Инерционность - фотодиод
Cтраница 2
 |
Частотные характеристики кремниевого фотодиода. [16] |
Частотная характеристика показывает зависимость амплитуды выходного сигнала фотодиода от частоты модуляции светового потока, падающего на фотодиод. На рис. 9.23 показаны частотные характеристики кремниевых фотодиодов при двух сопротивлениях нагрузки. Инерционность фотодиодов зависит от времени нарастания фототока. [17]
С увеличением темнового тока уменьшается сопротивление фотодиода. В то же время фототек от температуры изменяется мало. Инерционность фотодиодов в вентильном режиме при понижении температуры ниже 0 С уменьшается и сравнивается с инерционностью в фотодиодном режиме. [18]
Частотная характеристика показывает зависимость амплитуды выходного сигнала фотодиода от частоты модуляции светового потока, падающего на фотодиод. На рис. 9.28 показаны частотные характеристики фотодиодов. Инерционность фотодиодов зависит от времени нарастания фототока. [19]
Инерционность сопротивления определяется временем жизни носителей заряда на всей диффузионной длине. Инерционность фотодиода определяется временем прохождения неосновных носителей заряда через тонкий слой дырочной области ( рис. 5 - 11), значительно меньший диффузионной длины. Поэтому инерционность фотодиодов значительно меньше и частотные характеристики значительно лучше. [20]
Так, у фотодиодов ФД-2 после первоначального быстрого нарастания фототока в течение длительного времени следует очень медленное увеличение фототока. Медленное увеличение фототока может быть у всех фотодиодов при импульсном режиме работы за счет медленного теплового переходного процесса. Поэтому, оценивая инерционность фотодиодов необходимо указывать, каким процессам эта инерционность соответствует. [21]
С ростом поверхностной рекомбинации значение tw уменьшается. Когда s - po, концентрация неосновных носителей у поверхности равна нулю. Генерированные светом носители в этом случае диффундируют как к р-гс-перехо-ду, так и к поверхности. Ясно, что уменьшение инерционности фотодиода путем увеличения скорости поверхностной рекомбинации происходит за счет уменьшения уровня фотоответа. [22]
При замыкании фотодиода на сопротивление нагрузки по внешней цепи потечет ток, зависящий от светового потока. Такой режим работы фотодиода называется фотогальваническим. Чувствительность фотодиода к суммарному световому потоку при коротком замыкании селеновых фотоэлементов довольно велика и составляет 0 5 мА на 1 лм. При увеличении внешнего сопротивления в цепи фотодиода его чувствительность падает. Инерционность фотодиодов примерно на порядок меньше, чем у фоторезисторов. [23]
Использование фотодиодного режима для преобразования сигналов имеет два существенных преимущества по сравнению с использованием вентильного режима. Первое - большая вольтовая чувствительность. Действительно, в вентильном режиме полная световая добавка тока J j может быть получена только в режиме тока короткого замыкания. Второе преимущество заключается в меньшей инерционности фотодиода в фотодиодном режиме, чем в вентильном. [24]
Страницы: 1 2