационных уровней в запрещенной зоне полупроводника. [51] |
Таким образом, мы пришли к важному выводу, что на рекомбинацию эффективно влияют локальные центры с глубокими энергетическими уровнями, а центры с мелкими уровнями выполняют роль центров прилипания. Конечно, это деление относительно, так как при отсутствии глубоких примесных уровней рекомбинация будет идти с помощью мелких уровней, но скорость рекомбинации будет в этом случае меньше, а время жизни носителей заряда больше. Вообще говоря, присутствие уровней прилипания наряду с уровнями рекомбинации увеличивает среднее время жизни носителей заряда, так как процессы прилипания конкурируют с процессами рекомбинации. [52]
Таким образом, мы пришли к важному выводу, что на рекомбинацию эффективно влияют локальные центры с глубокими энергетическими уровнями, а центры с мелкими уровнями выполняют роль центров прилипания. Конечно, это деление относительно, так как при отсутствии глубоких примесных уровней рекомбинация будет идти с помощью мелких уровней, но скорость рекомбинации будет в этом случае меньше, а время жизни носителей заряда больше. [53]
 |
Схема демаркационных уровней в запрещенной зоне полупроводника. [54] |
Таким образом, мы пришли к важному выводу, что на рекомбинацию эффективно влияют локальные центры с глубокими энергетическими уровнями, а центры с мелкими уровнями выполняют роль центров прилипания. Конечно, это деление относительно, так как при отсутствии глубоких примесных уровней рекомбинация будет идти с помощью мелких уровней, но скорость рекомбинации будет в этом случае меньше, а время жизни носителей заряда больше. Вообще говоря, присутствие уровней прилипания наряду с уровнями рекомбинации увеличивает среднее время жизни носителей заряда, так как процессы прилипания конкурируют с процессами рекомбинации. [55]
 |
Однокоординатная модель центра свечения. [56] |
Если излучение полупроводника возникает в результате непосредственной рекомбинации электрона с дыркой или рекомбинации через локальный центр, то излучение называют рекомбинационным. Вещества, обнаруживающие рекомбинационную люминесценцию, называют кристаллофорами или просто фосфорами. Практически все типичные фосфоры являются полупроводниками. [57]
 |
Схема образования быстрых и медленных состояний на поверхности полупроводника.| Зависимость скорости поверхностной рекомбинации от поверхностного потенциала ф. [58] |
Принципиально поверхностная рекомбинация может быть рассмотрена в рамках теории Холла-Шокли - Рида для рекомбинации через локальные центры. Для характеристики поверхностной рекомбинации удобно ввести понятие скорости поверхностной рекомбинации. [59]
Однако в расчетах / - центра, как правило, не оценивается такая существенная характеристика локального центра, как положение оптических уровней в зонной схеме совершенного кристалла, так как последний не рассматривается вообще. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5