Инерционность - фотодиод
Cтраница 1
 |
Расчет ВАХ фотодиода. а, б - исходные температурная и световая характеристики. в - ВАХ.| ВАХ фотомагнитодиода.| Оптопара с фотом агнитодиодом.| Структура p - i - n фотодиода. [1] |
Инерционность фотодиода обусловлена главным образом процессами, связанными с разделением полем р - n перехода пар электрон - дырка, возникающих при поглощении излучения. Если излучение поглощается в базе, инерционность ограничивается временем диффузии носителей от зоны их генерации до р - n перехода; при поглощении в обедненном слое фотодиода - временем их дрейфа через обедненный слой. Уменьшение толщины базы с целью сокращения времени пролета целесообразно до 10 мкм. При такой толщине базы в кремниевом фотодиоде оно составляет около 10 - с. Здесь излучение поглощается в i-области, являющейся областью пространственного заряда. Удельное сопротивление собственного кремния ( i-область) в 10е - 107 раз превышает сопротивление легированных областей п - и р-типа. Это обеспечивает высокую электрическую прочность i-области и возможность создавать в ней за счет внешнего смещения большие напряженности электрического поля, благодаря чему время пролета снижается до 10 - 9 с. Собственная емкость такого диода мала благодаря значительной толщине области пространственного заряда. [2]
 |
Параметры некоторых типов отечественных фотодиодов. [3] |
Инерционность фотодиодов в вентильном режиме при понижении температуры ниже 0 С уменьшается и сравнивается с инерционностью в фотодиодном режиме. [4]
Эти два параметра характеризуют инерционность фотодиода. Быстродействие фотодиода определяется его граничной частотой frp. Она соответствует максимальной частоте модуляции светового потока, на которой статическая чувствительность фотодиода уменьшается до уровня 0 707 s / ( 0), где s / ( 0) - чувствительность на низких частотах модуляции. [5]
Граничная частота полевого транзистора определяется инерционностью фотодиода в области затвора и временем пролета носителей заряда через канал; это время находится в интервале 10 6 - 10 - 9 с. Фоточувствительность полевых фототранзисторов значительно выше, чем у биполярных, и достигает значений до 10 А / лм. Фототранзисторы служат для приема, преобразования и усиления светового сигнала. [7]
 |
Схематическое изображение фоторезистора ( а и схема включения для измерения параметров и характеристик фоторезисторов ( б. [8] |
Второе достоинство фотодиодного режима заключается в меньшей инерционности фотодиода. [9]
 |
Инерционность фотодиодов.| Структура фотодиода типа p - i - n. [10] |
Для сравнения на рис. 9.25 представлены зависимости инерционности фотодиодов в вентильном и фотодиодном режиме в диапазоне температур. [11]
БМЦУ, однако при этом теряется быстродействие из-за инерционности фотодиодов. [12]
 |
Схема включения фотодиода. [13] |
Инерционность сопротивления определяется временем жизни носителей заряда на всей диффузионной длине. Инерционность фотодиода определяется временем прохождения неосновных носителей заряда через тонкий слой дырочной области ( рис. 5 - 11), значительно меньший диффузионной длины. Поэтому инерционность фотодиодов значительно меньше и частотные характеристики значительно лучше. [14]
Фотодиоды обладают высокой чувствительностью ( 4 - ЗОма / лм), компакты и просты. Благодаря незначительным габаритам инерционность фотодиода мала, что позволяет применять его для считывания информации с перфорированной ленты в электронных импульсных вычислительных машинах. [15]
Страницы: 1 2