Цепь - база
Cтраница 1
 |
Напряжения между электродами транзисторов. Полярность напряжения t / б. э соответствует работе транзистора в режиме усиления. [1] |
Цепь базы в схеме с общим эмиттером и в схеме с общим коллектором образуется всеми элементами, включенными между выводами базы и общего электрода ( некоторые из них могут принадлежать цепи коллектора, например источники питания в схемах на рис 38 - 10 6 - г), а также эмиттерным переходом. [2]
 |
Напряжения и токи между электродами транзистора. а р - п - р типа. б п - р - п типа. [3] |
Цепь базы в схеме с общим эмиттером и в схеме с общим коллектором образуется всеми элементами, включенными между выводами базы и общего электрода. [4]
Цепь базы - замкнутая цепь, состоящая из участка база - эмиттер транзистора и внешней части цепи между базой и эмиттером. [5]
Цепь базы - замкнутая цепь, состоящая из участка база - эмиттер биполярного транзистора и внешней части цепи между базой и эмиттером. [6]
Если цепь базы одного или нескольких транзисторов разомкнута ( подана логическая 1), то транзисторы находятся в режиме насыщения и потенциал коллектора соответствует логическому О. Уровень логической 1 на выходе реализуется при низком напряжении на всех базах транзисторов. [7]
 |
Зависимости параметров эквивалентной схемы транзистора от постоянного тока эмиттера ( а и от постоянного напряжения на коллекторе ( б. [8] |
В цепь базы помимо сопротивлений включен генератор ЭДС, учитывающий напряжение, которое возникает в базе при прохождении постоянного тока через переменное сопротивление. [9]
В цепь базы того же транзистора поступает также напряжение с частотой гетеродина. В результате смешивания напряжений двух разных частот в эмиттерном переходе транзистора, то есть в цепи база-эмиттер, появляется слабый переменный электрический ток, частота которого равна разности частот двух исходных напряжений. Характер изменения амплитуды преобразованного сигнала остается при этом таким же, как амплитуды напряжения на входе приемника, то есть модуляция сигнала на промежуточной частоте сохраняется. [10]
В цепь базы каждого транзистора, как показано на рис. 6 - 95, включены резисторы Rs, ограничивающие ток базы. Сопротивлс нне резистора Rs выбирается, как правило, не менее входного сопротивления транзистора. [11]
В цепь базы этого транзистора от схемы АПЧиФ с диодами Д 9 и Д20 через фильтр mRi72Ci47 i7.4 Cita подается регулирующее напряжение. [12]
 |
Принципиальная схема и значение емкостей контурной планки поддиапазонов KB Виктория-001. [13] |
В цепь базы этого транзистора подается управляющее напряжение АРУ. При больших сигналах и срабатывании системы АРУ увеличивается ток через транзистор Т11, что приводит к уменьшению отрицательного потенциала на базе транзистора Т12 и следовательно, к уменьшению усиления этого каскада. [14]
 |
Зависимости параметров эквивалентной схемы транзистора от постоянного тока эмиттера ( а и от постоянного напряжения на коллекторе ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4