Восстановление - галогенид
Cтраница 3
Наиболее часто для получения высокочистых веществ осажде нием из газовой фазы используют реакции термического разложения, восстановления галогенидов водородом, обменные реакции взаимодействия хлоридов и гидридов, химические транспортные реакции, при которых химическое осаждение и химическая возгонка веществ объединяются в единый процесс. [31]
При промышленном производстве эпитаксиальных слоев Si в проточных системах, по-видимому, шире всего применяется реакция восстановления галогенидов водородом. [32]
С целью разработки более совершенных методов получения органогидридсиланов в лаборатории изучается деструктивное гидрирование кремнийорганических соединений под давлением и восстановление галогенидов кремния под действием электрического тока. [33]
Характерной особенностью смешанного варианта IV циркуляционного метода является то, что наряду с выделением диффундирующего элемента по реакции диспропорционирования возможно восстановление галогенидов водородом, если последний преднамеренно вводится в рабочую камеру установки. [34]
Проявление ( черно-белое) служит для образования из скрытого фотографического изображения, возникшего в светочувствительном слое во время съемки или печатания, видимого изображения путем восстановления галогенидов серебра в металлическое серебро. Обычно процесс проявления осуществляется в растворах, содержащих вещества: проявляющие, сохраняющие, ускоряющие и противовуалирующие. Проявляющий раствор характеризуется избирательной способностью, быстротой действия, влиянием на степень светочувствительности, контрастности, зернистости и разрешающей способности, а также сохраняемостью и истощаемостью. [35]
Существует несколько способов получения элементарного кремния: металлотермическое восстановление двуокиси кремния и кремнефтористых солей; термическое разложение хлорида, бромида и иодида кремния; электролиз расплавленной кремневой кислоты; восстановление парообразных галогенидов кремния парами цинка и магния и др. Процессы получения элементарного металлического кремния весьма сложны. [36]
Роль ДМФА может состоять в очистке поверхности металла, так как он растворяет галогениды меди ( 1), однако растворители могут выступать как доноры водорода и, таким образом, вместо сочетания промоти-ровать восстановление галогенидов. Любопытной и до сих пор еще не объясненной особенностью реакции сочетания по Ульману является то, что эЛектроноакцепторные группы ( NO2, СОгМе, СОгН) в орго-положении к атому галогена оказывают гораздо более сильный активирующий эффект ( судя по температуре, необходимой для протекания реакции), чем в пара-положении. Например, о-бромбензоат калия сочетается в присутствии меди в воде при 90 - 100 С. Смешанное сочетание по Ульману наиболее успешно осуществляется, когда один из компонентов гораздо более реакционноспособен, чем другой. Проводя реакцию при температуре ниже той, которая необходима для гомосочетания второго компонента, но выше той, при которой реагирует первый компонент, несимметричные биарилы могут быть получены с высокими выходами. В рамках обсужденного выше кластерного механизма эти результаты позволяют предположить, что более реакционноспособный галогенид образует полиядерный арилмедный интермедиат, который реагирует со вторым компонентом, давая смешанный кластер, восстановительное элиминирование в котором приводит к несимметричному продукту. [37]
Алкилалюминийдигидриды, RA1H2, и более изученные диалкилалюми-нийгидриды, R2A1H, могут быть получены: 1) присоединением А1Н3 к олефинам; 2) прямым синтезом из водорода, алюминия и олефина ( наряду с триалкилалюминием); 3) термическим расщеплением триалкилалюминия на олефин и диалкилалюминийгидрид; 4) восстановлением галогенидов ди-алкилалюминия гидридами щелочных металлов и триалкилалюминиев водородом. [38]
Металлический рений может быть получен восстановлением водородом из окислов, галогенидов, сульфидов или перренатов. Восстановление галогенидов и перренатов идет легко при 250 - 500 С; восстановление окислов происходит при более высоких температурах. [39]
 |
Перенос и кристаллизация ве - SiCL ( газ-носитель ВОДОРОД щества при помощи транспортирующего и Ловила бооа из ВС1 и Лос. [40] |
Часто применяют окислительно-восстановительные реакции для получения как элементарных полупроводников, так и полупроводниковых соединений. При восстановлении галогенидов бора и кремния водородом получаются поликристаллы элементарного бора и кремния. [41]
При восстановлении их паров водородом в газовом потоке образуются тонкодисперсные порошки со ср. Другой вариант - восстановление галогенидов вольфрама в кипящем слое; в этом случае получают порошки сферической формы, высокой чистоты, размер их зерен - 200 - 500 мкм. Кроме того, для произ-ва карбида вольфрама применяют В. Из сферических порошков методом горячего газового изостатического прессования изготовляют плотные заготовки повышенной прочности, превращаемые затем в изделия. [42]
Для их получения используют следующие основные методы: непосредственное соединение металлов с кремнием при 800 - 1200; восстановление окислов металлов кремнием с удалением образующейся летучей моноокиси кремния ( MeO - j - - f2Si - MeSi - fSiO); либо восстановление окислов карбидом кремния ( MeO - fSiC - - MeSi -) - CO); алюмино-и магаиетермич. Лебо); восстановление галогенидов кремния ( обычно SiCl4) водородом в присутствии металла при 1000 - 1800 ( газофазный метод); электролиз расплавов, содержащих силикаты или фторосиликаты калия и натрия и окислы или соли соответствующих переходных металлов. [43]
За исключением дигалогенидов осмия, для обоих элементов не известно ни одной простой соли, но они образуют множество комплексов. Обычно их получают восстановлением галогенидов или галогенидных комплексов Ru 1, Os111, RuIV или Oslv в присутствии соответствующих лигандов. В отдельных случаях сами лиганды могут служить в качестве восстановителя. [44]
Не меньшее препаративное значение имеет восстановление через промежуточное образоваике магнинорганических соединении. Иногда хорошие результаты получаются при восстановлении галогенидов комплексными гидридами металлов, например литий-алюминингидридом и три-т /) вт-бутокснлитийалншинийгидридом. [45]
Страницы: 1 2 3 4