Инжекция - заряд
Cтраница 2
Класс фоточувствительных микросхем с переносом заряда разделяют на 2 подкласса: ФМЗС ( однострочные и матричные) и фоточувствительные схемы с инжекцией заряда. [16]
 |
Преобразователь напряжения в частоту с уравновешиванием заряда. [17] |
В то же время двухстадий-ные методы используют компараторы с высокой воспроизводимостью характеристик, но не предъявляют высоких требований к ключам, по крайней мере в отношении скорости и инжекции заряда. Продолжая наше сравнение реальных приборов, отметим, что многостадийный 22-разрядный преобразователь AD1175K обладает временем преобразования 50 мс и стоит 800 долл ( разд. [18]
Данный метод основан на распространении возможностей метода контроля дефектности диэлектрических слоев по измерениям напряжения микропробоя на участок сильнополевой туннельной инжекции ВАХ, реализации измерения напряжения микропробоя в рамках метода инжекции заряда в диэлектрик импульсом постоянного тока и расширения информативности данного метода в области низких и высоких полей. [19]
Второе следствие заключается в том, что напряжение, при котором устанавливаются токц, ограниченные объемным зарядом, увеличивается в У1 ( / У1 раз, так гак увеличение концентрации свободных носителей при инжекции заряда должно также увеличивать концентрацию захваченных носителей. [20]
Ячейка ПЗИ состоит из двух близко расположенных МОП-конденсаторов, соединенных диффузионной областью ( рис. 11.9), обеспечивающей передачу накопленного заряда от одного конденсатора к другому. Инжекция заряда неосновных носителей в подложку происходит тогда, когда напряжение выключено на обоих электродах. Данная структура преобразователя изображения позволяет производить выборку информативного заряда от любой ячейки, используя лишь один перенос. [21]
Оно близко к е0т 17 - 7 - 20, полученным в [204] для дипольно-сегментальной релаксации при выдержке под напряжением в течение 103 - f - 104 с. Поэтому предположения о инжекции зарядов [274] требуют, на наш взгляд, дополнительных доказательств. [22]
СППЗУ программируются с помощью инжекции заряда, после программирования заряд сохраняется до разрушения его от внешнего источника энергии, например ультрафиолетовым излучением. Энергия внешнего источника вызывает перераспределение заряда в естественное состояние, и старое содержимое памяти разрушается. [23]
Основным недостатком ПЗС, выполненных с разделением процессов накопления и переноса зарядов во времени, является большая поражаемость устройства - выход из строя одного элемента приводит к выпадению целой строки или части матрицы. В таком датчике, названном матрицей с инжекцией заряда, в пределах каждого элемента изображения располагается два МДП-конденса-тора 1 и 2, разделенные областью 3 р-типа и объединенные соединительными шинами в столбцы и строки. При выборе строки потенциал на ней устанавливается равным нулю. Для опроса элементов этой строки производится очередной сброс на нуль напряжения на всех столбцовых шинах ( рис. 7.24, в), сопровождаемый инжекцией в подложку заряда, накопленного в опрашиваемом элементе. Ток инжекции создает на нагрузочном резисторе 5 напряжение видеосигнала. [24]
Время реакции ЭХИ находится в очень широких пределах в зависимости от материалов, технологии изготовления и ряда других причин. Главный физический процесс, определяющий время реакции, - инжекция заряда, вызывающего требуемое значение контраста. Поскольку для получения больших значений контраста требуется инжектировать значительный заряд ( 10 - 50 мКл / см2), время реакции исчисляется десятками и даже сотнями миллисекунд. Насколько велико время реакции некоторых твердотельных ЭХИ, видно из рис. 3.17. Штриховые линии определяют изменение спектров поглощения структуры SnO2 - WO3 - - SnO2 - Аи при подаче на нее одного импульса длительностью 15 с. Таким образом, для включения такого ЭХИ требуется подать 8 импульсов. [25]
За последнее десятилетие достигнуты значительные успехи в исследовании быстрых электродных процессов, в результате чего стало возможным определять более высокие константы скорости. Новейшие достижения обусловлены главным образом возможностями, предоставляемыми методом инжекции заряда, особенно в сочетании с фарадеевским выпрямлением. [26]
Если ъ качестве контакта с органическим кристаллом используется раствор электролита, то появляется возможность вводить на поверхность кристалла различные молекулы, участвующие в процессе инжекции зарядов. Так, например, многие красители адсорбируются на поверхности антрацена, и электронно-возбужденные молекулы красителей могут инжектировать заряды в антрацен. Мы уже обсуждали роль родамина В в диффузии экситонов ( разд. Экситон может переносить энергию к красителю путем дальнодействующего феостеровского механизма или близкодействующего процесса электронного обмена. Синглетные экситоны могут участвовать в обоих видах обмена энергией, а триплетные экситоны вследствие запрещенное для них диполь-дипольного перехода могут диссоциировать только путем электронного обмена. Электронное возбуждение красителей может осуществляться непосредственно при поглощении фотона или путем передачи им энергии. Согласно теории Ферстера ( см. разд. [27]
При сильнополевой инжекции заряда в диэлектрик МДП-структур, содержащий электронные ловушки, например 8Ю2 - ФСС ( фосфорно-силикатное стекло), в режиме постоянного напряжения наблюдается меньшая полевая зависимость напряжений сдвига ВАХ, чем в режиме постоянного тока. Следовательно, режим постоянного тока для таких структур является более жестким по сравнению с режимом постоянного напряжения, в то же время использование этого режима позволяет в несколько раз уменьшить время проведения инжекционных исследований. Однако особенности режимов инжекции заряда в диэлектрик в настоящее время не всегда учитываются при проведении инжекционных исследований и интерпретации полученных результатов. [28]
В диэлектриках свободными зарядами, которые перемещаются в электрическом поле и обусловливают электропроводность, могут быть ионы ( положительные и отрицательные), молионы ( в жидких диэлектриках), электроны и электронные вакансии ( дырки), поля-роны. Такие свободные заряды образуются за счет нагрева диэлектрика, в результате которого происходит термическая диссоциация частиц, при воздействии на диэлектрик света или при его ионизирующем ( радиационном) облучении. В сильных электрических полях возможна инжекция зарядов ( электронов, дырок) в диэлектрик из металлических электродов; заряды ( ионы) могут инжектироваться в диэлектрик, если электродами служат вода или другая жидкость - электролиты, в которых имеются свободные положительные или отрицательные ионы; наконец, в сильных электрических полях свободные заряды ( ионы и электроны) образуются в дилектрике в результате ударной ионизации, когда свободные заряды, главным образом электроны, ускоряются в электрическом поле и приобретают энергию, которая достаточна, чтобы при соударении такого ускоренного электрона с молекулой или атомом вещества произошла их ионизация. [29]
 |
Комбинация элемента постоянной памяти на ПЗС. элементы памяти вне ( а и совмещены с электродами ПЗС ( б. распределение поверхностного потенциала вдоль канала при встроенном в диэлектрик. [30] |
Страницы: 1 2 3