Цепи - транзистор
Cтраница 3
Схема двухкаскадного усилителя с общей отрицательной обратной связью по постоянному току и непосредственной связью между каскадами приведена на рис. 2.14. Благодаря включению токостабилизирующих резисторов RZ и RB в эмиттер-ные цепи транзисторов в каждом каскаде создана местная отрицательная обратная связь по постоянному току. [31]
Если рассматриваемая схема нагружена на аналогичные схемы и на все ее входы подано высокое напряжение, то транзистор Т открыт, а транзистор Т2 заперт, так что в цепи транзистора Т2 мощность не потребляется. В другом статическом режиме, когда транзистор Т заперт, в коллекторной цепи транзистора Т2 может протекать ток, равный сумме входных токов схем-нагрузок. [32]
Из анализа усилительных каскадов с резисторными нагрузками известно, что повышение коэффициента усиления напряжения при заданном УЭ возможно только за счет увеличения сопротивлений резисторов, которые включены в коллекторные или стоковые цепи транзисторов. При этом возникает проблема сохранения тока покоя коллектора или стока транзистора на заданном уровне, так как увеличение этих сопротивлений при неизменном напряжении источника питания, как правило, приводит к уменьшению тока покоя транзистора. В результате ухудшаются его усилительные свойства, так как снижается крутизна транзистора. [33]
Подчеркивая аналогию между биполярным транзистором и ламповым триодом, следует отметить и их существенное различие: ламповый триод может работать ( и обычно работает) без тока в цепи уравляю-щей сетки, в управляющей же цепи транзистора ( в цепи базы) всегда протекает ток. [34]
Усилитель промежуточной частоты звукового сопровождения двухкаскадный, выполнен на транзисторах 2Т11, 2Т12 и 2Т13 типов КТ315А, КТ315Б ( рис. 4.20) с применением в качестве нагрузки полосовых фильтров с оптимальной связью и частичным включением контуров в цепи транзисторов для получения большего усиления при широкой полосе пропускания. [35]
Блок ВЧ отличается от ранее описанного рядом особедностей: в системе стабилизации напряжения питания гетеродина и блока УКВ цриыенен специальный транзистор Tf -, преобразователь частоты ( транзисторы Ti, Т) выполнен по схеме на рис. 2 - 45 и связан с гетеродином через резистор R; jja увеличения эффективности АРУ применен кремниевый высокочастотный диод Д; р КЗллекторные цепи транзисторов Т и Т включен индикатор настройки Ц; в б овую цепь первого каскада УПЧ последовательно включены выходные Koinypw фильтрор AM ( 14) и ЧМ ( LaoQa); детекторный каскад AM ( Tg) при приему щ УЩВ ИСП0Л № ( Зуется в качестве дополнительного усилителя, а в его коллекторную te lb Включен фазосдви-гающий трансформатор Lji. [36]
Транзистор может находиться в двух состояниях - открытом и закрытом. По какой цепи транзистора, находящегося в открытом состоянии, протекает наибольший ток. [37]
После запирания транзистора начинается процесс восстановления начальных условий в схеме. Входную и выходную цепи транзистора можно считать разомкнутыми, так как транзистор заперт. [38]
 |
Дифференциальный усилитель.| Построение схем смещения с температурной стабилизацией, обеспечиваемой идентичностью параметров элементов. [39] |
Если сопротивление резистора в цепи общей эмиттерной обратной связи R 500 - - 5000 Ом, то ослабление синфазного сигнала достигает 20 - 500 раз. Использование в этой цепи транзистора дает значительно лучшие результаты. Сопротивление его по постоянному току невелико ( 100 - 1000 Ом), а по переменному току определяется величиной г и достигает десятков и сотен килоом. [40]
Для работы полевого транзистора необходимы два источника напряжения. Напряжение U2 обеспечивает движение электронов в цепи транзистора и нагрузке. Кроме того, имеется напряжение смещения U. Это напряжение является обратным по отношению к p - n - переходу. Поэтому сопротивление p - n - перехода очень велико. [41]
 |
Схемы импульсных усилителей-формирователей. [42] |
Более просты схемы, в которых используется дифференцирование для получения выходных импульсов с заданными параметрами. Здесь конденсатор во входной ( базовой) цепи транзистора в момент поступления входного сигнала пропускает ток значительной величины, благодаря чему транзистор быстро входит в режим насыщения и формирует импульс с крутым передним фронтом. Далее после заряда конденсатора ток базы уменьшается, так как он определяется сопротивлением, включенным параллельно емкости. Этим осуществляется подготовка транзистора к выводу из режима насыщения. По окончании входного импульса заряженный конденсатор способствует быстрому рассасыванию носителей зарядов в базе, чем обеспечивает быстрый вывод транзистора из насыщения и его закрывание. [43]
В детекторах, выполняемых на биполярных транзисторах, используется нелинейная зависимость тока коллектора, эмиттера или базы от напряжения между базой и эмиттером прибора. В зависимости от места включения нагрузки в цепи транзистора принято различать коллекторные, эмиттерные и базовые детекторы. [44]
Открывание транзистора VT2 осуществляется ЭДС, наводимой в базовой обмотке шб. Диод VD1 исключает возможность разряда конденсатора С1 по цепи транзистора VT1, если он находится в режиме насыщения. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5