Cтраница 1
Атомные восприимчивости этих элементов даны в табл. По соображениям, рассмотренным ниже, к этим данным след; подходить с некоторой осторожностью. [1]
Атомная восприимчивость всех диамагнитных веществ, находящихся в газообразном состоянии, не зависит от температуры. В жидком состоянии в неполярных жидкостях температурный коэффициент восприимчивости очень мал, за исключением, возможно, областей вблизи точек превращения фаз. [2]
Ха - атомная восприимчивость; атомы, например, элементарных полупроводников ( Ge, Si, oc - Sn) не имеют постоянного магнитного момента как в свободном состоянии, так и в кристаллической решетке, поэтому идеальный кристалл такого типа при Т - О диамагнитен. Восприимчивость XL обусловлена электронами в зоне проводимости и дырками в валентной зоне и по своему характеру аналогична магнитной восприимчивости электронов проводимости металлов. [3]
Принципиальное расхождение с атомными восприимчивостями Броерсма определяется выбором значений К и К, которые невозможно определить корректно только на основании исследования насыщенных углеводородов. Таким образом, соответствие уравнения ( 3) экспериментальным данным является в основном феноменологическим, и при интерпретации этих констант необходимо соблюдать большую осторожность. [4]
В газообразном состоянии у всех диамагнитных веществ атомная восприимчивость не зависит от температуры. [5]
Величина диамагнитной восприимчивости может быть выражена аддитивно, как сумма атомных восприимчивостей ( Паскаль. [6]
Величины xai, носящие название постоянных Паскаля, не совпадают со значением атомных восприимчивостей простых веществ, но постоянны для широкого класса веществ. Правило Паскаля основано на том, что при образовании химических соединений внутренние оболочки атома не изменяются, и на том, что данному характеру связи отвечает более или менее неизменная электронная конфигурация. [7]
Метод основан на том, что магнитная восприимчивость молекулы ywM в первом приближении аддитивно слагается из атомных восприимчивостей у, подобно тому, как молекулярная рефракция слагается из атомных рефракций. [8]
Такая попытка была сделана Грэем и Крюкшанком [ 43а ], которые связывают постоянные Паскаля с теоретическими, атомными восприимчивостями Паулинга, а конститутивную поправку частично с ван-флековским не зависящим от температуры так называемым высокочастотным парамагнетизмом. Этот метод был с успехом применен для решения некоторых структурных проблем, которые будут разобраны в разделе 9 этой главы. Можно надеяться, что этот или подобные методы в дальнейшем будут развиты до такого состояния, что смогут применяться химиками с такой же достоверностью и легкостью, с какой применяется молекулярная рефракция. [9]
Хд - - - - % [ - xs - - XT - Здесь / А - атомная восприимчивость; атомы элементарных полупроводников ( Lie, Si, u - Sn) не имеют постоянного магнитного момента как в свободном состоянии, так и в крнсталлпч. [10]
С достаточной степенью точности молярная восприимчивость органической молекулы, не содержащей ненасыщенных центров, может быть выведена, как сумма атомных восприимчивостей. Для непредельных соединений необходимо вводить алгебраические поправки, учитывающие изменение восприимчивости атомов в зависимости от кратности связей. Эти поправки обычно называют инкрементами или восприимчивостями кратных связей. Уменьшение диамагнитной восприимчивости для непредельных соединений указывает на то, что я-электроны имеют меньшую свободу движения, чем электроны а-связи. Этого следовало ожидать на основании того, что движение электронов, находящихся на я-орбитали двойной связи, ограничено узловой плоскостью. С другой стороны, цилиндрическая симметрия я-си-стемы С С-связи дает большую свободу движения, и поэтому положительный инкремент этой связи гораздо меньше, чем инкремент связи С С. [11]
С достаточной степенью точности молярная восприимчивость органической молекулы, не содержащей ненасыщенных центров, может быть выведена, как сумма атомных восприимчивостей. Для непредельных соединений необходимо вводить алгебраические поправки, учитывающие изменение восприимчивости атомов в зависимости от кратности связей. Эти поправки обычно называют инкрементами или восприимчивостями кратных связей. Уменьшение диамагнитной восприимчивости для непредельных соединений указывает на то, что л-электроны имеют меньшую свободу движения, чем электроны сг-связи. Этого следовало ожидать на основании того, что движение электронов, находящихся на зг-орбитали двойной связи, ограничено узловой плоскостью. С другой стороны, цилиндрическая симметрия я-си-стемы С Е С-связи дает большую свободу движения, и поэтому положительный инкремент этой связи гораздо меньше, чем инкремент связи С С. [12]
АК представляет собой анизотропную компоненту магнитной восприимчивости, которая возникает в результате циркуляции электронов в плоскости молекулы, тогда как Кг и Kz являются изотропными компонентами атомной восприимчивости, возникающими в результате сферически симметричного распределения электронов. [13]
Этим объясняется то, что наряду с известной периодичностью магнитной восприимчивости элементов в зависимости от их порядкового числа [ Хонда ( Honda, 1910) ], у диамагнитных элементов, внутри рядов родственных элементов с одинаковой валентностью, атомная восприимчивость растет с увеличением атомного веса; у диамагнитных веществ наблюдается аддитивность магнитной восприимчивости, подобно аддитивности молекулярной поляризации, причем следует учитывать конститутивные парамагнитные инкременты. [14]
По рисунку видно, что разница между кристаллическим веществом и гелем велика. У геля обратная атомная восприимчивость меняется с температурой вполне линейно, чем он резко отличается от кристаллического пиролюзита, обнаруживающего большие отклонения от закона Кюри - Вейса. [15]