Инжекция

Cтраница 2

Инжекция плазмы к Земле со скоростями вдоль геомагнитного поля, значительно превышающими скорость поперечного дрейфа, может вызывать образование встречного потока плазмы вследствие отражения первого потока от зеркальных точек вблизи ионосферы. [16]

Инжекция газа производится потоком воды через сопло, создающее разрежение в месте выхода воды. Газ выходит под давлением 400 мм вод. ст. При прохождении через гидрокомпрессор газ очищается и охлаждается. [17]

Динамические характеристики ДП-6 НЛМК по содержанию кремния в чугуне [ Si ], найденные методом моделирования. Данные ВНИИМТ ( В. И. Мойкина, Н. М. Бабушкина и Б. А. Бою-викова. / - снижение рудной нагрузки на 0 2 т / т. 2 - повышение рудной нагрузки на 0 2 т / т. 3 - повышение температуры дутья на 50 С. 4 - повышение влажности дутья на 3 %. 5 - снижение содержания кислорода в дутье на 3 %. б - снижение расхода природного газа на 3 % ( к дутью. [18]

Инжекция природного газа приводит к уменьшению соотношения теплоемкостей потоков шихты и газа WJW2 вследствие увеличения выхода горновых газов. [19]

Инжекция жидких отходов в глубокие. [20]

Инжекция избыточных носителей приводит к возникновению градиентов концентрации, но при этом в стационарных условиях для сохранения нейтральности локальные избыточные концентрации будут всюду одни и те же. [21]

Инжекция избыточных носителей тока в германий и кремний может существенно повысить концентрацию носителей тока и тем самым усилить поглощение света свободными носителями тока. Гибсон [68] применил этот эффект для модуляции интенсивности пучка инфракрасных лучей и таким образом создал основу системы связи на инфракрасных лучах. Ганн и Хогарт [69] воспользовались для модуляции сантиметровых волн явлением эксклюзии носителей тока. Образец германия с собственной проводимостью, помещенный в волновод, весьма сильно поглощает при комнатной температуре излучение сантиметрового диапазона. Приложив к образцу значительный импульс напряжения, вызывающий экстракцию носителей тока, можно намного процентов понизить их концентрацию ( см. гл. [22]

Инжекция импульсного релятивистского электронного пучка в газ приводит к ионизации в электрон-атомных и дочерних ион-атомных соударениях. [23]

Схема контактного транзистора. [24]

Инжекция избыточных неосновных носителей заряда через р - - переход в примесный полупроводник обычно не нарушает нейтральности материала. [25]

Схема контактного транзистора. [26]

Инжекция избыточных неосновных носителей заряда через р - я-переход в примесный полупроводник обычно не нарушает нейтральности материала. [27]

Инжекцию в подз емные потоки осуществляют через скважины-поноры, зоны инфлюации, утечек и потерь стока. [28]

Инжекцию ингибиторов в межтрубное пространство осуществляют с помощью ингибиторной установки монжусного типа. Дозированное количество ингибитора постоянно подается под действием собственного веса на забой скважины через межтрубное пространство, откуда восходящим потоком газа ингибитор по стенкам фонтанных труб поступает на поверхность. [29]

Инжекцию частиц можно осуществить различными методами, которые обычно похожи на применяемые при начальной загрузке частиц. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5