Инерционность - диод
Cтраница 1
Инерционность диодов характеризуется рядом параметров, знание которых, наряду со знанием параметров, характеризующих вольт-амперные характеристики, позволяют проводить инженерные расчеты импульсных схем применения. [1]
 |
Структура диода с выпрямлением на контакте металл - полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма ( б. [2] |
В результате инерционность диодов с выпрямлением на контакте металл - полупроводник определяется величиной барьерной емкости выпрямляющего контакта. [3]
Для характеристики инерционности диодов используют ряд параметров, знание которых, наряду со знанием параметров вольтамперной характеристики, позволяет проводить инженерные расчеты импульсных схем. [4]
Величины, характеризующие параметры инерционности диодов этого типа, лежат на грани разрешающей способности существующей измерительной аппаратуры, поэтому желательно рассмотреть методы, позволяющие оценивать инерционность импульсных диодов косвенным путем, без непосредственного измерения длительности переходных процессов в каком-либо принятом режиме измерения. [5]
 |
Простейшая схема диодного ключа.| К объяснению работы диодного ключа.| Способы кусочно-линейной аппроксимации ВАХ диода. [6] |
При быстро меняющихся сигналах необходимо учитывать инерционность диода, обусловленную емкостью диода и нагрузки и накоплением заряда в базе диода. [7]
При работе в диапазоне повышенных частот необходимо учитывать инерционность диода, в основе которой лежит процесс накопления заряда в области базы и эмиттера вблизи р - - перехода. Инерционность диода, а также наличие емкости Сд приводят к тому, что на очень высоких частотах амплитуды прямого и обратного токов рабочих сигналов становятся соизмеримыми и диод теряет свойство односторонней проводимости. [8]
Перегрузка транзисторов регулируемого конвертора по мгновенной мощности объясняется инерционностью диодов IVD выпрямителя и характерна тем, что по окончании паузы ( при у С 1) транзисторы плеча открываются на время восстановления обратного сопротивления диодов выпрямителя на короткозамкнутый контур. Таким образом, в течение всего интервала рассасывания неосновных носителей заряда в базовых областях закрываемых диодов инвертор работает в режиме короткого замыкания на его выходе и, следовательно, выходное напряжение равно нулю. Ток через транзисторы быстро нарастает. При этом к открываемым транзисторам приложено полное напряжение сетевого выпрямителя. [9]
Как отмечалось выше, эффект накопления зарядов является причиной инерционности диодов в импульсных режимах. Однако этот эффект не всегда отрицателен и используется при создании группы диодов, которая называется диодами с накоплением заряда или диодами с резким восстановлением обратного сопротивления. [10]
Чем выше частота переключения ( преобразования), тем больше проявляются скачки тока за счет инерционности диодов обратного и выпрямляющих. [11]
При работе в диапазоне повышенных частот необходимо учитывать инерционность диода, в основе которой лежит процесс накопления заряда в области базы и эмиттера вблизи р - - перехода. Инерционность диода, а также наличие емкости Сд приводят к тому, что на очень высоких частотах амплитуды прямого и обратного токов рабочих сигналов становятся соизмеримыми и диод теряет свойство односторонней проводимости. [12]
Основным преимуществом диодов Шоттки по сравнению с диодами с р-п переходом является тот факт, что у них отсутствует инжекция неосновных носителей при прямом смещении, а значит, и явления накопления и рассасывания этих носителей. Соответственно инерционность диодов Шоттки обусловлена только барьерной емкостью контакта и может быть сделана весьма малой путем уменьшения размеров структуры. Типичный диапазон рабочих частот составляет 3 - 15 ГГц, а времена переключения доходят до 0 1 не и менее. [13]
 |
Структура диода с выпрямлением на контакте металл-полупроводник ( а и его энергетическая диаграмма ( б. [14] |
В результате инерционность диодов с выпрямлением на контакте металл-полупроводник определяется величиной барьерной емкости выпрямляющего контакта. При малой площади нанесенного электрода ( диаметр 20 - 30 мкм) и при относительно широком потенциальном барьере из-за высокого удельного сопротивления эпитаксиального слоя барьерная емкость диода может иметь величину около 1 пф. [15]
Страницы: 1 2 3