Индукция - внешнее магнитное поле
Cтраница 3
Диамагнетизм, в результате ларморовой прецессии от каждого электрона в атоме возникает круговой ток, который с направлением вектора индукции магнитного поля составляет левовинговую систему. Следовательно, создаваемая этим круговым током дополнительная индукция магнитного поля направлена навстречу вектору индукции внешнего магнитного поля. Магнитный момент атома, возникающий в результате прецессии, и намагниченность также направлены противоположно вектору индукции внешнего магнитного поля. [31]
 |
Схема непрерывной замкнутой системы кожухов токопровода.| Схема однофазного токопровода и направления циркулирующих и вихревых токов. [32] |
В переходном режиме ток КЗ содержит не только периодическую, но и апериодическую составляющую, затухающую с постоянной времени Та. Поэтому при КЗ токи, индуктируемые в кожухах, также содержат апериодические составляющие, уменьшающие апериодическую составляющую индукции внешнего магнитного поля, а также поля в кожухах. [33]
Очевидно, что магнитное насыщение наступает тогда, когда векторы магнитных моментов во всех областях спонтанной намагниченности устанавливаются параллельно вектору индукции внешнего магнитного поля. [34]
Поэтому по отношению к одним каналам реакции парамагнитная добавка выступает в качестве катализатора, но она одновременно подавляет параллельные каналы превращения и выступает по отношению к ним в качестве ингибитора реакции. Более того, один и тот же канал реакции может либо ускоряться, либо замедляться парамагнитной добавкой, например, в зависимости от индукции внешнего магнитного поля. [35]
Значения всех гальвано - и термомагнитных коэффициентов даны в СИ. Для перевода в другие системы единиц следует пользоваться табл. 30.1. Следует иметь в виду, что напряженность внешнего магнитного поля, равная в системе СГС 10 кЭ, соответствует индукции внешнего магнитного поля в системе СИ, В [ г0Я1Тд где л04л - 10 - 7 Гн / м 1 256 - 10 - 6 Гн / м - магнитная постоянная. [36]
Опыт показывает, что при изменении направления распространения света на противоположное поворот плоскости поляризации происходит в обратную сторону. Поэтому при прохождении сквозь активную среду, отражении от зеркала и вторичном прохождении через ту же среду назад направление линейной поляризации восстанавливается. Этим естественное вращение отличается от магнитного, где имело значение направление вектора индукции внешнего магнитного поля, а не направление распространения света. Для естественного вращения направление ( знак) поворота связывают с направлением света: активную среду называют правовращающей, если для наблюдателя, смотрящего навстречу световому пучку, поворот происходит по часовой стрелке, и левовращающей в противоположном случае. [37]
Диамагнетизм, в результате ларморовой прецессии от каждого электрона в атоме возникает круговой ток, который с направлением вектора индукции магнитного поля составляет левовинговую систему. Следовательно, создаваемая этим круговым током дополнительная индукция магнитного поля направлена навстречу вектору индукции внешнего магнитного поля. Магнитный момент атома, возникающий в результате прецессии, и намагниченность также направлены противоположно вектору индукции внешнего магнитного поля. [38]
Не проникая в глубь сверхпроводника, магнитное иоле может существовать в его поверхностном слое. В этом слое индукция магнитного поля отлична от пула. В слое протекают незатухающие токи, экранирующие от внешнего ноля области сверхпроводника, удаленные от поверхности. Глубина проникновения магнитного ноля в сверхпроводниках, толщина слоя, в котором индукция поля отлична от нуля, является одной из основных характеристик сверхпроводника. Обычно она составляет несколько сотен ангстрем. Другими словами, магнитное иоле проникает в глубь сверхпроводника на расстояние, равное нескольким сотням межатомных расстояний. С увеличением индукции внешнего магнитного поля, где находится сверхпроводник, имеющий форму бесконечного сплошного цилиндра ( с осью, направленной по полю), до некоторого значения, называемого критическим, сверхпро-водимостз разрушается и образец переходит в нормальное состояние. Критическое поле зависит от температуры. С приближением к критической температуре уменьшается индукция магнитного поля, разрушающего сверхпроводимость. При О К сверхпроводящее состояние наиболее устойчиво и индукция критического магнитного ноля максимальна. При ТТЧ, индукция критического магнитного поля обращается в нуль. [39]
Размеры полости одинаковы у всех образцов. Толщина стенок у каждого образца всюду одинакова. Исследуемые в лаборатории образцы имеют следующие размеры: высота полости h 46 мм, радиус цилиндрической поверхности полости 23 мм и толщины стенок А 1 5 мм, А 3 мм и А 5 мм. Латунный цилиндрический экран имеет полость тех же размеров и толщину стенок 5 мм. Каждый цилиндрический экран состоит из двух половин, имеющих форму стаканов. Поверхности соприкосновения обеих половин так же, как и у сферических экранов, тщательно отшлифованы на плоскости и имеют канавки для вывода концов обмотки измерительной катушки. Во всех опытах используется одна и та же измерительная катушка круглой цилиндрической формы. Она служит для измерения магнитной индукции в полости экранов, а также индукции внешнего магнитного поля, в которое вносятся экраны. Теоретически внутри замкнутого сферического экрана из материала с постоянной магнитной проницаемостью магнитное поле должно быть однородным, если экран внесен во внешнее однородное поле. [40]
Страницы: 1 2 3