Инжекция - дырка
Cтраница 1
Инжекция дырок не нарушает электрической нейтральности я-области, так как она сопровождается одновременным поступлением в га-область из внешней цепи точно такого же количества электронов. [1]
 |
Импульсы тока в полупроводниковом диоде. [2] |
Инжекция дырок в область п продолжается пока приложено внешнее напряжение. Все это время из внешней цепи в область п непрерывно поступает соответствующее количество электронов для нейтрализации положительного заряда диффундирующих дырок. В результате их концентрация увеличивается. Эта увеличенная концентрация неосновных носителей зарядов называется неравновесной в отличие от равновесной концентрации неосновных носителей при отсутствии внешнего напряжения. [3]
Инжекция дырок эмиттером понижает сопротивление р - перехода у коллектора, изменяет потенциальный барьер вблизи коллектора таким образом, что происходит резкое повышение его проводимости. [4]
Инжекция дырок эмиттером понижает сопротивление р - п перехода у коллектора, изменяет потенциальный барьер вблизи коллектора таким образом, что происходит резкое повышение его проводимости. [5]
 |
Распределение неравновесной концентрации в базе транзистора при насыщении. [6] |
Инжекция дырок из коллектора в базу характерна для сплавного транзистора, так как концентрация носителей в коллекторной области сплавного транзистора во много раз превосходит концентрацию основных носителей в базе. Именно поэтому встречной инжекцией электронов из базы в коллектор можно пренебречь. [7]
При инжекции дырок в базу электроны для компенсации заряда дырок могут входить не только из вывода базы, но и из коллектора через канал утечки. [9]
При инжекции дырок в электронный полупроводник имеют место аналогичные процессы. [10]
Вследствие инжекции дырок из эмиттера в базу концентрация их в базе повышается. Электроны, пришедшие в базу, устремляясь к эмиттерному переходу, создают вблизи него отрицательный объемный заряд, почти полностью компенсирующий заряд, образованный дырками. Вблизи эмиттерного перехода, таким образом, имеется область повышенной концентрации электронов и дырок. Вследствие разности концентраций возникает диффузионное движение дырок и электронов по направлению к коллектору. В транзисторах ширина базы выбирается такой, чтобы время жизни неосновных носителей заряда - дырок было бы значительно больше времени их движения в базе. Таким образом, поДавляю - щее большинство дырок ( практически около 99 % и более), инжектированных из эмиттера, не успевает рекомбинировать с электронами в базе. Вблизи коллекторного перехода дырки попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода и втягиваются в коллектор. Происходит экстракция дырок из базы в коллектор. Электроны же, число которых равно числу ушедших в коллектор дырок, устремляются в базовый вывод. Цепь тока коллектор - база замыкается. [11]
Барьер для инжекции дырок высотой 0 8 эВ уже в состоянии заметно ограничить максимальный ток, который может быть получен от такого электрода. Поскольку молекулы 12 адсорбируются на поверхности кристалла антрацена [38] и безусловно участвуют в образовании некоего вида комплекса с переносом заряда, возможно, что между 12 и антраценом имеет место более сложная реакция, которая и приводит к более эффективной инжекции дырок. [13]
В результате инжекции дырок в базу, где они являются неосновными носителями, в последней возникает градиент ( перепад) концентрации дырок, что приводит к их диффузионному перемещению во всех направлениях, в том числе и к коллекторному р - / г-переходу. Дрейф ( перемещение носителей под воздействием электрического поля) неосновных носителей к коллектору играет второстепенную роль. При перемещении через базу концентрация неосновных носителей заряда уменьшается за счет рекомбинации с электронами, поступающими в базовую цепь от источника Еэ. При этом в коллекторной цепи проходит ток / к, замыкая общую цепь тока. [14]
Квантовые выходы инжекции дырок, представленные на рис. 2.5.26, позволяют провести вычисления квантового выхода фотоносителей в расчете на одну возбужденную молекулу. [15]
Страницы: 1 2 3 4