Цепь - затвор
Cтраница 4
Поэтому иногда для стабилизации режима КИ выбирается большей величины, чем требуется для создания необходимого смещения. В этом случае компенсация избыточного отрицательного напряжения на Кя производится введением делителя в цепь затвора, задающего на затвор такое положительное напряжение от Ес, чтобы результирующее напряжение между затвором и истоком равнялось требуемой величине. [46]
 |
Схемы диодного включения интегрального транзистора с диэлектрической изоляцией. [47] |
Вх С зи4 - С зс - Проходная емкость Сзс измеряется между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току цепей затвора и стока в схеме с общим истоком. Выходная емкость Свых измеряется между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току цепи затвора в схеме с общим истоком. [48]
При двух источниках питания упрощается схемотехника и технология изготовления не только оконечного каскада, но и входного. Кроме того, два источника питания позволяют увеличить входное сопротивление ДК, так как при двух источниках питания можно обойтись без резисторных делителей в базовых цепях или цепях затворов входных транзисторов, уменьшающих входное сопротивление каскада. [49]
На практике встречаются схемы генераторов с двумя колебательными контурами. Примером такого генератора является схема, изображенная на рис. 12.11. Баланс фаз, при котором напряжения сток-затвор и затвор-исток находятся в противофазе, обеспечивается только в том случае, если на частоте генерации сопротивления контуров в цепях затвора и стока имеют индуктивный характер, так как при индуктивном характере сопротивлений контуров схема на рис. 12.11 эквивалентна схеме индуктивной трехточки. [50]
Затвор в МДП-транзисторе изолирован от подложки n - типа тонким слоем диэлектрика, поэтому мощность, потребляемая в цепи затвора и обеспечивающая управление сопротивлением канала, чрезвычайно мала. Мощность, которая выделяется в выходной цепи МДП-транзистора, и диапазон ее изменения могут быть очень большими. Цепь затвора заменена входным сопротивлением rBJL 1010 Ом, а сопротивление канала - резистором г. Параметры внешней цепи: сопротивление нагрузки н100Ом, напряжение источника питания ЕС 20 В. [51]
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом ( см. рис. 1.41, б) канал не создается в процессе изготовления, а образуется под воздействием электрического поля. Если к транзистору с ОИ подключить напряжение UCM, по цепи стока пойдет обратный ток р-п-перехода, значение которого очень мало. При подключении в цепь затвора напряжения U3M так, чтобы потенциал затвора относительно истока и пластины был обязательно отрицательным ( для транзистора на рис. 1.41, б), под действием электрического поля под затвором приповерхностный слой пластины полупроводника обеднится. [52]
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом ( см. рис. 17.17 6) канал не создается в процессе изготовления, а образуется под воздействием электрического поля. Если к транзистору с ОИ подключить напряжение UCH, по цепи стока пойдет обратный ток р-п-перехода, значение которого очень мало. При подключении в цепь затвора напряжения 1 / зи так, чтобы потенциал затвора относительно истока и пластины был обязательно отрицательным ( для транзистора на рис. 17.17, б), под действием электрического поля под затвором приповерхностный слой пластины полупроводника обеднится. [53]
В) необходимо обеспечить в цепь затвора соответствующий заряд 2 Динамические характеристики переключения определяются скоростью перезаряда конденсаторов транзистора. Минимальные времена обеспечиваются в режиме перезаряда постоянным динамическим гоком. Для ограничения скорости нарастания тока в режиме малых нагрузок и уменьшения динамических помех необходимо использовать последовательные сопротивления в цепях затвора. [54]
Режим работы транзисторов VT15 и VT16 устанавливается подстроечнымн резисторами R4 и R11 соответственно. Первый каскад УРЧ - транзистор VT15 блока УКВ - охвачен местной системой АРУ тракта ПЧ-ЧМ. Напряжение местной АРУ для блока УКВ вырабатывается транзистором VT17 ( УПЧ-ЧМ) и через проходной конденсатор С6 и резисторы R2 - R4 подается в цепь затвора транзистора VT15 УРЧ. [55]
 |
Схемы симмефичпых триггеров на полевых транзисторах с раздельным запуском. с линейными ( а и нелинейными ( б нагрузочными резисторами, а также на транзисторах дополняющих типов проводимости ( в. [56] |
Поэтому для реализации пересчетного режима работы и запуска по общему входу применяют дополнительные элементы, позволяющие в течение действия спускового сигнала запоминать предыдущее состояние схемы. В схеме на рис. 5.16 к каждому плечу триггера ( точки Л и Б) подключены группы из трех транзисторов. Транзисторы Т6 и Т 6 фиксируют предыдущее состояние в триггере. Емкости цепей затворов транзисторов Т5 и Т5 запоминают предыдущее состояние, а транзисторы Т4 и Т 4 служат для коммутации цепей управления. В момент подачи спускового сигнала закрытый транзистор собственно триггера шунтируется последовательно соединенными транзисторами Т4, Т5 или Т4, Т 5, что приводит к его перебросу в новое устойчивое состояние. [57]
 |
Зависимость интегральной. [58] |
Сечение канала определяет величину тока стока. При освещении вблизи перехода, образованного между каналом и р-областыо, создаются электронно-дырочные пары. Под действием электрического поля перехода происходит разлет электронно-дырочных пар. Фототек, протекающий через цепь затвора, вызывает на внешнем сопротивлении R3 падение напряжения и изменяет потенциал затвора. [59]
В последнем разделе этой главы мы говорим о том, что все МОП-транзисторы исключительно чувствительны к электростатическим разрядам, вызывающим пробой изолирующего затвор окисла. В отличие от ПТ или других устройств с р - - переходами, в которых лавинный ток перехода может безопасным образом разрядить возникшее перенапряжение, МОП-транзисторы необратимо повреждаются при однократном мгновенном пробое затвора. Поэтому очень полезно включать в цепь затвора последовательные резисторы сопротивлением 1 - 10 кОм, особенно там, где сигнал на затвор поступает с другой печатной платы. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5