Cтраница 1
Пояснительная диаграмма к параметрам скорости переключения транзистора. [1] |
Время нарастания tr определяется нарастанием тока коллектора от 10 % до 90 % от своего номинального значения. [2]
Форма импульса. [3] |
Время нарастания - время, в течение которого импульс увеличивается от 10 % до 90 % уровня максимальной амплитуды. [4]
Время нарастания и спада в ряде случаев может различаться. [5]
Время нарастания является очень важным параметром в электронике и волоконной оптике, поскольку оно ограничивает скорость работы системы. Действительно, скорость, с которой импульс может быть включен и выключен, будет определять максимальную частоту возникновения импульсов. Наиболее простой путь увеличения скорости работы системы - уменьшение времени нарастания и спада импульса, ускоряя тем самым процесс включения и выключения импульсов. При этом через систему проходит большее количество импульсов в течение заданного интервала времени. Даже если амплитуда импульса и его ширина остаются без изменений, уменьшение времени нарастания приводит к увеличению скорости работы. Уменьшение времени нарастания и спада импульса позволяет уменьшить и ширину импульса, что приводит к еще большему увеличению скорости работы. Наоборот, при увеличение времени нарастания импульса снижается скорость работы системы. [6]
Реализация резисхивной матрицы с МОП-перекидными ключами. [7] |
Время нарастания для них составляет 0 5 мкс. [8]
Время нарастания рассчитывается по приведенной выше методике. [9]
Время нарастания и спадания фототока зависит от интенсивности освещенности, причем это время значительно уменьшается при больших освещенностях. Постоянная времени также зависит от способа приготовления порошка; обычно большие ее значения соответствуют более высокой чувствительности порошков. С другой стороны, фотоэлементы с монокристаллами и с пленкой изготовленной методом спекания, обычно имеют меньшую постоянную времени в сравнении с фотоэлементами, у которых фоточувствительная пленка изготовлена из порошка. Таким образом, постоянная времени может изменяться в очень широком диапазоне от миллисекунд до секунд. [10]
Схемы с транзистором. а - общий эмиттер. б - общая база.| Параметры переключения транзистора.| Характеристики транзистора. а - общий эмиттер. б - общая база. [11] |
Время нарастания tr - это время, за которое ток коллектора достигает своего максимального значения. [12]
Времена нарастания и спада равны. [13]
Время нарастания / иар связано с инерционностью процесса накопления неравновесных носителей заряда в базах тиристора. [14]
Временные зависимости тока управляющего электрода ( а. основного напряжения на тиристоре ( б и основного тока через тиристор ( в, характеризующие процесс его включения. [15] |