Cтраница 4
Эмиттерный переход биполярного фототранзистора включен в прямом направлении. Постоянная времени заряда емкости эмиттерного перехода увеличивается с ослаблением интенсивности светового потока. При малых световых потоках она определяет в основном инерционность фототранзистора. При больших световых потоках на инерционность фототранзистора влияют время диффузии носителей в базе и емкость коллекторного перехода. Поэтому для фототранзистора выбирают материалы с высокой подвижностью носителей, используют структуру с внутренним электрическим полем в базе или с тонкой базой. Уменьшать емкость коллекторного перехода снижением концентрации примесей в области коллектора удается лишь до некоторого предела. Сокращать для этой цели площадь эквивалентного фотодиода нецелесообразно, так как при этом падает чувствительность фототранзистора. При тонкой базе ухудшается чувствительность фототранзистора на более длинных волнах излучения. Реальная постоянная времени фототранзистора на 2 - 3 порядка больше, чем фотодиода. Произведение М / гр фототранзистора соизмеримо с / гр эквивалентного фотодиода, образованного коллекторным р-п-пе-реходом. [46]
По мере заряда емкости Сс напряжение на выходе будет уменьшаться, что приводит к спаду вершины импульса. Поскольку постоянная времени заряда емкости Сс во много раз превышает постоянную времени заряда емкости С0, можно рассматривать эти процессы независимо друг от друга. [47]
Если применить не однополупериодный, а двухполу-периодный выпрямитель ( рис. 3.6, б), то за один период промышленной частоты средний ток / 0 удвоится. При этом удваивается и величина Л и в формулах, полученных для вышерассмотренного случая однополупериодного выпрямителя, T. Уменьшение вдвое постоянной времени заряда емкости кабеля соответственно ускоряет процесс прожигания. [48]
![]() |
Совместная работа релейной защиты и АПВ. а - поясняющая схема. б - диаграмма выдержек времени защит. [49] |
Устройства АПВ вводят в работу специальным переключателем при включенном положении выключателя линии. Готовность АПВ к действию наступает через 10 - 20 с после ввода его в работу. Это время определяется временем заряда емкости устройства, обеспечивающей однократность действия АПВ. [50]
Устройства АПВ вводятся в работу специальным переключателем при включенном положении выключателя линии. Готовность АПВ к действию наступает через 10 - 20 с после ввода его в работу. Это время определяется временем заряда емкости устройства, обеспечивающей однократность действия АПВ. [51]
![]() |
Совместная работа релейной защиты и АПВ. а - поясняющая схема. б - диаграмма выдержек времени защит. [52] |
Устройства АПВ вводят в работу специальным переключателем при включенном положении выключателя линии. Готовность АПВ к действию наступает через 10 - 20 с после ввода его в работу. Это время определяется временем заряда емкости устройства, обеспечивающей однократность действия АПВ. [53]
В реальной схеме за время заряда коллекторной и эмит-терной емкостей ток коллектора, вообще говоря, изменяется; поэтому при расчете t 3 нельзя считать, что на входе действует генератор тока. Как будет показано ниже, в схемах с непосредственной связью обратный ток базы / 62 будет порядка / кн, поэтому можно считать, что предыдущий транзистор выключается при больших токах. В этом случае фронт выключения транзистора определяется временем заряда нагрузочной емкости через сопротивление коллектора. [54]
Поэтому в режиме установки начальных условий выводы всех ключей S2 - 54 закорочены ключом VT8 на землю. Поскольку время установки коэффициентов передачи во много раз превышает время заряда емкости апериодического звена, указанный усилитель с достаточной степенью точности можно считать масштабным. [55]
![]() |
Индуктивная связь между элементами.| Емкостной характер связи между элементами. [56] |
Влияние емкости сигнальной связи аналогично влиянию индуктивности сигнальной связи. Если в выходном каскаде элементов используют эмиттерный повторитель или инвертор в режиме включения, то вых имеет величину порядка десятков ом. Когда транзистор выключается, выходное сопротивление становится равным коллекторному и время заряда емкости сигнальной связи определяется током, протекающим через это сопротивление. [57]