Инжекция - заряд
Cтраница 3
Запоминающее устройство с произвольной выборкой по считыванию на ПЗС позволяет считывать информацию из произвольной ячейки матрицы на ПЗС. В его основе лежит матрица ПЗС с дополнительной системой электродов, обеспечивающих произвольную выборку. Как известно, произвольная выборка возможна и в приборах с инжекцией заряда, но зарядовое считывание в матрицах большого объема дает очень слабые выходные сигналы, налагает жесткие требования на элементы, в особенности на усилители считывания. Более перспективным является использование токового считывания, когда заряд, хранимый элементом, модулирует протекающий в нем ток. В такой структуре элемент ПЗС фактически объединен с канальным транзистором. [31]
Одновременно с накоплением в пленке SiO2 положительного заряда начинает возрастать плотность поверхностных состояний. Многочисленные исследования данного явления показали, что увеличение плотности поверхностных состояний и генерация положительного заряда тесно взаимосвязаны. Фишетти также предполагается, что ответственным за оба процесса зарядовой деградации являются одни и те же структурные нарушения в пленке двуокиси кремния у границы Si - SiO2, что происходит, в основном, под влиянием электронных процессов, которые стимулируются действием электрического поля, вызывающего инжекцию заряда в диэлектрик. [32]
 |
Запоминающая матрица ППЗУ ( о и структура ЗЭ ППЗУ с. [33] |
Здесь как управляющий /, так и плавающий 2 затворы изготовлены методом поликремниевой технологии. На плавающем затворе имеется ступенька-переход к области более тонкого затворного окисла, расположенного над диффузионной областью р - типа. В этой области происходит инжекция зарядов в плавающий затвор, которая и является основным механизмом запоминания информации. [34]
Поэтому электроны группируются в потенциальной яме, а градиент потенциала препятствует их растеканию. При повышении напряжения ф3 с последующим понижением напряжения ф2 захваченные электроны перемещаются под третий электрод каждого элемента. Этот механизм передачи заряда также показан на рис. 7.22. Аналогичным образом электроны можно передать под первый, а затем и средний электрод следующего элемента; на этом цикл сдвига завершается. Информация записывается в первый элемент с помощью схемы инжекции заряда и считывается из последнего элемента схемой детектирования уровня заряда. [35]
Состояния, возникающие в результате ограничения решетки поверхностью, делятся на собственные и несобственные в зависимости от того, появляются они на атомно-чистой или на загрязненной поверхности. Если на поверхности имеются ловушки, то из-за обмена зарядами между объемом и поверхностью создается слой поверхностного пространственного заряда. Результатом такого перераспределения зарядов является изгибание зоны у поверхности. Если не принять строжайших мер для обеспечения чистоты поверхности, различные поверхностные явления, обусловленные главным образом слоем поверхностного заряда, будут оказывать сильное влияние на эффективность инжекции зарядов, наблюдаемой у большинства органических диэлектриков ( см. разд. Эти явления несомненно являются причиной расхождений в результатах измерений контактных потенциалов ( см. разд. [36]
Один из них заключается в накоплении заряда в потенциальной яме входного прибора за счет процессов термогенерации. Однако при этом быстродействие оказывается достаточно низким, так как время накопления заряда составляет десятки микросекунд. Другой способ, при котором скорость записи достигает единиц наносекунд, основан на инжекции дырок из р-области. При третьем способе происходит накопление заряда неосновных носителей под воздействием светового импульса. Считывание может осуществляться путем инжекции заряда в подложку и регистрации тока подложки, а также путем использования плавающего затвора, потенциал которого изменяется в зависимости от значения заряда. [37]
Один из них заключается в накоплении заряда в потенциальной яме входного прибора за счет процессов термогенерации. Однако при этом быстродействие оказывается достаточно низким, так как время накопления заряда составляет десятки микросекунд. Другой способ, при котором скорость записи достигает единиц наносекунд, основан на инжекции дырок из р-области. При третьем способе происходит накопление заряда неосновных носителей под воздействием светового импульса. Считывание может осуществляться путем инжекции заряда в подложку и регистрации тока подложки, а также путем использования плавающего затвора, потенциал которого изменяется в зависимости от величины заряда. [38]
Микросхемы ЗУПВ выполняются обычно полупроводниковыми. Некоторые разновидности ЗУПВ используют конденсаторные ячейки, информация в которые записывается путем заряда конденсаторов. Запоминающие устройства с произвольной выборкой допускают в произвольный момент времени как запись, так и считывание информации. Информация хранится в таком ЗУ до тех пор, пока оно подключено к источнику питания, отключение которого приводит к потере содержимого ячеек. В ПЗУ и ППЗУ возможно в процессе счета только считывание информации. Запись в ПЗУ допускается только однократная и выполняется обычно в процессе изготовления, например путем пережигания соответствующих связей в диодной матрице. В отличие от ПЗУ перепрограммируемые ЗУ допускают несколько циклов перезаписи информации с использованием специального оборудования, например обработкой ППЗУ электромагнитным излучением для инжекции зарядов в окисную ловушку над входной областью МОП-транзисторов, образующих матрицу. По сравнению с ЗУПВ постоянные и перепрограммируемые ЗУ имеют то преимущество, что записанная в них информация не теряется при потере питания. [39]
Если во входном сигнале присутствуют спектральные компоненты, расположенные вблизи частоты тактового колебания, то они будут накладываться на полосу пропускания. Сформулируем это более корректно, а именно: любые спектральные компоненты входного сигнала, которые отстоят по частоте от тактового сигнала на величину, соответствующую частотам полосы пропускания, будут присутствовать ( неподавленными. Таким образом следует твердо уяснить, что во входном сигнале не должно быть спектральных составляющих вблизи частоты тактового колебания. Если же этого невозможно избежать, то можно как обычно использовать простой ЯС-фильтр ( предфильтр), поскольку частота тактового сигнала отстоит, как правило, довольно далеко от полосы пропускания. Третье нежелательное свойство, присущее фильтрам на переключаемых конденсаторах, связано с типичным снижением динамического диапазона сигнала ( возрастание уровня шума), вследствие неполного гашения инжекции заряда МОП-ключа ( см. разд. [40]
Этот монослой значительно повышает эффективность инжекции зарядов в антрацен. Относительно этих двух значений эффективности инжекции следует сделать два важных замечания. Во-первых, эффективность весьма высока, в два раза выше, чем в системе гексацианферрата. Это свидетельствует о том, что после инжекции дырок из редоксной пары в кристалл, еще перед тем как дырка успевает отойти от поверхности раздела между кристаллом и раствором, некоторые дырки рекомбинируют с водой или реагируют с антраценом. Высокая эффективность инжекции означает, что существует интенсивный обмен электронами между адсорбированным восстановленным слоем и окисляющими молекулами в растворе. При этом перенос энергии к восстановленному слою должен реализоваться на расстояниях, превышающих расстояние между двумя соседними молекулами, ибо в последнем случае максимальная эффективность инжекции не может превышать 50 %, поскольку в среднем половина экситонов движется прочь от инжектирующего электрода и за время своей жизни больше вообще не контактирует с передней поверхностью кристалла. Качественно такой дальний перенос к электролиту похож на аналогичное явление у металлического электрода ( см. разд. Если экситонам не приходится возвращаться к передней поверхности, то ббльшая доля этих экситонов может участвовать в инжекции зарядов. [41]
Движение электрона в атоме подчиняется вероятностным законам. Правильно, атомная единица массы умножается на атомное число. Электромагнитное поле проявляет и корпускулярные свойства. Правильно, длина волны де Бройля тем меньше, чем больше масса тела. Это условие могло бы быть применено для любой орбиты. Скорость электрона на разрешенной орбите не меняется. Электрический заряд электрона постоянен на всех уровнях. Правильно, электрон взаимодействует с большим количеством атомов. Учтите, что все энергетические подуровни в этом случае заняты. Электрон в зоне проводимости и дырка образуют пару носителей. Узкая запрещенная зона сравнительно легко преодолевается, и такой кристалл не может быть изолятором. Правильно, большое количество электронов преодолевает запрещенную зону. Дефекты облегчают образование пар свободных носителей заряда. Правильно, то и другое влияет на ширину запрещенной зоны. Эта энергетическая зона размещается вблизи валентной. Электроны образуются в примесной зоне. Вспомните, какая примесь донорная, какая - акцепторная. Правильно, чем больше концентрация примеси, тем больше ионов. Правильно, тепловой пробой разрушает кристалл. Основные носители движутся вследствие диффузии. Конструкция плоскостных диодов тоже достаточно проста. Для выпрямления промышленных токов применяют и другие устройства. Но, конечно, не в режиме теплового пробоя. Правильно, эти диоды имеют участок отрицательного сопротивления. Правильно, именно в этом случае ток зависит от инжекции зарядов. Этот коэффициент зависит от толщины базы и от концентрации носителей заряда. На эмиттере транзистора типа р-п - р должен быть плюс. [42]
Страницы: 1 2 3