Инжекция - дырка
Cтраница 2
Одновременно с инжекцией дырок в n - область происходит инжекция электронов в р-область. Протекающие при этом процессы аналогичны, но при N Na инжекция электронов пренебрежимо мала. [16]
 |
Распределение токов, обусловленных инжек-цией дырок.| Обратное включение р-п перехода. [17] |
Одновременно с инжекцией дырок в л-область происходит инжекция электронов в / - область. Протекающие при этом процессы аналогичны. [18]
На этом этапе включения инжекция дырок происходит лишь под управляю-щим электродом. Уход электронов вправо по слою п2 ограничен сопротивлением растекания этого слоя. [19]
Как уже указывалось, инжекция дырок при низком импедансе и собирание их при высоком импедансе позволяют получить значительное усиление мощности. Следовательно, использование транзисторов в качестве усилителей при подаче сигнала на эмиттер ( работа с заземленной, или общей, базой) требует применения трансформаторов для связи выхода одного каскада со входом следующего. Альтернативно можно использовать в качестве входного элемента базу, что обеспечивает сравнительно высокий входной импеданс, и исключить, таким образом, необходимость использования трансформатора. Этот тип схем известен под названием схем с заземленным, или общим, эмиттером. [20]
Пусть для определенности осуществляется инжекция дырок в электронный полупроводник. В результате вблизи инжектирующей поверхности образуется квазинейтральное электронно-дырочное облачко, почти такое же, как при биполярной диффузии ( ср. [21]
 |
Изменение избыточной. [22] |
Аналогичные явления возникают при инжекции дырок в электронный полупроводник. Если инжекция прекращается, то за счет преобладания скорости рекомбинации над скоростью генерации концентрации электронов и дырок начинают уменьшаться и через некоторое время достигают равновесных значений. [23]
В этом случае для инжекции дырок поверхностным молекулам антрацена, которые реагируют с ионами водорода, необходима энергия возбуждения около 0 8 эв. Возбуждение может быть вызвано внешней радиацией, поглощаемой антраценом. При поглощении света образуются экситоны; в результате миграции некоторые эк-ситоны попадают на поверхностные молекулы антрацена. Ограничением тока в этом случае является концентрация возбужденных молекул антрацена, которая пропорциональна интенсивности падающего света. Калман и Поуп нашли, что, как и следовало ожидать, для данной интенсивности света фототок насыщается при высоких напряженностях поля. [24]
Пусть для определенности осуществляется инжекция дырок в электронный полупроводник. В результате вблизи инжектирующей поверхности образуется квазинейтральное электронно-дырочное облачко, почти такое же, как при биполярной диффузии ( ср. [25]
КБ 0) развивается инжекция дырок из коллектора в базу, навстречу потоку дырок, движущихся от эмиттера через базу к коллектору. Ток коллектора при этом резко уменьшается. [26]
Согласно данным работы [331], инжекция дырок через водный контакт энергетически возможна лишь в том случае, если свободный атом водорода стабилизируется в реакции с кристаллом антрацена. [27]
 |
Распределение дырок в базе диода в различные мо менты времени после прило - о 5 ження импульса прямого тока ( координата х. - в единицах L0. [28] |
Явление уменьшения сопротивления базы вследствие инжекции дырок р-п перехода, смещенного в прямом направлении, называют модуляцией сопротивления базы. Таким образом, переходный процесс, искажающий передний фронт импульса, проходящего через диод в прямом направлении, обусловлен модуляцией сопротивления базы. [29]
 |
Диаграммы тока п напряжения диода при прохождении импульса. [30] |
Страницы: 1 2 3 4