Новый центр - кристаллизация
Cтраница 2
При повышении концентрации из раствора выделяются новые центры кристаллизации и одновременно с этим часть первоначальных зародышевых кристаллов продолжает расти. В этом случае образуется среднезернистая кристаллическая накипь, включающая иногда пустоты ( пузырьки пара) и имеющая повышенное термическое сопротивление. [16]
 |
Приборы для выращивания монокристаллов Обреимова - Шубникова ( а, Стокбаргера ( 6 и Чохральского ( в. [17] |
При таком росте исключается возможность образования новых центров кристаллизации, поскольку расплав охлаждается только через нижний конец ампулы, а температура расплава над фронтом кристаллизации выше температуры плавления вещества. [18]
При наличии вторичной нуклеации число возникающих новых центров кристаллизации зависит не только от величины пересыщения раствора, но и от общего числа кристаллов в растворе, от их распределения по размерам, от относительной скорости движения кристаллов и поверхностей в аппарате, от величины этих поверхностей и от их геометрии. Экспериментальное определение зависимости вторичной нуклеации от такого рода многочисленных факторов, разумеется, представляет собой сложную задачу. [19]
При подобном сверхлабильной состоянии спонтанное возникновение новых центров кристаллизации идет в течение почти всего процесса образования золя: практически пересыщенный раствор неустойчив все время. [20]
 |
Дифференциальная функция распределения кристаллов по размерам ( а и гистограмма этой функции ( в / ( r dr характеризует число частиц с размерами от г до. [21] |
Одновременно с ростом уже образовавшихся кристаллов возникают новые центры кристаллизации - зародыши, которые тоже растут, как и остальные кристаллы. [22]
 |
Характер осадка серебра, получаемого из цианистой ванны на электрополированной грани Ag ( ПО ( по Зетти и Вильману. [23] |
Это должно привести к возникновению и росту новых центров кристаллизации. [24]
При этом процесс кристаллизации ускоряется без образования новых центров кристаллизации; внутренняя поверхность кристаллизатора менее подвержена обрастанию кристаллами, отвод тепла интенсивнее продолжительность процесса кристаллизации сокращается. [25]
При этом процесс кристаллизации ускоряется без образования новых центров кристаллизации, т.е. продолжительность процесса кристаллизации сокращается без уменьшения размеров кристаллов. [26]
Простейшим случаем бесконтактного вторичного зародышеобразования является возникновение новых центров кристаллизации при введении одиночного кристалла или нескольких кристаллов в раствор. Если ввести кристалл в сосуд с пересыщенным раствором и позволить ему свободно опускаться на дно, то часто можно заметить, что его падение сопровождается образованием облака новых кристаллов [35], которое следует за частицей. Предполагается, что облако образуется в результате отслоения пылинок, находящихся на поверхности кристалла. Во время падения кристалла в растворе они смываются им и начинают расти самостоятельно. [27]
В тех случаях, когда скорость образования новых центров кристаллизации велика по сравнению со скоростью роста кристаллов, осадок получается мелкокристаллическим. При обратном соотношении скоростей осадок имеет грубую кристаллическую структуру. [28]
При ультразвуковой обработке, по-видимому, интенсивно образуются новые центры кристаллизации, что с-пособствует выпадению шлама в объеме воды. Результаты исследований весьма противоречивы и достоверных данных для применения этих методов в промышленных условиях пока нет. [29]
Чем больше катодная поляризация, тем чаще возникают новые центры кристаллизации, а покрытие приобретает мелкокристаллическую структуру. Катодный ток непрерывно блуждает по элементарным площадкам катода вслед за появлением новых кристаллов. Вокруг растущего кристалла раствор обедняется ионами металла, вследствие чего линии тока перераспределяются и металл начинает осаждаться на тех участках катода, где массовая доля ионов выше. [30]
Страницы: 1 2 3 4