Время - запирание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Учти, знания половым путем не передаются. Законы Мерфи (еще...)

Время - запирание

Cтраница 2


Из описания работы этого формирователя импульсов следует, что его время восстановления равно времени запирания транзистора Ti. Такое малое время восстановления получено за счет осуществления большей части разряда конденсатора, запирания электронного ключа и заряда конденсатора во время формирования выходного импульса. Недостатком рассмотренного формирователя импульсов является задержка переднего фронта выходного импульса по отношению к запускающему импульсу.  [16]

Угол опережения р и в трехфазной схеме инвертора должен обеспечивать угол коммутации у и время запирания тиристора.  [17]

С уменьшением коэффициента р длительность вершины импульса ( определяемая временем рассасывания) и длительность среза импульса ( включающая в себя время запирания транзистора) уменьшаются.  [18]

Не без некоторой аналогии с газообразной плазмой Гликсман и Стиле [275 ] показали, что в плазмах, созданных за период времени запирания InSb, наблюдались явления захвата в магнитных полях ( см. пунктирные линии рис. 92) Эти микроплазмы, связанные с запиранием, можно сблизить с теми, которые ведут свое начало от сильного инжектирования носителей зарядов, начиная от перехода, поляризованного в прямом направлении; коммутация таких плазм из одной цепи в другую была выполнена в InSb.  [19]

20 Кривые прямого тока ( a, напряжения ( б и импульса управляющего тока ( е при включении тиристора или симистора. dildt - скорость нарастания прямого юка. ивм - прямое блокируемое напряжение перед включением. / ром - амплитуда импульса тока управления. ( я - длительность импульса управления. trl - время задержки. tT - время спада напряжении. / - время включения. [20]

Названные факторы влияют на параметры устройств защиты вентилей от импульсных периодических перенапряжений ( С-цепочки), обусловленных быстрыми изменениями обратного тока во время запирания и наличием индук-тивностей в цепи вентиля.  [21]

Гидравлические прессы работают на эмульсии или масле и обычно имеют комбинированную систему низкого и высокого давления от 2 до 4 МН / м2 во время запирания пресс-формы и от 10 до 55 МН / м2 в процессе прессования, что позволяет увеличить производительность пресса.  [22]

Длительность / проб, например при выключении тиристора по цепи управления, равна / упр - - / зап, где / зац - время запирания тиристора. Но Поскольку 4ап заметно уменьшается с увеличением амплитуды тока управления, то температуру перегрева с некоторым завышением можно вычислять по формуле (3.46), считая, что / проб / упробр. В этом случае необходимо считать, что / проб асд - Температура ТЛ ( / Пр0б) не должна превышать разности Тпрб - Ткорп.  [23]

У закрытых турбин, к которым вода подводится по длинным напорным трубам, условия регулирования значительно менее выгодны по следующим причинам: 1) в целях избежания слишком больших повышений давлений при запирании 1) необходимо увеличение времени запирания и 2) в связи с наступающим при запирании направляющего аппарата турбины значительным повышением давления наблюдается прежде всего нарастание мощности.  [24]

Резистор RI формирует импульс, ускоряющий запирание транзистора. Ом) время запирания транзистора составляет около 30 мкс, без него 60 мкс.  [25]

Когда тиристор открыт, падение напряжения между анодом и катодом мало и поэтому требуется ограничение тока в управляющей цепи. Максимальная частота переключений тиристора ограничивается временем запирания и потерями при переключениях.  [26]

Резистор R1 формирует импульс запирания, тем самым увеличивается скорость запирания транзистора. При наличии резистора R1 ( 27 Ом) время запирания транзистора составляет о коло 30 мкс, без него - 60 мкс. В контактно-транзисторной системе зажигания конденсатор параллельно контактам прерывателя не устанавливается, так как применение в схеме резистора R1 и трансформатора Тр обеспечивает необходимую скорость спадания первичного тока.  [27]

28 БО. Транзистор полупроводниковой ИС с изолирующим р-п переходом.| Эквивалентная схема МДП транзистора. [28]

При отсутствии отрицательного смещения на изолирующем переходе паразитный транзистор работает в режиме инверсной инжекции. Это вызывает увеличение заряда, накапливаемого коллектором, и увеличение времени запирания основного транзистора. При отрицательном смещении на изолирующем переходе время запирания основного транзистора уменьшается за счет коллектирования переходом коллектор - подложка части заряда, накопленного в коллекторной области.  [29]

В формулах (5.47) и (5.48) коэффициент а представляет собой отношение постоянных времени накопления в режиме насыщения и в активной области. Вследствие этого формулы (5.47) и (5.48) несколько занижают составляющую длительности, соответствующую времени запирания.  [30]



Страницы:      1    2    3    4