Cтраница 4
![]() |
Схематическое изображение одноосно-анизотропной ферромагнитной пленки. [46] |
Следовательно, когда Н возрастает от нуля, ф0 увеличивается, пока Н не достигнет величины HKl после этого М становится параллельной Н и ее направление не меняется при дальнейшем увеличении Я. Как видно, поле анизотропии Нк ( - 3 Э) является минимальной величиной поля, которое необходимо приложить в направлении ТО, чтобы М повернулась от ЛО к ТО; это очень удобный параметр и его обычно используют вместо Ки для характеристики одноосной анизотропии. Вопрос о направлении М для произвольной величины Р рассмотрен в разд. Исследования динамики изменения направления М под действием приложенного внешнего поля показывают, что в полях величиной в несколько эрстед перемена знака М, направленной вдоль ЛО, просходит за время порядка 1 не. Теоретический анализ этого явления, имеющего большое значение при использовании ферромагнитных пленок в качестве элементов памяти, может быть проведен на основе уравнения Ландау - Лифшица [ уравнение ( 14) ] в приближении когерентного вращения. Дальнейшее обсуждение этого вопроса продолжено в разд. [47]
Так как реальные пленки обладают одноосной анизотропией, у них в отличие от обычных массивных образцов петля гистерезиса ( см. гл. VI) в легком направлении имеет высокую прямолинейность, что обусловливает два стабильных остаточных состояния. Петля гистерезиса пленок в трудном направлении в большинстве случаев имеет вид прямой линии, наклон которой равен PmIHk, где Рт - намагниченность, a Hk - поле анизотропии пленки. При квазистатическом перемагничивании изменение намагниченности в легком и трудном направлениях обусловлено двумя различными процессами. Перемагничивание в легком направлении происходит путем движения доменных стенок, а в трудном направлении - в основном путем когерентного вращения намагниченности. [48]