Индукция - внешнее магнитное поле
Cтраница 1
Индукция внешнего магнитного поля В может быть найдена из условия равновесия рамки в поле. [1]
В - индукция внешнего магнитного поля ( тл); V-расход рабочего газа ( кг / сек); i x - скорость газа, набегающего на дугу ( м / сек); р - плотность рабочего газа ( кг / м3); I - зазор между электродами ( м); D - диаметр внешнего электрода ( м); с, п, m, p - экспериментально определяемые величины. [2]
В - индукция внешнего магнитного поля; Т 1 - постоянная времени, называемая продольным временем релаксации, указывающим на поляризацию ядер вдоль продольной оси поля. [3]
С увеличением индукции внешнего магнитного поля, где находится сверхпроводник, имеющий форму бесконечного сплошного цилиндра ( с осью, направленной по полю), до некоторого значения, называемого критическим, сверхпроводимость разрушается, и образец переходит в нормальное состояние. Критическое поле зависит от температуры. С приближением к критической температуре уменьшается индукция магнитного поля, разрушающего сверхпроводимость. При О К сверхпроводящее состояние наиболее устойчиво и индукция критического магнитного поля максимальна. При Т Гжр индукция критического магнитного поля обращается в нуль. [4]
Пусть вектор индукции внешнего магнитного поля равен BQ и направлен вдоль оси ж, а ось z направлена вдоль тока. [5]
Пусть вектор индукции внешнего магнитного поля равен В0 и направлен вдоль оси х, а ось г направлена вдоль тока. [6]
 |
Зависимость сопротивления магниторези-стора от магнитной индукции.| Зависимость маг-ниторезистивного отношения от удельной проводимости полупроводника. [7] |
Зависимость сопротивления магниторезисторов от индукции внешнего магнитного поля при различных температурах окружающей среды приведены на рис. 10.9. Как видно из рисунка, при увеличении индукции от 0 до IT сопротивление при нормальной температуре изменяется приблизительно в б - 12 раз. Поэтому при использовании магниторезисторов в широком интервале температур необходимо предусматривать температурную компенсацию их характеристик. [8]
Определим Ф как поток индукции внешнего магнитного поля, искаженного присутствием тела. Тогда Ф4 есть величина, которую Ф принимает после перехода тела в сверхпроводящее состояние. При этом поле искажается поверхностными токами сверхпроводимости. [9]
Определим Ф как поток индукции внешнего магнитного поля, искаженного присутствием тела. Тогда Ф - есть величина, которую Ф принимает после перехода тела в сверхпроводящее состояние. При этом поле искажается поверхностными токами сверхпроводимости. [10]
Для реально достижимой традиционными методами индукции внешнего магнитного поля - 104 Гс и для веществ высокой плотности получаем оценку uJL ei - Ю-4. [11]
В ферромагнитных материалах магнитная восприимчивость резко зависит от индукции внешнего магнитного поля и может достигать очень больших значений. Способность монокристалла к намагничиванию анизотропна: в кристаллах существуют направления благоприятные и не благоприятные для намагничивания. Так, в а-железе, имеющем объемно-центрированную кубическую структуру ( см. рис. 101), направление 100 - - самое благоприятное для намагничивания, а 111 - самое неблагоприятное. [12]
Таким образом, появление резонансных пиков при разных значениях индукции внешнего магнитного поля, когда развертка спектра проводится по полю при постоянной частоте, зависит прежде всего от g - фактора. Поскольку это так и поскольку g - фактор отражает характер спин-орбитального взаимодействия в системе, то в известном смысле чисто формально и условно этот параметр можно сравнивать с химическим сдвигом в спектрах ЯМР, хотя информативность g - фактора ниже. [13]
Точнее, два значения ft / 2 имеет проекция спина на направление индукции внешнего магнитного поля. [14]
В формуле ( 1) ц - вектор магнитного момента, В - индукция внешнего магнитного поля. [15]
Страницы: 1 2 3