Время - заряд - емкость
Cтраница 2
Частотные свойства МДП-транзисторов характеризуются главным образом постоянной времени заряда емкости, образующейся между затвором и объемом полупроводника, через сопротивление канала. [16]
Для уменьшения завала плоской части импульса постоянную времени заряда емкости Сс TC CCRC желательно иметь большой. При этом заряд конденсатора Сс происходит медленно и за время действия импульса напряжение на выходе уменьшается незначительно, что определяет также малую величину отрицательного выброса. [17]
Время установления процесса нелинейных колебаний определяется в основном постоянной времени заряда емкости Сф и составляет 20 - 40 периодов колебаний гетеродина, если Сф выбрана минимально необходимой для замыкания частоты гетеродина. [19]
После обратного переброса идет процесс восстановления схемн, определяемый временем заряда емкости С. [20]
Интервал t - / 2 - время задержки - определяется временем заряда емкости эмиттерного перехода и временем диффузионного перемещения в базе инжектированных носителей. [21]
Инерционность фртодиодов обусловлена рядом факторов, среди которых важную роль играют время заряда емкости перехода, а также время tD диффузии носителей к переходу и время др прохождения носителей через область объемного заряда в переходе. Если период Ты модулирующих световой поток колебаний сравним с суммарным временем tnv гдиф tD движения носителей, то процессы изменения тока в приборе как бы не успевают за быстрыми изменениями интенсивности светового потока. В результате с ростом частоты амплитуда переменной составляющей тока в нагрузке фотодиода уменьшается и увеличивается фазовый сдвиг между модулирующим световой поток колебанием и переменной составляющей тока в приборе. [22]
Предположим, что длительность фронта входного импульса велика по сравнению с постоянной времени заряда емкости перехода Сп. Такое соотношение обычно имеет место, так как величина гд1Сп чрезвычайно мала. Поэтому можно считать, что рабочая точка, отображающая состояние мультивибратора, движется во время действия фронта запускающего импульса тока от гд / л до / д / пик по статической вольт-амперной характеристике диода. [23]
Таким образом, длительность фронта напряжения, управляющего яркостью, определяется не только временем заряда емкостей, включен-4 ных параллельно сопротивлению нагрузки, но и задержками выходного тока транзистора. [24]
Плавное увеличение угла проводимости 9 тиристоров Tl, T2 осуществляется путем плавного изменения постоянной времени заряда емкости Ct узла формирования управляющих импульсов. [25]
 |
Диаграмма, поясняющая работу ограничителя пускового тока. [26] |
По мере заряда емкости С5 транзистор Т4 и соответственно ТЗ все в большей мере открываются и постоянная времени заряда емкости С5 уменьшается, так как зарядное сопротивление R2 шунтируется эмиттерно-кол-лекторным переходом транзистора ТЗ. Импульсы управления, поступающие на тиристоры с узла формирования, будут сдвинуты к фазе питающего напряжения на больший угол 9 по отношению тс моменту включения. Напряжение на нагрузке возрастает до значения, соответствующего углу проводимости 0 тиристоров Т1, Т 2 силового блока. [27]
Скорость его нарастания определяется постоянной времени, большей, чем т из выражения (2.12), так как во время заряда емкости Са конденсатор С заряжается ( что не учитывалось выражением 2.12) и выходное напряжение за счет этого возрастает медленнее. С С0), и на выходе формируется вершина импульса. [28]
Измерение С производится по шкале установкой Лх в положении С и переключением через 20 - 30 с ( время заряда емкости объекта) в положение Нам. [29]
Измеряемый ток выражается через приращение тока индикатора Д / а в а, емкость С - в ф, крутизна лампы S - в а / в, время заряда емкости t - в сек. [30]
Страницы: 1 2 3 4