Новый центр - кристаллизация
Cтраница 3
Прибавление каждой порции реактива не вызывает тотчас образования новых центров кристаллизации, новых агрегатов. Вещество некоторое время остается в пересыщенном растворе. При постепенном введении осадителя происходит рост выделившихся ранее кристаллических центров. В результате образуется кристаллический осадок, состоящий из относительно небольшого количества более крупных кристаллов. [31]
 |
Схема двухкорпусной вакуум-кристаллизацианной установки. [32] |
В результате выделения в твердую фазу сульфата калия образуются новые центры кристаллизации и увеличиваются существующие кристаллы. [33]
Ультразвуковая обработка морской воды, по-видимому, способствует интенсивному образованию новых центров кристаллизации вследствие возрастания флуктуации плотности испаряемой воды. [34]
Дальнейшее прибавление новых порций осадителя приводит не столько к возникновению новых центров кристаллизации, сколько к увеличению размеров уже выделившихся центров и к образованию крупнокристаллических осадков. Такие осадки легко отделить от маточного раствора фильтрованием. Кроме того, общая поверхность крупнокристаллических осадков невелика по сравнению с поверхностью мелкокристаллических ( или аморфных) осадков, и адсорбция - соосаждение посторонних веществ - выражена слабо. [35]
 |
Нестационарные токи при электролизе. [36] |
Вследствие этого поверхность становится энергетически однородной и активной для появления новых центров кристаллизации и равномерного осаждения металла при последующем катодном импульсе. В этом случае снижаются число дефектов кристаллической решетки и содержание примесей в осадке. [37]
Ультразвуковая обработка питательной воды, по-видимому, способствует интенсивному образованию новых центров кристаллизации вследствие возрастания флуктуации плотности испаряемой воды. Возможно имеет значение и диспергирующее действие ультразвука из-за явлений кавитации, в результате чего происходит раздробление содержащейся в воде взвеси и извлечение из ее пор микрокристаллов накипеобразователей. Благодаря увеличению количества образующихся центров кристаллизации накипеобразующие соединения отвлекаются от поверхности нагрева и происходит образование шлама в массе воды. [38]
Структура электрохимических осадков зависит от скоростей двух процессов: появления новых центров кристаллизации ( зародышей) и роста их. Мелкокристаллические осадки ( минимальный размер кристаллов не более 10 - 7 м) возникают в том случае, если скорость возникновения центров кристаллизации значительно выше скорости их последующего роста. [39]
Электролит вблизи зародившихся кристаллов обедняется ионами осаждаемого металла; тогда возникают новые центры кристаллизации - на ребрах кристаллов основного металла катода. Количество отдельных зародышей постепенно увеличивается настолько, что вся поверхность катода покрывается осадком. Прекращение роста зародившегося кристалла и возникновение новых центров кристаллизации будет происходить тем скорее, чем легче образуется вблизи растущего кристалла слой раствора, обедненный катионами. [40]
Структура электролитических осадков определяется скоростями двух параллельно протекающих процессов: образованием новых центров кристаллизации и ростом ранее образовавшихся кристаллических зародышей. [41]
Следует избегать истирания или разрушения кристаллов, поскольку мелкие частицы являются новыми центрами кристаллизации. Если их количество превысит количество кристаллов в готовом продукте и удаляемой мелочи, то конечный размер кристаллов в продукте соответственно уменьшится. [42]
Взамен деформированных зерен с искаженной решеткой возникает новая кристаллическая структура, зарождаются новые центры кристаллизации, вокруг которых развиваются новые кристаллиты полиэдрической формы. Внутренние напряжения и искажения решетки, возникшие вследствие пластической деформации, исчезают. Такой процесс называется рекристаллизацией. [43]
 |
Непрерывный способ кристаллизации дифенилолпропана. [44] |
Растворенные кристаллы выделяются из раствора в охлаждающем контуре, но не образуют новые центры кристаллизации, а оседают на поверхности кристаллов, уже имеющихся в циркуляционной смеси; эти кристаллы таким образом увеличиваются в размере. Для получения чистых однородных кристаллов помимо поддерживания указанных температур необходимо соблюдать следующие условия: скорость потока через нагревательный контур должна быть в 4 - 20 раз меньше скорости в охлаждающем контуре и в 4 - 20 раз больше скорости подачи питающего раствора. [45]
Страницы: 1 2 3 4