Односторонняя инжекция
Cтраница 1
 |
Температур - ная зависимость. [1] |
Односторонняя инжекция, характерная для гетеропереходов, ведет к тому, что все избыточные носители заряда сосредоточиваются в активной средней области, их проникновение в эмиттер ничтожно мало. [2]
Односторонняя инжекция, характерная для гетеропереходов, ведет к тому, что все избыточные носители зарядов сосредоточиваются в активной средней области, их проникновение в эмиттер ничтожно мало. [3]
Односторонняя инжекция возникает, если высота потенциального барьера на одном контакте значительно отличается от высоты потенциального барьера на другом контакте. При этом вольт-амперная характеристика имеет квадратичный характер, однако форма кривой зависит от концентрации ловушек и их природы. [4]
 |
Спектральные характеристики базы и эмиттера гетероструктуры. [5] |
Важно подчеркнуть, что односторонняя инжекция не связана со степенью легирования эмиттерной и базовой областей, как это имеет место в обычном ( гомогенном) переходе. В результате она сохраняется до значительных плотностей тока, и появляется возможность изменения степени легирования областей гетероструктуры без ухудшения инжекции р-п перехода. [6]
Таким образом, гетеропереход позволяет осуществлять практически одностороннюю инжекцию носителей заряда. Существенно отметить, что односторонняя ин-жекция сохраняется и при увеличении тока через гетеропереход, тогда как в гомопереходе она нарушается. [7]
Рассмотрим прохождение тока через диэлектрическую пленку для односторонней инжекции. [8]
Одинарная гетероструктура на основе тройного соединения GaAlAs обеспечивает одностороннюю инжекцию дырок в базу и эффективную люминесценцию. Это следствие того, что область безызлучательной рекомбинации ( дефекты на границе подложка - база) удалена от активной области. Вывод излучения проходит с минимальным поглощением. [9]
 |
Энергетическая диаграмма излучающей одинарной гетероструктуры.| Энергетическая диаграмма двойной гетероструктуры. [10] |
Избыточная концентрация носителей в активной ( излучающей) области и односторонняя инжекция резко повышают внутренний квантовый выход гетероструктуры, а также ее быстродействие. [11]
Энергетические диаграммы гетерострук-тур характеризуются различными потенциальными барьерами для встречных потоков и электронов, что вызывает одностороннюю инжекцию носителей заряда из широкозонного эмиттера в узкозонную базу. [12]
 |
Электрическая ( а и оптическая ( б модели светодиода. [13] |
Одновременно возникает дырочная составляющая тока / р, обусловленная инжекцией дырок в л-область и отражающая тот факт, что р-л-переходов с односторонней инжекцией не бывает. [14]
 |
Спектральные характеристики инжекцион-ных диодов.| Конструкции излучающей ЧЕСТИ инжекци-онных диодов.| Внешний вид.| Технические данные некоторых светоизлучающих диодов ( ]. [15] |
Страницы: 1 2