Инжекция

Cтраница 1

Инжекция сильноточных релятивистских электронных пучков в плазму и газ. [1]

Распределение примесей в базе дрейфового транзистора. [2]

Инжекция в режиме пробоя, как известно, отсутствует, и, следовательно, по коллекторной цепи транзистор остается запертым. [3]

Экстракция электронов При этом количество дырок, выходя-из дырочного полупроводника щих из полупроводника через сечение. [4]

Инжекция и экстракция неосновных носителей заряда всегда сопровождаются их диффузией: электроны переходят из области с высокой концентрацией в область с низкой концентрацией. Если например, в полупроводнике типа р за счет инжекции происходит увеличение концентрации электронов в сечении хр, то это ведет к их диффузии внутрь полупроводника, в результате чего в глубине полупроводника также возникает избыточная концентрация электронов. [5]

Инжекция осуществляется на машине при одинарном и двойном ходах поршня. В последнем случае вес отливки увеличивается в 1 5 раза. На машине можно перерабатывать различные термопласты, в том числе нейлон в дельрин. [6]

Инжекция в электрохимическую систему заряда А достигается соединением электрода с эталонным конденсатором, предварительно заряженным до определенной разности потенциалов. В результате этого потенциал электрода резко смещается относительно Ер на величину т ] 0Л7 / С, где С - емкость двойного слоя. Затем по мере протекания электрохимической реакции потенциал постепенно возвращается к своему равновесному значению. [7]

Инжекции присущи резкая зависимость концентрации неосновных носителей от напряжения: при повышении напряжения всего лишь на 2 3фт ( 60 мВ при Г 300 К) концентрация возрастает на порядок. [8]

Ускорение медленной волной в пучке. J - электронный пучок. 2 - медленная волна. 3 - ионы, захваченные волной.| Ускорение электронными кольцами. 1 - адгсзатор. 2 - сечение кольца электронов до сжатия. 3 - сжатое электронное кольцо. 4 - ускоренное электрон-ионное кольцо. 5 - ускоряющее поле. [9]

Инжекция и захват электронов на замкнутую орбиту происходят в магн. В адгезаторе формируется компактное кольцо электронов за счет адиабатич. Энергия электронов, а следовательно, и фактор у увеличиваются пропорционально У В. Для конкретного ускорителя после сжатия в адгезаторе: Лге 1013, Д 3 см, а0 15 см, у35, что обеспечивает поле на границе кольца 10е В / см. В этом состоянии источник нейтральных атомов ( напр. [10]

Инжекция на базе отрицательных ионов более эффективна. [11]

Инжекция из металлов, В вакуумном диоде свободные электроны поступают от накаленного катода. При высоких температурах кинетическая энергия электронов в катоде становится достаточно высокой, чтобы измеримая доля этих электронов могла преодолеть потенциальный барьер на поверхности катода и перейти в вакуум, через который они переносятся к аноду. Этот процесс называется термоэлектронной эмиссией. [12]

Возможные граничные условия на частицы в фазовом пространстве одномерной продольно ограниченной плазмы.| Функция распределения загружаемых частиц и распределение потока на эмитирующей стенке ( 0. [13]

Инжекция осуществляется с тепловыми или дрейфовыми скоростями, как описано выше. [14]

Зависимость частот продольных ионно-циклотронных колебаний от ( fcp / 2 для различных значений параметра Т [ ( Те.| Зависимость критической частоты со / со / / /, соответствующей границе неустойчивости, параметра ц. k У / 2ь щ и отношения kjk от отношения температур TjT - для водородной. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5