Цепь - база
Cтраница 2
В цепь базы помимо сопротивлений включен генератор ЭДС, учитывающий напряжение, которое возникает в базе при прохождении постоянного тока через переменное сопротивление. [16]
В цепь базы этого транзистора включен режектор-ный контур LioCs7, настроенный на разностную частоту звука 6 5 МГц. [17]
В цепь базы этого транзистора от схемы АПЧиФ с диодами Д1в и Д через фильтр Ri RvufimRiefii подается регулирующее напряжение. [18]
 |
Графики зависимости токов для транзистора. [19] |
В цепь базы включим источник напряжения ит ( t), который будет управлять током 1б ( 1), а в цепь коллектора - полное нагрузочное сопротивление ( импеданс) ZK. Предположим сначала, что ZK невелико, так что падением напряжения на нем, создаваемым током / к можно пренебречь. Воспользовавшись рис. 1.24, в, можно построить зависимость / к f ( iu) - Она имеет вид, приведенный на рис. 1.25, а. Зависимость Лгк ДЛмб) нелинейна. [20]
В цепь базы триода включены нормально открытые контакты РН и РЗ. [21]
 |
Графики переходных токов и напряжений в инверторе.| Схемы замещения инвертора на этапе задержки отпирания. [22] |
Сопротивление цепи базы гб не учтено, так как при токовом управлении его роль незначительна. [23]
 |
Конструкция транзисторного датчика температуры. [24] |
Использование цепи базы транзисторного термочувствительного элемента дает дополнительные преимущества. В частности, создавая смещение током базы, можно компенсировать разброс значений начального статического сопротивления. [25]
Диод шунтирует цепь базы низким сопротивлением и ограничивает ток / вых. [26]
Включение в цепь базы конечного сопротивления снизит открывающее напряжение на эмиттере и несколько уменьшит ток в цепи эмиттер-коллектор. При этом пробивное напряжение может возрасти, оставаясь, однако, ниже напряжения пробоя диода коллектор-база. Дело в том, что, как известно, коэффициент усиления транзистора а слагается из трех сомножителей: а уРпМ, где Y - KO-эффициент инжекции; рп - коэффициент - переноса и М - коэффициент лавинного умножения. Для того чтобы а обратилось в единицу, необходимо, чтобы М лишь незначительно превосходило единицу, а при напряжении лавинного пробоя коллекторного диода величина М очень велика. Поэтому в транзисторе в условиях неотключенного ( или незапертого) змиттерного электрода пробивное напряжение, соответствующее моменту, когда у М1, будет всегда ниже, чем напряжение пробоя коллекторного диода. [27]
Когда в цепь базы второго триода включено низкоомное сопротивление, частотные свойства каскада мало отличаются от свойств схемы с общим эмиттером. Однако, если это сопротивление велико и постоянная времени базовой цепи триода Т2 влияет на переходные процессы, длительность фронтов сигнала значительно увеличивается. Важным свойством подобной схемы является определенная взаимная компенсация дрейфа характеристик триодов, если последние в достаточной степени одинаковы. Так, при однотипных транзисторах температурный дрейф каскада уменьшается больше чем на порядок. Однако, если триоды имеют разные характеристики, в схеме может возникнуть значительная асимметрия. [28]
После расчета цепей базы, когда станут известными RS и R3, необходимо вернуться к расчету 5ДОП и еще раз скорректировать расчет цепей смещения. [29]
Разделительный конденсатор цепи базы Ср рассчитывают по ф-ле (5.16), исходя из допустимых частотных искажений, вносимых им на низшей рабочей частоте. [30]
Страницы: 1 2 3 4