Вплавление - алюминий - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Христос Воскрес! А мы остались... Законы Мерфи (еще...)

Вплавление - алюминий

Cтраница 1


1 Структура существенно сужена область объемного за-р-я-перехода диода ряда. Это сужение вызывается рядом фак-с контролируемым ла - торов ( например, структурными нарушения-винообразованием. ми различного рода загрязнениями поверх-7 т л. аая б. асть ности и т. п. и может быть весьма значи. [1]

Вплавление алюминия производят в вакууме или в атмосфере очищенного водорода при температурах 650 - 800 С. Диаметр кремниевого диска определяют, исходя из плотности прямого тока в переходе 10е а / м2, а толщину выбирают равной 0 4 - 0 6 мм.  [2]

Силыюлегированные области изготавливались вплавлением алюминия для получения р - области и вплавлением сплава золото-мышьяк для получения п - области.  [3]

4 Вольт-амперная характеристика плоскостного вентиля. [4]

Выпрямительные кремниевые диоды изготовляются вплавлением алюминия в кремний n - типа.  [5]

Кремниевые плоскостные диоды получаются путем вплавления алюминия в кристалл кремния. Кремниевые и германиевые диоды оформляются в металлическом сварном корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.  [6]

7 Габаритные чертежи диодов. [7]

Кремниевые диоды изготовляют на основе вплавления алюминия в кристалл кремния с n - проводимостъю ( или вплавления сплава олова с фосфором или золота с сурьмой в кристалл кремния с р-проводимостью), в результате чего также образуется переход.  [8]

Электронно-дырочные переходы на кремнии осуществляются вплавлением алюминия в кристалл кремния с электронной электропроводностью или вплавлением сплава олова с фосфором либо золота с сурьмой в кристалл кремния с дырочной электропроводностью. Переходы могут быть получены также путем диффузии фосфора с одной стороны кристалла кремния р-типа либо путем диффузии бора в кристалл n - типа. Для маломощных кремниевых плоскостных диодов наибольшее распространение получил первый из перечисленных методов.  [9]

10 Структура существенно сужена область объемного за-р-я-перехода диода ряда. Это сужение вызывается рядом фак-с контролируемым ла - торов ( например, структурными нарушения-винообразованием. ми различного рода загрязнениями поверх-7 т л. аая б. асть ности и т. п. и может быть весьма значи. [10]

Электронно-дырочные переходы кремниевых плоскостных диодов изготовляют вплавлением алюминия в кристалл кремния п-ти-па или вплавлением сплава олова с фосфором либо золота с сурьмой в кристалл кремния р-типа. Переходы получают также путем диффузии фосфора в кристалл кремния р-типа либо путем диффузии бора в кристалл n - типа. Для маломощных кремниевых плоскостных диодов наибольшее распространение получил первый из перечисленных методов.  [11]

Покрытию стеклом подвергались р - re - переходы, полученные вплавлением алюминия в n - кремний с удельным сопротивлением 10 - 15 ом-см. Одним из токосъемных выводов служил вплавленный алюминиевый столбик.  [12]

13 Плоскостные вентили. слева - германиевые. справа - кремниевые ( 1 - кристалл кремния, г - припаянный к кремнию кусочек алюминия.| Силовой германиевый вентиль ВГ-100. 1 - наконечник. 2-стержень. 3 - крышка. i. [13]

Плоскостные кремниевые вентили по конструкции аналогичны германиевым, р-га-переход создается при вплавлении алюминия в кремний с проводимостью re - типа. Плоскостные вентили выпускаются с амплитудой обратного напряжения 100 - 600 в, на ср.  [14]

15 Зависимость напряжения включения от температуры для переключающих приборов, изготовленных из германия с удельным сопротивлением 1 8 ом-см ( О и 4 5 ом-см (. Диаметр перехода 2 мм. [15]



Страницы:      1    2    3