Инжекция - носитель - ток
Cтраница 1
 |
Принципиальная схема энергетич уровней рубипа Стрелками вверх указано поглощение энергии накачки ЙУ31, стрелками вниз - безызлучат переходы Двойная линия лазерный переход на частоте у2. [1] |
Инжекция носителей тока через / - н-переход-осн. [2]
Он заключается в инжекции носителей тока при помощи тонкой полоски света, падающей на плоскую поверхность образца, и в измерении зависимости коллекторного тока точечного контакта от расстояния до световой полоски ( фиг. [3]
 |
Энергетическая диаграмма фотоэлемента с р-тг-переходом Существует также диффузионная фотоэдс, обусловленная про. [4] |
На основе явления инжекции носителей тока строятся транзисторы. На рис. 3.10 а приведена схема транзистора типа п-р - п, в котором левую n - область называют эмиттером, - область - базой, правую п-область - коллектором. Толщина базы а должна быть меньше диффузионной длины неосновных носителей тока. К эмиттерному переходу внешнее напряжение приложено в прямом направлении. К коллекторному переходу напряжение приложено в противоположном направлении, работая как запирающее. В эмиттере создается ток основных носителей, которые в р - n - переходе инжектируются в базовую область, где становятся неосновными носителями и диффундируют к коллектору. В коллекторе они становятся основными носителями и увеличивают ток. [5]
В открытом состоянии происходит инжекция носителей тока в базу диода, и ее сопротивление падает. [6]
Подробное изучение эффекта усиления и контролируемой инжекции носителей тока в полупроводниках, проведенное Шокли, Пирсоном и Хайнсом [22], положило начало большой серии работ по исследованию свойств германия, а несколько позже также и кремния; в настоящее время транзисторы уже могут заменить большую часть огромного числа вакуумных электронных ламп, используемых в электронной промышленности, не говоря о том, что они, несомненно, будут играть главную роль в будущем развитии электроники. [7]
 |
Лазер на рубине. а - схема уровней Сг3. б - рубиновый стержень. в - схема генератора.| Схема подсветки через торец. [8] |
Инверсия населенности создается здесь за счет инжекции носителей тока через р - re - переход. [9]
Образование дефектов в кристалле связано с инжекцией носителей тока из электродов, осложненной специфическими при-электродными эффектами. [10]
Можно предполагать, что условия, обеспечивающие интенсивную инжекцию носителей тока из электрода в диэлектрик, должны создаваться за счет изменений в слое диэлектрика, непосредственно прилегающем к электроду. Тогда удаление этого слоя должно казалось бы затормозить развитие процесса старения, пока вновь не будут созданы условия, необходимые для инжекции. [11]
Гипотеза об электрическом старении ( электролитическом окрашивании) кристалла с учетом инжекции носителей тока должна объяснить наличие первого этапа в зависимости тока от времени, а также процесс регенерации в поле обратной полярности. Наличие первого этапа, характеризуемого постоянным значением тока и отсутствием заметного окрашивания указывает на то, что в начальный момент времени на катоде еще не созданы условия, обеспечивающие достаточно интенсивную инжекцию электронов в кристалл. Экспериментальные данные показывают, что продолжительность первого этапа определяется величиной ионного тока в кристалле. По-видимому, создание условий для инжекции электронов из катода также обеспечивается ионными процессами, как и компенсация электронного объемного заряда. [12]
Такой результат можно объяснить тем, что старение керамики ВаТЮ3 связано с инжекцией положительно заряженных носителей тока со стороны анода. [13]
Процесс образования повышенной концентрации неосновных носителей за счет продвижения их через электронно-дырочный переход называют инжекцией носителей тока. [14]
Для кристаллов TiO2, BaTiO3, SrTiO3, а также для титаносодержащих керамических диэлектриков пока еще трудно сформулировать гипотезу об электрическом старении с учетом инжекции носителей тока из электродов в диэлектрик, как это сделано в случае щелочно-галоидных кристаллов. Во-первых, свойства кристаллов ТЮ2, ВаТЮ3, SrTiOj, изучены несравненно слабее, чем щелочно-галоидных. Во-вторых, эти кристаллы менее прозрачны, чем щелочно-галоидные, а титаносодержащие керамики и вовсе не прозрачны. Наконец, в-третьих, ионная электропроводность у этих кристаллов практически не обнаруживается. Учитывая эти обстоятельства, были проведены специальные исследования для оценки роли инжекции и других приэлектродных явлений в процессе электрического старения титаносодержащих диэлектриков. Описанию результатов этих исследований посвящен данный параграф. [15]
Страницы: 1 2