Cтраница 1
Возникшие центры, однако, могут дезактивироваться, не приняв участие в каталитической реакции. [1]
Для того чтобы вокруг возникших центров кристаллизации начался рост кристаллов из жидкого металла, необходимо, чтобы свободная энергия металла уменьшилась. Если же в результате образования зародыша свободная энергия металла увеличивается, то зародыш растворяется. Минимальный размер способного к росту зародыша называется критическим размером зародыша, а такой зародыш - устойчивым. [2]
Для того чтобы вокруг возникших центров кристаллизации начался рост кристаллов из жидкого металла, необходимо, чтобы свободная энергия металла уменьшилась. Если же в результате образования зародыша свободная энергия металла увеличивается, то зародыш растворяется. Минимальный размер способного к росту зародыша называется, критическим размером зародыша, а такой зародыш - устойчивым. [3]
Когда молекула мономера сталкивается с возникшим центром полимеризации, происходит присоединение ее к этому центру. Освобождающаяся при этом энергия регенерирует реакционную способность зародыша, и рост цепи продолжается до тех пор, пока не наступит момент обрыва цепи. Энергия активации роста цепи составляет 5 - 8 ккал / моль. [4]
Размеры образующихся кристаллов зависят от числа возникших центров кристаллизации и скорости их роста; при большом числе возникающих центров кристаллизации и малой скорости их роста ( температура 7) образуются мелкие кристаллы и, наоборот, при большой скорости кристаллизации и малом числе центров ( температура 7) - крупные кристаллы. [5]
![]() |
Зависимость продолжительности индукционных периодов от исходного пересыщения при кристаллизации BaSO4 ( jnd B мин. [6] |
Интересно отметить, что между числом возникших центров кристаллизации и степенью исходного пересыщения существует определенная связь. [7]
![]() |
Влияние кратности разбавления на кристаллическую структуру парафинового дистиллята ( растворитель - смесь МЭК, бензола и толуола. [8] |
В результате затрудняется их диффузия к ранее возникшим центрам кристаллизации и образуются новые кристаллические зародыши. Поэтому при кристаллизации высокомолеку-л рного высококипящего парафина твердая фаза, выделяющаяся из раствора, распределяется среди большого числа возникающих центров кристаллизации, и размер образовавшихся кристаллов оказывается весьма малым. [9]
Такое влияние обусловлено тем, что добавка концентрируется на поверхности возникшего центра кристаллизации вследствие адсорбции или из-за нерастворимости в твердой фазе и тем самым замедляет обмен молекулами между зародышем и переохлажденной жидкостью. [10]
В результате электролиза происходит декарбоксилирование некоторых карбоксильных групп и при присоединении кислорода к возникшим центрам радикального типа образуются гидроперекиси. Кислород выделяется в процессе электролиза воды. [11]
![]() |
Схема кристаллизации жидкого металла. [12] |
Другой род модификаторов сам дополнительных центров кристаллизации не создает и даже замедляет рост зерен из возникших центров, однако в результате этого замедления возрастает общая продолжительность Кристаллизации и, как следствие, увеличивается суммарное количество зарождающихся в жидком металле центров кристаллизации. А это приводит к измельчению зерен сплава. [13]
Кристаллическая структура осаждаемых металлов зависит от двух процессов: возникновения центров кристаллизации на катоде и роста кристаллов из возникших центров кристаллизации. Если скорость первого процесса превышает скорость второго, то образуется мелкокристаллический осадок. Точной зависимости между плотностью тока, концентрацией электролита и кристаллической формой осадка не установлено, но известно, что чем выше плотность тока, тем больше скорость зарождения центров кристаллизации и тем мельче структура осаждаемого металла. Чрезмерно высокие плотности тока, вследствие медленной диффузии ионов к катоду, вызывают образование рыхлых, порошкообразных осадков и наростов. [14]
В эволюции звезд и планетных систем так же, как и в биологической эволюции, происходит борьба за существование - возникшие центры тяготения конкурируют друг с другом за конденсируемый материал. [15]