Инжекция - носитель - ток
Cтраница 2
Наличие первого этапа на кривой зависимости тока от времени и явление регенерации в поле обратной полярности можно объяснить только при условии, что с течением времени на одном из электродов развиваются процессы, обеспечивающие увеличение уровня инжекции носителей тока в диэлектрик. Таким образом, уже отсюда видно, что гипотеза об инжекции носителей тока из электродов в кристалл в процессе его старения достаточно сложна и включает в себя предположения о ряде явлений одновременно протекающих в кристалле и на границах с электродами. Тем не менее, эта гипотеза пользуется большим вниманием и усиленно разрабатывается как с теоретических, так и с экспериментальных позиций. [16]
Из приведенных данных следует, что изменения, происходящие в тонком прианодном слое ( 15 мкм) на втором этапе старения и в обоих приэлектродных слоях на третьем этапе играют весьма важную роль в процессе старения керамических образцов ВаТЮ3 и, вероятно, создают условия для инжекции носителей тока с электродов в керамику. Вместе с тем очевидно, что изменения, происходящие в объеме керамики, также играют существенную роль в развитии старения. На это указывает, в частности, тот экспериментальный факт, что после удаления обоих приэлектродных слоев образца, состаренного до третьего этапа, при возобновлении старения значение тока, проходящего через образец, оказывается заметно больше, чем в течение первого этапа при первом старении. [17]
К каждой области присоединяется свой металлический электрод: эм иттер ( е) - к левой - области, коллектор ( с) - к правой - области и база ( Ь) - к средней / - области. Разработанная технология изготовления электродов обеспечивает отсутствие инжекции носителей тока в полупроводник. [18]
Наконец, третья гипотеза может успешно применяться при объяснении электрического старения щелочно-галоидных кристаллов. Кроме того, аналогичные предположения о роли инжекции носителей тока, об образовании / - центров в результате захвата электронов анионными вакансиями высказываются и в применении к титаносодержащим диэлектрикам. При анализе этой гипотезы необходимо учитывать, что простое увеличение концентрации F-центров за счет захвата электронов анионными вакансиями ограничено возникающим при этом объемным зарядом. Поэтому существенное возрастание концентрации Р - центров возможно только в случае, когда существует процесс, компенсирующий этот объемный заряд. [19]
При напряжении t / min, соответствующем минимальному току / min, туннельный эффект прекращается. В дальнейшем с ростом1 приложенного напряжения начинает появляться инжекция носителей тока через прямо смещенный р-п-переход. С увеличением напряжения потенциальный барьер р-га-перехода снижается и увеличивается прямой диффузионный ток, экспоненциально зависящий-от приложенного напряжения. [20]
В этом случае ток течет из электрода в образец, так что как /, так и Ар отрицательны. Сразу видно, что этот процесс существенно отличается от инжекции носителей тока, поскольку в данном случае накладывается дополнительное ограничение Др р, которого раньше не было. Наибольший дырочный ток, который может возникнуть вследствие диффузии, равен ep0Dh / Lp. Ясно, однако, что в случае контактов с коэффициентом Y близким к единице, можно получить заметное уменьшение числа дырок. [21]
Наличие первого этапа на кривой зависимости тока от времени и явление регенерации в поле обратной полярности можно объяснить только при условии, что с течением времени на одном из электродов развиваются процессы, обеспечивающие увеличение уровня инжекции носителей тока в диэлектрик. Таким образом, уже отсюда видно, что гипотеза об инжекции носителей тока из электродов в кристалл в процессе его старения достаточно сложна и включает в себя предположения о ряде явлений одновременно протекающих в кристалле и на границах с электродами. Тем не менее, эта гипотеза пользуется большим вниманием и усиленно разрабатывается как с теоретических, так и с экспериментальных позиций. [22]
 |
Точечный контакт в виде полусферы радиуса а.| Различные формы р-слоя после электрической формовки. [23] |
Сопротивление перехода в прямом направлении определяется в основном этим сопротивлением. Если диффузионная длина полупроводника сравнима с толщиной пластинки, то действительное сопротивление будет несколько меньше вследствие уменьшения р за счет инжекции носителей тока. [24]
Мопи [3] другим методом, основанным на предположении, что инжектированные дырки рскомбшшруют с временем жизни т, и что образец достаточно длинен, чтобы эта рекомбинация могла произойти. Для вывода ( 17) названные предположения не нужны. Поэтому наше соотношение, приводя для длинных образцов к тем же результатам, что и формула Мэни для стационарного случая, применимо также к коротким образцам. Инжекция носителей тока через точечные контакты и р - и-пероходы широко обсуждалась в литературе. [25]
В арсениде галлия велика вероятность излучательной рекомбинации, поэтому ее необходимо учитывать при рассмотрении процессов в диодах на полуизолирующем GaAs. В [26] была предложена модель, связывающая появление ОС с поглощением рекомбинационного излучения. При инжекции носителей тока около р - i-перехода ( р - i - / г-диод) возникает рекомбина-ционпое излучение, которое поглощается в базовой области и увеличивает концентрацию неравновесных носителей тока вдали от р - i-перехода. ОС будет возникать, если эффективность этого процесса с ростом тока увеличивается. [26]
Страницы: 1 2