Время - нарастание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если третье лезвие бреет еще чище, то зачем нужны первые два? Законы Мерфи (еще...)

Время - нарастание

Cтраница 3


Время нарастания и спада импульса может быть и меньше этой величины.  [31]

Время нарастания этой неустойчивости зависит от механизма образования S-образной ВАХ.  [32]

33 Упрощенная схема ( а и диаграммы токоз и напряжения ( б установки.  [33]

Время нарастания этих токов определяется индуктивностью дросселя Ы и составляет 15 - 20 периодов напряжения питания. Так как магнитодвижущие силы обмоток управления и токовой на каждом магнитопроводе дросселя насыщения направлены встречно, при достижении током нагрузки значения I m / 2cp y wy / wT магнитопровод в интервале управления [10] будет выведен из состояния насыщения. При наступлении очередного рабочего интервала ( полупериода) [10], когда к обмоткам WlH будет приложено положительное напряжение, ток через них сможет проходить только после того, как магнитопровод под воздействием этого напряжения вновь будет насыщен. Время, затраченное на перемагничивание магнитопровода, определит время задержки включения очередного тиристора.  [34]

35 Температурные зависимости коэффициентов диффузии ряда примесей в карбиде кремния.  [35]

Время нарастания и спада фотолюминесценции при импульсном возбуждении составляет миллисекунды при Г 300 К. Внутренняя квантовая эффективность фотолюминесценции карбида кремния, легированного бором, может составлять десятки процентов.  [36]

37 Форма напряжений на анодах ламп.  [37]

Время нарастания и спада составляет 0 5 % от длительности импульса.  [38]

Время нарастания не зависит здесь от напряжения смещения на диоде и является наименьшим, предельно возможным при данной форме стробимпульса и данной характеристике диода.  [39]

Время нарастания называют временем послесвечения.  [40]

41 Распределение примесей в микросплавном транзисторе с однородной базой. Э - эмиттер. Л - коллектор. Б - база. Na и Л д - концентрации акцепторов и допоров. [ IMAGE ] Распределение примесей в микросплавном транзисторе с градиентом примесей в базе.| Выходные характеристики транзистора.  [41]

Время нарастания ( передний фронт импуль-са) тф1 и спада ( задний фронт) тф2 определяются, помимо режима работы транзистора, его граничной частотой / д или / q, соответственно в схеме с общей базой или с общим эмиттером, и зависят от тех же конструктивных и физ.  [42]

43 Нормированные переходные характеристики.  [43]

Время нарастания и выброс характеризуют искажение фронта ( в идеальном случае tr0, 60), а спад и подъем выражают искажение плоской части.  [44]

45 Задания во временной области.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5