Cтраница 3
![]() |
Схемы включения полевых транзисторов. [31] |
Полевые транзисторы со встроенным каналом могут работать при смещении зи О ( Рис - 4 - 8, а, б), что выгодно отличает их от других усилительных приборов, так как они не нуждаются в дополнительном питании цепи затвора по постоянному току. [32]
Напряжение смещения необходимо для установки требуемого режима работы усилительного каскада. В цепь затвора включен резистор R3, обеспечивающий гальваническую связь затвора с общим проводом. Посредством этого резистора напряжение смещения прикладывается ко входу транзистора: участку затвор - исток. В рассматриваемом каскаде ко входному / - и-переходу затвор - исток прикладывается запирающее напряжение смещения с резистора Rn. Поэтому транзистор обладает чрезвычайно высоким входным сопротивлением постоянному току. Ом, что существенно превышает входное сопротивление каскадов усиления на БТ. [33]
Напряжение смещения необходимо для установки требуемого режима работы усилительного каскада. В цепь затвора включен резистор R3, обеспечивающий гальваническую связь затвора с общим проводом. Посредством этого резистора напряжение смещения прикладывается ко входу транзистора: участку затвор - исток. В рассматриваемом каскаде ко входному p - n - переходу затвор-исток прикладывается запирающее напряжение смещения с резистора Ли. Поэтому транзистор обладает чрезвычайно высоким входным сопротивлением постоянному току. Ом, что существенно превышает входное сопротивление каскадов усиления на БТ. [34]
Во второй схеме в качестве ключа используется МОП-транзистор обогащенного типа. Здесь цепь затвора упрощена и схема работает с сигналами любой полярности. [35]
Упрощенная схема усилителя на транзисторе с общим истоком показана на рие. В цепь затвора подается постоянное напряжение Ез и напряжение усиливаемого сигнала ывх. Рабочая точка А при ивк 0 соответствует ЕЗ 3 В. [36]
![]() |
Простейшая схема замещения полевого транзистора ( а, схема усилителя на полевом транзисторе ( б, эквивалентная схема ( в и схема замещения в - параметрах ( г. [37] |
Схема замещения полевого транзистора приведена на рис. 5.7 а. В этой схеме цепь затвора представлена как разомкнутая, поскольку ток затвора очень мал и его можно не учитывать. [38]
![]() |
Соотношения напряжений в цепи переменного тока ( а и схема, используемая для генерирования формы волн ( б в цепи 6 - 82, а. [39] |
При более низких температурах требуются более высокие токи затвора для зажигания. Таким образом, цепь затвора должна быть спроектирована так, чтобы обеспечить ток зажигания и напряжение, большие, чем максимальные, требующиеся для зажигания, и меньшие, чем максимально допустимые для затвора ток 300 ма и напряжение 5 в. Если в цепи затвора появляется обратное напряжение, обратный ток затвора ( на выход от зажима затвора) должен быть ограничен установкой последовательно с затвором диода. [40]
В автогенераторах широко применяется автоматическое смещение рабочей точки на характеристиках, позволяющее выбрать необходимый режим усиления усилителя. В рассматриваемом автогенераторе в цепь затвора включено звено R3C3 для создания на затворе отрицательного смещения [ / 30 относительно истока. В результате на затворе появляется отрицательный потенциал относительно истока. В отрицательный полупериод напряжения ик ток t 3 равен нулю и конденсатор Сэ разряжается через резистор R3, поддерживая на затворе отрицательный потенциал. Если выполнить условие R3C3 T, где Т - период автоколебаний, то конденсатор не будет успевать заметно разряжаться и, следовательно, напряжение смещения [ / 30 будет практически постоянным. Соответствующий выбор значений сопротивления R3 и емкости С3 обеспечивает работу автогенератора в требуемом режиме усиления. [41]
Здесь мы использовали пару больших я-каналь-ных МОП-транзисторов, включающихся и выключающихся попеременно, так что в первичной обмотке ( высокочастотного) трансформатора создается сигнал возбуждения переменного тока. Биполярные двухтактные схемы возбуждения затворов с небольшими резисторами в цепях затворов необходимы для того, чтобы исключить емкостную нагрузку, так как МОП-транзисторы должны полностью включаться за время несколько меньше 1 мкс. [42]
![]() |
Эквивалентные схемы по переменному току транзистора МДП-типа в. [43] |
При статических расчетах схем на транзисторах МДП-типа необходимо знать их эквивалентные схемы. Вси схемы приведены на рис. 2.27. Для большинства схем входное сопротивление цепи затвора 3 настолько велико, что им можно пренебречь. [44]
Ячейки памяти статического типа обладают средним уровнем потребления мощности ( 0 1 - 1 0 мВт / бит), причем большая часть потребления мощности приходится на режим хранения за счет наличия проводящей цепи в триггере. Существенное сокращение этой части потребления мощности возможно путем использования импульсного питания цепей затворов нагрузочных транзисторов в триггере. [45]