Когерентное вращение

Cтраница 1

Теория когерентного вращения в мокодоменных пленках Тонкая пленка, толщиной d и диаметром L, с хорошим приближением может быть аппроксимирована плоским сплющенным эллипсоидом вращения. Размагничивающие факторы для направлений, перпендикулярных к плоскости пленки, и в плоскости пленки, равны, соответственно N, 4 я и N, г 4 nd / d L, разд. Следовательно, вектор М лежит в плоскости пленки, так как если М по какой-либо причине выйдет из плоскости пленки, сильное размагничивающее поле будет стремиться возвратить ее обратно. Иначе говоря, пленка обладает анизотропией формы, причем трудная ось перпендикулярна плоскости пленки, а легкая лежит в плоскости пленки. Константа анизотропии Кд, характеризующая разность плотностей энергии двух магнитных состояний, равна 2лМ2 и для NiFe-пленок - порядка 106 эрг см-3. [1]

Показаны кривые для когерентного вращения, а также для модели вращения цепочки из сфер. Различные модели некогерентных изменений могут дать различные теоретические результаты, однако все типы некогерентного вращения ведут к уменьшению вращательного гистерезиса. [2]

Элемент на тонкой магнитной пленке. [3]

Практически перемагничивание пленок когерентным вращением осуществляется полями, параллельными плоскости пленки и направленными под углом к легкой оси. Пример элемента такой конструкции приведен на рис. 3 - 15, а, где направление Р - N соответствует направлению оси легкого намагничивания; проводник ( шина) / - разрядная шина, по которой подается записываемая информация ( О или 1); шина 2 - числовая шина, по которой подается управляющий сигнал на считывание или запись; шина 3 - выходная, с которой снимается считанная информация. [4]

Элемент на тонкой магнитной пленке. [5]

Практически перемагничивание пленок когерентным вращением осуществляется полями, параллельными плоскости пленки и направленными под углом к легкой оси. Пример элемента такой конструкции приведен на рис. 3 - 15, а, где направление Р - N соответствует направлению оси легкого намагничивания; проводник ( шина) / - разрядная шина, по которой подается записываемая информация ( нуль или единица); шина 2 - числовая шина, по которой подается управляющий сигнал на считывание или запись; шина 3 - выходная, с которой снимается считанная информация. [6]

Ни переключение осуществляется когерентным вращением вектора намагниченности. [7]

Экспериментальные МН-пет-ли гистерезиса для NiFe-пленки. Одно деление горизонтальной шкалы соответствует 1 Э. [8]

Рассмотренная в предыдущем пункте модель когерентного вращения является несовершенной, так как в реальных пленках имеется заметное отклонение от магнитного насыщения. Большая часть этого раздела посвящена обсуждению отклонений от поведения монодоменных пленок. [9]

В среднем это время соответствует перемагничиванию когерентным вращением - несколько наносекунд; перемагничиванию некогерентным вращением - примерно 0 1 - 0 01 мксек; перемагничиванию смещением границ - около 1 мксек. [10]

Перемагничивание в однодоменной частице не всегда подчиняется модели когерентного вращения. Позднее были предложены модели некогерентного вращения вектора намагниченности, энергетически несколько более выгодные, чем когерентное вращение ( фиг. [11]

Перемагничивание в однодоменной частице не всегда подчиняется модели когерентного вращения. Позднее-были предложены модели некогерентного вращения вектора намагниченности, энергетически несколько более выгодные, чем когерентное вращение ( фиг. [12]

Условия определения магнитных состояний одноосной. [13]

Для областей 4 и 5 характерно, соответственно, некогерентное и когерентное вращения векторов намагниченности. [14]

Траектория конца вектора полной намагниченности во время перемагнкчява-нкя для hjj - 1 92 и двух различных значений Л при Як 2 4 Э, lic - 1 0. [15]

Страницы: 1 2 3 4