Cтраница 3
Период прямоугольного напряжения обратно пропорционален значению емкостей, однако он в значительной степени зависит также от напряжения питания. Применяя в цепях обратной связи разные емкости, можно получать различные соотношения между временем запирания и отпирания каждой из транзисторных схем. [31]
![]() |
Уменьшение токов утечек МДП-транзистора ( а и коммутационной помехи ( б в устройствах выборки - хранения. [32] |
Быстродействие УВХ определяется продолжительностью двух переходных процессов. Первый - время, необходимое для перехода из режима выборки к режиму хранения, - включает время запирания ключа и установления выходного напряжения. [33]
На рис. 11 изображена принципиальная схема строчной развертки телевизора. Диод Д8 и резистор R25 включенные параллельно базовой обмотке 1 - 2 трансформатора, ограничивают импульсы напряжения, возникающие в обмотке трансформатора во время запирания транзистора. Так как схема строчной развертки имеет малую полосу удержания, то блокинг-генератор должен обладать высокой стабильностью генерируемой частоты. Поэтому, чтобы последующие каскады строчной развертки оказывали небольшое влияние на работу генератора, его связь с предварительным каскадом усилителя строчной развертки делается слабой. Импульсы положительной полярности, снимаемые с обмотки 3 - 4 трансформатора Трц, через резистор Rul поступают на базу транзистора Т2 предварительного усилителя строчной развертки, собранного по схеме с общим эмиттером. [34]
Описываются три типа схем формирователей импульсов на туннельных диодах и транзисторах: формирователь коротких импульсов из импульсов большой длительности ( синусоидального напряжения), управляемый формирователь коротких импульсов и четыре схемы формирователей импульсов большой длительности с малым временем восстановления. Приводится схема электронного ключа на разно-полярных транзисторах и туннельных диодах, на основе которой построен формирователь импульсов большой длительности, время восстановления которого равно времени запирания транзистора. Рассматривается способ уменьшения времени восстановления вплоть до нуля за счет применения двух формирователей импульсов с конечным временем восстановления. [35]
Обмотка реле обесточена, пока уровень сигнала иа входе не достигнет поро-га срабатывания, и получает ток, значительно превышающий ток срабатывания реле, как только порог будет достигнут. Цепь R2J - Д6 предохраняет транзистор Т5 от перенапряжений, кото - рые могли бы возникнуть на коллекторном переходе при размы-кании цепи обмотки реле во время запирания транзистора. [36]
Если же участок мишени освещен ( серая или белая деталь), то, существенно меньше и разряд емкости С, значительный. На рис. 9.8, в показано изменение напряжения на емкости U Ci L / Bblx для случая последовательной передачи черной 12, серой 13 и белой 14 деталей изображения, уровень 11 устанавливается во время запирания трубки. [37]
Независимо от функций, выполняемых ИДК в системе защиты, длина плоскопараллельных участков электродов должна быть вполне определенной. В случае применения ИДК как ключа, через который осуществляется разряд конденсатора для принудительного запирания тиристоров преобразователя, эта длина должна быть такой, чтобы время пребывания короткой силовой дуги на электродах было не меньше времени запирания тиристоров. Максимум разрядного тока конденсатора должен наступать не позднее момента выхода дуги с плоскопараллельных участков. В противном случае из-за увеличения падения напряжения на дуге максимальный ток разряда конденсатора уменьшается и КПД дугового коммутатора снизится. [38]
На рис. 11 изображена принципиальная схема строчной развертки телевизора. Грубая установка частоты следования импульсов строчной развертки осуществляется потенциометром RU & а плавная - потенциометром Лц5 - ДИ Д Да и Ре зистор Л125, включенные параллельно базовой обмотке 1 - 2 трансформатора, ограничивают импульсы напряжения, возникающие в обмотке трансформатора во время запирания транзистора. Так как схема строчной развертки имеет малую полосу удержания, то блокинг-генератор должен обладать высокой стабильностью генерируемой частоты. Поэтому, чтобы последующие каскады строчной развертки оказывали небольшое влияние на работу генератора, его связь с предварительным каскадом усилителя строчной развертки делается слабой. Импульсы положительной полярности, снимаемые с обмотки 3 - 4 трансформатора Тр4, через резистор Лш поступают на базу транзистора Т2 предварительного усилителя строчной развертки, собранного по схеме с общим эмиттером. [39]
![]() |
Зависимость времени запирания от прямого напряжения на аноде для запираемых тиристоров типа КУ204. [40] |
ЬЦ в основном обусловлена тем, что с ростом прямого напряжения уменьшается ширина базовых слоев вследствие расширения области объемного заряда центрального перехода. Это вызывает незначительное изменение длительности задержки и времени установления. Время запирания tsan с увеличением напряжения t / пр растет ( рис. 4.16), так как вследствие уменьшения ширины базы п-типа увеличивается коэффициент усиления ар. [41]
При этом перезаряд конденсатора на интервале t - a - h носит колебательный характер. Ток ic представляет половину синусоиды той же частоты, что и при заряде конденсатора, и протекает по контуру Ск-VI - LK-V2. Теперь время запирания примерно равно полупериоду собственной частоты контура tB & tlln - / LKCV, а форма выходного напряжения преобразователя приближается к прямоугольной. [42]
Кривые спектрального распределения, изображенные на рис. 58, имеют характерные особенности, по-видимому, связанные с влиянием размагничивания. Кроме того, уровень шума уменьшается при увеличении числа дисков в наборе. Зависимость времени запирания 0 от размагничивающего фактора в этих экспериментах не проявилась - положение максимума и относительный спад спектральной плотности одинаков для всех кривых независимо от числа дисков в наборе. [43]
Проведенный анализ показывает, что необходимым условием, обеспечивающим надежный переброс схемы, является сохранение зарядов на ускоряющих емкостях за время действия запускающего импульса. Следовательно, входной сигнал необходимо ограничивать по длительности. Снизу длительность входного сигнала ограничивается временем запирания открытого транзистора. [44]
При отсутствии отрицательного смещения на изолирующем переходе паразитный транзистор работает в режиме инверсной инжекции. Это вызывает увеличение заряда, накапливаемого коллектором, и увеличение времени запирания основного транзистора. При отрицательном смещении на изолирующем переходе время запирания основного транзистора уменьшается за счет коллектирования переходом коллектор - подложка части заряда, накопленного в коллекторной области. [45]