Односторонняя инжекция
Cтраница 2
Основными достоинствами гетероструктур являются, во-первых, возможность регулирования ширины запрещенной зоны, что позволяет точно согласовать максимум спектра излучения с максимумом спектральной чувствительности фотоприемника; во-вторых, односторонняя инжекция носителей из области с большей шириной запрещенной зоны, что определяет высокий внешний квантовый выход гетеродиодов. [16]
Большая высота барьера гетеропереходов л-п, р-р - типа позволяет улучшить параметры излучающих опто-электронных приборов. Свойство односторонней инжекции в p - n - гетеропереходах с сильнолегированной базой может быть использовано в биполярных транзисторах. Гетеропереходы между полупроводниками одного типа проводимости применяются для создания полевых сверхвысокочастотных транзисторов и сверхскоростных цифровых интегральных схем. [17]
Из (2.7), (2.8) и (1.3) следует Дрп / Дирр 0 / пРо ppo / nno - Na / Ng. Таким образом, для несимметричного перехода характерна односторонняя инжекция из эмиттера в базу. Коэффициентом инжекции называют отношение тока носителей, инжектированных в базу, к полному току. [18]
 |
Минимумы волы вроиог димости GaAs1 jJPir для нрявдор ( Г, кривая 1 и непрямого ( iti кривая S переходов в зависимости от состава твердого раствора. [19] |
Вследствие разрывов в валентной зоне и зоне проводимости гетероперехода при смещении перехода в прямом направлении наблюдается односторонняя инжекция носителей заряда из широкозонного материала в узкозонный практически независимо от уровня легирования п - и р-областей. В двойных гетероструктурах ( ДГ) вследствие аффекта электронного ограничения ( см. Гетероструктура) повышается концевтрация носителей в активной области структуры. [20]
 |
Обратное включение еимметрич - ЖСНИЯ Д ( р фк - f - КцОр. Дырки. [21] |
Из р - в n - область инжектируются дырки, а из п-в р-область - электроны. Если одна из областей полупроводника сильнее легирована примесями, чем другая, то в таком несимметричном переходе наблюдается практически односторонняя инжекция носителей заряда. [22]
Оба этих эффекта могут быть устранены в конструкции транзистора с гетеропереходом в качестве эмиттера. Один из вариантов энергетической диаграммы такой структуры показан на рис. 3.4. Вследствие того, что в качестве эмиттера используется материал с большей шириной запрещенной зоны, чем базы, потенциальный барьер для дырок значительно больше, чем для электронов. Это позволяет осуществлять практически одностороннюю инжекцию электронов в базу ( § 1.10) при любых токах эмиттера. Следовательно, у при больших / э не уменьшается. [23]
Большинство транзисторов, в том числе и эпитаксиально-планарные ( см. рис. 4.4), несимметричны: а / а. Это неравенство объясняется несколькими причинами. Концентрация доноров в коллекторе мала ( WgK C NaK C NR3), поэтому коллекторный р-л-псреход в отличие от эмиттерного не обладает свойством односторонней инжекции и YK Y3 - Далее, поле в базе для электронов, движущихся от коллектора к эмиттеру, является тормозящим, что уменьшает ХБ. [24]
Страницы: 1 2