Вплавление - алюминий
Cтраница 2
Величина тока включения прибора зависит от многих технологических факторов, таких как продолжительность процесса диффузии, концентрация мышьяка на поверхности пластинки, глубина вплавления алюминия, толщина обеих центральных областей прибора, значение времени существования неосновных носителей. Однако при заданных размерах прибора технологический процесс может быть построен таким образом, чтобы величина тока включения находилась в определенном диапазоне - Способы регулирования величины тока включения были найдены экспериментально. [16]
Они изготовляются вплавлением алюминия в кремний n - типа, а также сплава олова с фосфором или золота с сурьмой в кремний р-типа. Применяется и диффузионный метод. По сравнению с германиевыми кремниевые диоды имеют ряд преимуществ. Предельная плотность прямого тока у них до 200 А / см2, а предельное обратное напряжение может быть до 1000 В. Обратный ток у кремниевых диодов значительно меньше, чем у германиевых. [17]
Конструкция маломощного сплавного кремниевого диода показана на рис. 6.1, а. Электронно-дырочный переход образуется вплавлением алюминия в кремний. Пластинка кремния с р-п переходом припаивается к кристаллодержателю, являющемуся одновременно основанием корпуса диода. К кристаллодержателю приваривается корпус со стеклянным изолятором, через который проходит вывод алюминиевого электрода. [18]
 |
Условные графические обозначения полупроводниковых диодов. [19] |
Конструкция маломощного сплавного кремниевого диода показана на рис. 11 - 2, а. Электронно-дырочный переход образуется вплавлением алюминия в кремний. Пластинка кремния с р - - переходом 6 припаивается к кристаллодержателю 2, являющемуся одновременно основанием корпуса диода. [20]
Для изготовления сплавных диодов, помимо германия, применяется кремний. Если за основу взят кремний с электронной проводимостью, то электронно-дырочный переход создается путем вплавления алюминия. Если за основу берется кремний с дырочной проводимостью, то наплавляется сплав олова с фосфором либо сплав золота с сурьмой. [22]
Для получения сплавных р - п переходов на кремнии п-типа применяют обычно чистый алюминий, так как сплав S1 - А1 имеет невысокую температуру эвтектики ( 577 С), хорошо смачивает поверхность кремния, хорошо растворяется в кремнии, довольно устойчив к кислотам и имеет высокую тепло - и электропроводность. Однако использование чистого алюминия имеет и ряд отрицательных сторон: эвтектика, образующаяся при вплавлении алюминия в кремний, довольно хрупка, разница в коэффициентах термического расширения Al - Si значительна, что приводит к большим механическим напряжениям в кристалле и даже к образованию трещин. Вызывает трудности обеспечение надежного присоединения токоподводящего вывода. [23]
 |
Бескорпусный p - i - n диод в полосковой линии. [24] |
В качестве материала для получения p - i - n структур в настоящее время используется кремний. Для создания р - и - областей применяется один из следующих методов: эпитаксиальное наращивание, вплавление алюминия или золота с легирующей примесью, диффузия примесей. Часто используется комбинация указанных методов. [25]
Разнообразные типы кремниевых выпрямительных плоскостных диодов с технологической точки зрения являются либо сплавными, либо диффузионными. Сплавные р-л-переходы кремниевых диодов формируют в монокристаллических пластинках кремния с электропроводностью n - типа вплавлением алюминия; в пластинках кремния с электропроводностью р-типа - вплавлением сплава олова с фосфором или золота с сурьмой. Диффузионные р-л-переходы формируют диффузией алюминия или бора в пластинки кремния с электропроводностью / г-типа и диффузией фосфора в пластинки кремния с электропроводностью р-типа. Относительно небольшие по площади р-п-переходы кремниевых диодов малой мощности создают обычно методом вплавления. [26]
 |
Схема стабилизатора постоянного напряжения. [27] |
Пробивное напряжение прибора зависит от величины его удельного сопротивления, поэтому каждому данному напряжению стабилизации соответствует строго определенная величина удельного сопротивления. На рис. 30 приведен график зависимости пробивного напряжения, а следовательно, напряжения стабилизации для кремния л-типа от удельного сопротивления. Оно измерено при токе б ма для электронно-дырочных переходов площадью 0 15 мм, полученных методом вплавления алюминия. [28]
 |
Структура лавинного диода, p - n - переход которого сформирован диффузией бора в центральной части кристалла и диффузией алюминия в кольцевой части. [29] |
Большинство из разнообразных типов кремниевых выпрямительных плоскостных диодов с технологической точки зрения являются диффузионными. Электронно-дырочные переходы таких диодов формируют диффузией алюминия или бора в кристаллы кремния с электропроводностью - типа и диффузией фосфора в кристаллы кремния с электропроводностью р-типа. В выпрямительных диодах старых разработок для формирования р-п-переходов используют вплавление алюминия в кристаллы кремния с электропроводностью n - типа, а в кристаллы кремния р-типа - вплавление сплава олова с фосфором или золота с сурьмой. [30]
Страницы: 1 2 3