Cтраница 3
Другой метод перевода жидкостного контакта в твердое состояние заключается в удалении одного из компонентов сплава. В случае индие-вортутных сплавов это достигается путем отгонки некоторого количества ртути или экстракции ее при помощи кусочка чистого индия. [31]
По данным [30] это снижение при 350 и 450 происходит по плавной кривой от 565 и 545 дин / см для чистого индия до - 475 и 430 дин / см для чистого свинца соответственно. [33]
Перед вплавлением легирующий материал следует очистить. Прежде всего материал обезжиривают в органических растворителях для удаления загрязнений животного и растительного происхождения. Чистый индий или сплавы индия с галлием можно успешно травить в концентрированной азотной или соляной кислоте с последующей тщательной промывкой в деионизированной воде. [34]
В германиевых выпрямителях к металлическому основанию припаивается пластинка из германия толщиной 0 5 мм. Площадь пластинки пропорциональна току. В германий вплавлен чистый индий, который соединен с медным электродом. Весь выпрямитель закрыт металлической защитной оболочкой. [35]
Добавка клея обеспечивает получение плотных осадков на катоде. Аноды из чернового индия заключают в хлопчатобумажные мешки для предотвращения переноса тонких частиц свинца, олова, меди к катоду. Катод может быть сделан из листов чистого индия или алюминия высокой чистоты. [36]
Примером реализации эффекта Ганна ( параграф 2.6) для построения схемы с регулируемой формой выходного сигнала может служить устройство, показанное на рис. 10.19, а. Его основу составляет кристалл арсенида галлия длиной 1 мм, шириной 0 5 мм и толщиной 0 5 мм. К концам пластины приплавлены омические контакты из чистого индия. На внешние клеммы 1 ( катод) и 4 ( анод) подается напряжение смещения, достаточное для возникновения доменов. Образовавшийся у катода домен движется к аноду. Если контакт SA замкнут, то, как только домен попадает в зону управляющего электрода, ток через прибор возрастает. При разомкнутом контакте SA ток на выходе прибора не меняется. [37]
Электролизеры в форме параллелепипедов делают из стали и изнутри облицовывают резиной. Чтобы получить металлический индий высшей степени чистоты, рекомендуется применять ртутный катод ( с перемешиваемой поверхностью) для получения на катоде амальгамы индия. Во втором электролизере она служит анодом для осаждения чистого индия на твердом катоде, изготовленном из индия или титана. [38]
In имеются микрообласти с рыхлой и плотной упаковкой галлия и с упаковкой чистого индия. [39]
При сливе шлака ( солевого расплава) с ним удаляют весь таллий и часть индия. При повторной плавке под свежей смесью солей извлекают во второй шлак большую часть индия вместе с кадмием. В оставшемся корольке индия концентрируются примеси Pb, Sn, Си и Ag. Из второго шлака выделяют чистый индий. [40]
На рис. 52 - 6 изображена диаграмма In-Ge. Сплавы этой системы имеют большое значение в производстве транзисторов. В обычном масштабе по существу германий в индии и индий в германии не растворяются. Однако при измерениях, сделанных с высокой точностью и чувствительностью, обнаруживается эвтектика, очень близкая к чистому индию, и очень узкие области твердых растворов, которые показаны в крупном масштабе по оси абсцисс справа вверху - для твердых растворов индия в германии и внизу слева - для растворов германия в индии. [41]
На рис. 52, б изображена диаграмма In-Ge. Сплавы этой системы имеют большое значение в производстве транзисторов. В обычном масштабе по существу германий в индии и индий в германии не растворяются. Однако при измерениях, сделанных с высокой точностью и чувствительностью, обнаруживается эвтектика, очень близкая к чистому индию, и очень узкие области твердых растворов, которые показаны в крупном масштабе по оси абсцисс справа вверху - для твердых растворов индия в германии и внизу слева - для растворов германия в индии. [42]
Температурный коэффициент электросопротивления в интервале 0 - 100 по данным того же исследования уменьшается пси введении 1, 2, 3, 4, 5 и 6 ат. Согласно [11] тонкая пленка ( толщина - ЗООА) сплава с 3 ат. Pd, полученная при 6 К, переходит в сверхпроводящее состояние при 4 40 К ( взято по кривой), пленка чистого индия - при 4 21 К. [43]
При пайке конструкций из разнородных металлов неизбежно происходит изменение паяльного зазора из-за разности коэффициентов термического расширения. При большем коэффициенте термического расширения соединительный зазор, охватывающий детали, при нагреве может увеличиться настолько, что припой вытечет или не поднимается по капилляру. Если же деталь с большим коэффициентом термического расширения располагается внутри, то зазор при температуре пайки может уменьшиться и слой припоя окажется тонким, что приведет к разрушению при охлаждении или возникновению внутренних напряжений. Для предотвращения разрушения паяных соединений из материалов с разными коэффициентами линейного расширения следует применять припой, обладающий повышенной пластичностью, компенсирующей разницу в указанных свойствах, например припои на основе индия или чистый индий. [44]
Ядерная и полупроводниковая промышленность также целиком опирается на спектральные методы контроля своей продукции. Почти все вещества, применяемые в ядерной энергетике, должны быть свободны от элементов-примесей, которые поглощают медленные нейтроны или становятся радиоактивными, что в конце концов останавливает работу ядерного реактора. Для удовлетворения техническим условиям полупроводниковые приборы изготовляют также под тщательным контролем содержания донорных и акцепторных примесей. Так, для получения перехода эмиттер - база транзистора в кристалл вплавляют 60 мкг индия, содержащего 0 5 % галлия; для получения перехода коллектор - база в кристалл вплавляют 60 мкг чистого индия. [45]