Cтраница 2
Эмиттерный переход биполярного фототранзистора включен в прямом направлении. Постоянная времени заряда емкости эмиттерного перехода увеличивается с ослаблением интенсивности светового потока. При малых световых потоках она определяет в основном инерционность фототранзистора. При больших световых потоках на инерционность фототранзистора влияют время диффузии носителей в базе и емкость коллекторного перехода. Поэтому для фототранзистора выбирают материалы с высокой подвижностью носителей, используют структуру с внутренним электрическим полем в базе или с тонкой базой. Уменьшать емкость коллекторного перехода снижением концентрации примесей в области коллектора удается лишь до некоторого предела. Сокращать для этой цели площадь эквивалентного фотодиода нецелесообразно, так как при этом падает чувствительность фототранзистора. При тонкой базе ухудшается чувствительность фототранзистора на более длинных волнах излучения. Реальная постоянная времени фототранзистора на 2 - 3 порядка больше, чем фотодиода. Произведение М / гр фототранзистора соизмеримо с / гр эквивалентного фотодиода, образованного коллекторным р-п-пе-реходом. [16]