Время - диффузия - носитель
Cтраница 1
Время диффузии носителей к переходу, а также время дрейфа их в контактном поле определяют инерционные свойства приборов. [1]
Время задержки определяется временами диффузии носителей к центральному р - - переходу. С ростом интенсивности света время t3 уменьшается вследствие увеличения коэффициента диффузии. Для повышения фоточувствительности и уменьшения времени задержки целесообразно уменьшать толщины баз составляющих транзисторов. [2]
Частотные свойства транзистора определяются временем диффузии носителей через область базы ( та), барьерной ( Ск) и диффузионной ( Сэд) емкостями. [3]
В фотодиодном режиме параметр тпр определяет время диффузии носителей от зоны их генерации до р-п перехода. [4]
Таким образом, инерционность сплавных фотодиодов определяется временем диффузии носителей заряда через базу. [5]
Прибор работает нормально до тех пор, пока время диффузии носителей через базу меньше периода колебаний переменного сигнала. [6]
Величину тдф, имеющую смысл времени пролета сквозь базу, называют временем диффузии носителей заряда. [7]
В транзисторных генераторах метрового и дециметрового диапазонов волн период усиливаемых колебаний становится соизмеримым с временем диффузии носителей заряда в области базы транзистора, за счет чего импульсы коллекторного тока деформируются, а коэффициент усиления уменьшается. Расчет энергетических параметров генератора при этом усложняется, поскольку входящая в соотношения для токов, напряжений и мощностей прямая проводимость транзистора У21 становится комплексной величиной. [8]
При малых сопротивлениях нагрузки тяс 5 - 10 - 9 с и, следовательно, инерционность определяется: временем диффузии носителей через базу. [9]
Итак, в фотодиодном режиме Tnpa26 / 2Dp, где w § - толщина базы, Dp - коэффициент диффузии неосновных носителей, определяет время диффузии носителей от зоны их генерации до р-п перехода. [10]
 |
Расчет ВАХ фотодиода. а, б - исходные температурная и световая характеристики. в - ВАХ.| ВАХ фотомагнитодиода.| Оптопара с фотом агнитодиодом.| Структура p - i - n фотодиода. [11] |
Инерционность фотодиода обусловлена главным образом процессами, связанными с разделением полем р - n перехода пар электрон - дырка, возникающих при поглощении излучения. Если излучение поглощается в базе, инерционность ограничивается временем диффузии носителей от зоны их генерации до р - n перехода; при поглощении в обедненном слое фотодиода - временем их дрейфа через обедненный слой. Уменьшение толщины базы с целью сокращения времени пролета целесообразно до 10 мкм. При такой толщине базы в кремниевом фотодиоде оно составляет около 10 - с. Здесь излучение поглощается в i-области, являющейся областью пространственного заряда. Удельное сопротивление собственного кремния ( i-область) в 10е - 107 раз превышает сопротивление легированных областей п - и р-типа. Это обеспечивает высокую электрическую прочность i-области и возможность создавать в ней за счет внешнего смещения большие напряженности электрического поля, благодаря чему время пролета снижается до 10 - 9 с. Собственная емкость такого диода мала благодаря значительной толщине области пространственного заряда. [12]
В-третьих, характеристики транзистора ухудшаются при высоких частотах сигналов и предельная частота определяется в основном толщиной базы. Прибор может удовлетворительно работать только до тех пор, пока время диффузии носителей через базу меньше периода колебаний усиливаемого сигнала: если напряжение поменяет знак прежде, чем большинство эмитированных электронов пересечет базу, они уже не дадут вклада в ток цепи коллектора. [13]
 |
Схема триода с двухслойной базой. [14] |
В такой конструкции удачно разрешается задача одновременного снижения сопротивления базы и емкости коллектора. Одновременно до-стигается увеличение пробивного напряжения коллекторного перехода. Для получения малых значений времени диффузии носителей тока через базу приложенное к коллектору напряжение должно быть достаточно большим, чтобы область объемного заряда заняла почти весь слой с повышенным сопротивлением. [15]
Страницы: 1 2