Чистый индий

Cтраница 2

При дальнейшем охлаждении концентрация германия в расплаве уменьшается, рекристаллизованная область все более насыщается индием и переходит, наконец, в чистый индий. Индиевая капля играет роль невыпрямляющего контакта с дырочной областью германия. На границе раздела исходного германия - типа и рекри-сталлизованной области германия р-типа образуется электронно-дырочный переход. [16]

При дальнейшем охлаждении концентрация германия в расплаве уменьшается, рекристаллизованные слои все более насыщаются индием и переходят, наконец, в чистый индий. На границе; раздела исходного германия и-типа и слоя рекристаллизованного германия р-типа образуется электронно-дырочный переход. [17]

По мере кристаллизации концентрация германия в расплаве уменьшается, рекристаллизованная область все более насыщается индием и переходит, наконец, в чистый индий. Индиевая капля играет роль невыпрямляющего контакта с дырочным слоем полупроводника. [18]

Схема припайки проволоки с высаженной на ней головкой к пластинке. Объем галтели учитывается так же, как на. [19]

Проволоку с высаженной головкой диаметром 0 81 мм ( рис. 154) нужно припаять к плоской поверхности, применяя припой из чистого индия. Требуется определить диаметр соответствующего шарика припоя. [20]

Индий и кремний образуют диаграмму состояния простого эвтектического типа, эвтектика в которой как по составу, так и по температуре очень близка к чистому индию. [21]

Германиевые плоскостные диоды типов ДГ-Ц21-ДГ-Ц27 состоят из кристалла германия и вплавленного в него при температуре 500 - 550 С ( в течение 10 - 15 мин) кусочка чистого индия. В результате термодиффузии индия в германий тонкий слой германия под индием приобретает униполярную проводимость. [22]

Коррозионные испытания разбрызгиванием солей ( 3 % - ный раствор NaCl при 35е в течение 6 недель) показали увеличение веса, соответствующее скорости коррозии 1 93 мг вм - сутки для чистого индия. [23]

Для получения индиевого концентрата сейчас применяют экстракцию его соединений при помощи растворов ал-килфосфорных кислот в органических растворителях. Для извлечения чистого индия из таких растворов применяют метод фазового обмена с амальгамой цинка, которая должна быть специально приготовлена. Процесс состоит из трех стадий: фазового обмена индиевых растворов с амальгамой цинка, очистки амальгамы от примесей и электролитического выделения из амальгамы индия высокой чистоты в электролизере с биполярными амальгамными электродами. Реакции фазового обмена индиевых растворов с амальгамой цинка протекают в каскадных амальгаматорах с проточным электролитом. [24]

При tK С 400 С пленки состоят из смеси кристаллов InAs и In. При tK 400 С чистый индий отсутствует. На всех электронограммах наблюдается кольцо ( 1010) гексагональной модификации InAs, но ее содержание незначительно. Аналогичные результаты дает и рентгеноструктурный анализ, однако в этом случае на дебаеграммах независимо от tK присутствуют линии избыточного индия. С повышением tK зерна укрупняются от 10 - 4 мм ( tK 400 С) до 3 - Ю-3 мм ( 400 С к 540 С) с улучшением гомогенности пленок. С на сплошной пленке InAs образуются отдельные крупные капли, а при tK 600 С образец состоит из изолированных капель с большим содержанием свободного индия, которое возрастает от 3 - 5 % при tK 540 С до 40 % при tK 560 С. После отжига пленок при 400 С ( 4 час) электронограммы от них тождественны снимкам от пленок, полученных при tK 400 С, с четкими линиями InAs и отсутствием избыточного индия. Следовательно, отжиг выравнивает состав, способствует взаимодействию непрореагировавших компонентов, упорядочивает структуру кристалликов InAs и укрупняет их. [25]

Вольт-амперная ха - ледяной уксусной кислоты и 0 3 см рактеристика p - n - перехода брома. При травлении германии окисляется и переходит в раствор до тех пор, пока толщина пластинок станет. [26]

Таким образом, на основе пластинки л-германия вырастает пленка дырочного германия. К концу рекристаллизации закристаллизовыва-ется чистый индий, и застывшая капля индия играет роль невыпрямляющего контакта с дырочным слоем полупроводника. [27]

Схематическое изображение процесса получения сплавного. [28]

Таким образом, на основе пластинки - германия вырастает пленка дырочного германия. К концу рекристаллизации закристаллизовывается чистый индий, и застывшая капля индия играет роль невыпрямляющего контакта с дырочным слоем полупроводника. Материалом для получения второго ( невыпрямляющего) контакта с п-гер-манием служит олово или золото с небольшим содержанием донорной примеси. [29]

В настоящее время значительная доля производимого индия применяется в полупроводниковой электронике. В этой области используют как чистый индий, так и его соединения. [30]

Страницы: 1 2 3 4