Инерционность - диод
Cтраница 2
 |
Распределения неосновных носителей заряда для различных диодных схем включения интегрального транзистора. [16] |
Частотные свойства диодов характеризуются также временем восстановления обратного сопротивления. Основная причина, инерционности диодов при работе в импульсном режиме обусловлена процессом накопления неравновесных носителей заряда в областях транзисторной структуры. Время восстановления обратного сопротивления зависит от размеров областей транзисторной структуры, времени жизни неравновесных носителей заряда и значения прямого тока через диод. [17]
 |
Зависимость емкости конденсаторов от частоты неременной составляющей приложенного напряжения. [18] |
Большое J06 при больших иоб приводит к значительным потерям мощности на диоде. Особенно сильно проявляется инерционность диода в случае емкостного фильтра. Следует также подобрать тип конденсатора, пригодный для работы на повышенных частотах. Это приводит к увеличению установочной емкости, по сравнению с расчетной, и к ухудшению мас-согабаритных показателей. [19]
На повышенных частотах осложняется выпрямление. Это связано с инерционностью диодов: из-за инерционности движения неосновных носителей заряда объемный заряд не исчезает мгновенно. Инерционность приводит к существованию большого i06 ( вначале равного / пр) в течение времени востановления, пока i0e не станет равно тепловому току диода. [20]
Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе в режиме переключения является эффект накопления неравновесных носителей заряда вблизи р-о перехода. Кроме того, важную роль в инерционности диода играет барьерная емкость р-п перехода. Поскольку малое значение барьерной емкости типично и для высокочастотных диодов в ряде случаев отдельные типы этих приборов могут использоваться в импульсных схемах. Известно, что роль эффекта накопления неравновесных носителей заряда ослабевает при уменьшении их времени жизни. Снижение же величины барьерной емкости достигается главным образом уменьшением площади р-п перехода. [21]
Для расчета переходных процессов в схемах с диодами необходимо иметь динамические модели, отражающие инерционные свойства диодов. Когда р-п переход смещен в обратном направлении, инерционность диода определяется перезарядом его барьерной емкости Сбар. [22]
Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе их в режиме переключения является эффект накопления неравновесных носителей заряда вблизи р-п перехода. Изучение основных физических закономерностей, связанных с этим эффектом, позволяет рассчитать инерционность диода в той или иной схеме и найти технологические пути, позволяющие уменьшить эффект накопления и повысить быстродействие диода. Кроме того, важную роль в инерционности диода играет барьерная емкость р-п перехода. Поскольку малое значение барьерной емкости типично и для высокочастотных диодов, в ряде случаев отдельные типы этих приборов с успехом используются в импульсных схемах. Известно, что роль эффекта накопления неравновесных носителей заряда ослабевает при уменьшении их времени жизни. Снижение величины барьерной емкости достигается главным образом уменьшением площади р-п перехода. [23]
Процессов субианосекундного диапазона требует сверхширокополосных стробоскопических осциллографов с временем установления, меньшим, чем длительность измеряемых процессов. Это требсшание не всегда осуществимо, так как инерционность измеряемых диодов часто соизмерима с инерционностью диодов стробоскопического преобразователя, определяющих время установления стробосциллографа. [24]
 |
Подключение резистора и диода для прохождения тока через дроссель LI при выключении транзистора. [25] |
Цепь R, D2 на рис. 24.5 должна быть рассчитана, следовательно, таким образом, чтобы к моменту очередного включения транзистора ток, проходящий в контуре LI, R, Ш, успел бы снизиться до значения, существенно меньшего, чем ток / стока. В противном случае из-за инерционности диода D2 через транзистор при его включении будет проходить дополнительный ток и потери в нем возрастут. [26]
Поскольку в базе не образуется избыточный заряд, интервал рассасывания tp сведен к нулю. В этом и состоит назначение нелинейной обратной связи. В рассматриваемой схеме она объясняется инерционностью диода. [27]
Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе их в режиме переключения является эффект накопления неравновесных носителей заряда вблизи р-п перехода. Изучение основных физических закономерностей, связанных с этим эффектом, позволяет рассчитать инерционность диода в той или иной схеме и найти технологические пути, позволяющие уменьшить эффект накопления и повысить быстродействие диода. Кроме того, важную роль в инерционности диода играет барьерная емкость р-п перехода. Поскольку малое значение барьерной емкости типично и для высокочастотных диодов, в ряде случаев отдельные типы этих приборов с успехом используются в импульсных схемах. Известно, что роль эффекта накопления неравновесных носителей заряда ослабевает при уменьшении их времени жизни. Снижение величины барьерной емкости достигается главным образом уменьшением площади р-п перехода. [28]
Описанный процесс выпрямления переменного тока называется однополупериодным. Выпрямленный ток зависит от суммарного сопротивления отдельных участков электрической цепи и от частоты переменной ЗДС. На высоких частотах проявляется инерционность диода, обусловленная емкостью между его электродами и накоплением заряда в его катодной части; носители заряда не успевают рассасываться, амплитуда обратного тока повышается, и диод теряет свои выпрямляющие свойства. [29]
Последействия отрицательного перепада сопротивление диода в течение некоторого времени, пока в базе имеется накопленный неравновесный заряд, продолжает оставаться малым. Поэтому через диод сразу после перепада будет проходить обратный ток, величина которого / 2 ж E2 / R в течение некоторого времени остается примерно постоянной. Только после удаления неравновесного заряда под действием тока / 2 и вследствие рекомбинации неосновных носителей сопротивление диода увеличивается до стационарной величины доор и ток Диода постепенно спадает до величины / д обр. Это время в основном и определяет влияние инерционности диода на быстродействие ключей. [30]
Страницы: 1 2 3